自由調(diào)節(jié)輸出負(fù)載的能力較好。附圖說(shuō)明圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例相交流固態(tài)調(diào)壓器的電路示意圖,。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖并通過(guò)實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明,，以下實(shí)施例是對(duì)本實(shí)用新型的解釋而本實(shí)用新型并不局限于以下實(shí)施例。參見(jiàn)圖1,，本實(shí)施例一種單相交流固態(tài)調(diào)壓器，其電路結(jié)構(gòu)如下：整流橋的其中兩個(gè)腳連接交流電源的兩端,，整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩(wěn)壓二極管的正極,，穩(wěn)壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2，穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接電阻R4的另一端,、光耦OC的腳4,、NPN三極管T1的集電極、單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b2,、單向可控硅SCR1的A極,、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極,，光耦OC的腳2經(jīng)由電阻R5連接輸入控制端的負(fù)極,，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極，NPN三極管T1的發(fā)射極連接電阻R6的一端,，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1,，單結(jié)晶體管T2的發(fā)射極b1連接變壓器B1的輸入端1，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1,，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1,，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1,。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用,。其***特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng)。蘇州可控硅價(jià)位

    新型跟.蹤式可控硅直流穩(wěn)壓電源信息時(shí)代里,，BP機(jī)已成為常用的通信工具,。目前,，我國(guó)BP機(jī)總臺(tái)的發(fā)射設(shè)備都采用進(jìn)口設(shè)備，其輸出電壓為13．8V,，電流為15～20A,。進(jìn)口電源不帶可控硅部分，而我國(guó)電網(wǎng)波動(dòng)較大,，為此設(shè)計(jì)了這種低成本穩(wěn)壓電源,。該設(shè)計(jì)在串聯(lián)反饋調(diào)整型穩(wěn)壓電源的基礎(chǔ)上加裝了可控硅相位控制裝置，用調(diào)整管兩端壓降來(lái)控制可控硅觸發(fā)的導(dǎo)通角,，維持調(diào)整管壓降不變,，從而設(shè)計(jì)出跟.蹤式大功率直流穩(wěn)壓電源。該穩(wěn)壓電源限制了調(diào)整管功耗,，實(shí)現(xiàn)了大功率,。該穩(wěn)壓電源主要由單相半控橋整流濾波、線性穩(wěn)壓器及可控硅相位控制等環(huán)節(jié)組成,，并加裝了過(guò)流保護(hù),、短路保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)裝置及顯示部分,。在220V電網(wǎng)電壓波動(dòng)±15％情況下,，輸出電壓13．8V，輸出電流可達(dá)20A,。由于采用了可控硅相位控制技術(shù),，能將調(diào)整管兩端壓降限制在3V左右，功耗不大于40W,，提高了電源效率,。當(dāng)輸出電流超過(guò)20A時(shí)，限流保護(hù)可減小輸出電流,。若輸出短路,，短路保護(hù)輸出***信號(hào)關(guān)斷可控硅。調(diào)整管溫度高于60℃時(shí)啟動(dòng)電扇,，溫度低于40℃時(shí)關(guān)斷電扇,，溫度高于80℃時(shí)關(guān)斷可控硅。該電源采用集成可控硅觸發(fā)器,，雙運(yùn)算放大器及具有溫度補(bǔ)償?shù)姆€(wěn)壓管作基準(zhǔn)源,，并配有三端穩(wěn)壓器作為輔助電源，實(shí)現(xiàn)了高精度,。山東散熱可控硅調(diào)整器具有“自動(dòng)限流”功能,，負(fù)載電流大于額定值時(shí)，調(diào)壓器輸出電流被限制在額定值左右,。

KY-ZB3型周波觸發(fā)器是工業(yè)電加熱系統(tǒng)中相當(dāng)有廣泛應(yīng)用的SSR信號(hào)處理控制器,。具有周期過(guò)零式（PWM占空比控制）和周波過(guò)零式（CYC變周期控制）兩種控制方式,。觸發(fā)器采用鎖相環(huán)同步電路、自動(dòng)判別相位,?？勺鰹閱蜗嗾{(diào)功、三相三控,、三相兩控過(guò)零觸發(fā)控制,。其優(yōu)越的周波過(guò)零控制使負(fù)載電流的通斷是按正弦波均勻分布的。它提高了調(diào)節(jié)精度和電源的利用效率以及避免了打表針現(xiàn)象,，節(jié)電效果也十分明顯,。主要應(yīng)用于電阻性負(fù)載、溫度加熱控制單元以及各種工業(yè)爐等,。

    當(dāng)T1與T2之間接通電源后,，給G極正向觸發(fā)信號(hào)（相對(duì)于T1、T2所接電源負(fù)極而言）,，其工作原理如前面單向可控硅完全相同,。當(dāng)G極接負(fù)觸發(fā)信號(hào)時(shí)，其工作過(guò)原理如圖4所示,，此時(shí)Q3的基極B和發(fā)射極E處于正偏電壓而致使Q3導(dǎo)通,，繼而Q1導(dǎo)通給電容C充電后致Q2導(dǎo)通并保持導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅的英文簡(jiǎn)稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫(xiě),，其意思是三端交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，目前主要用于對(duì)交流電源的控制,，主要特點(diǎn)表現(xiàn)在能在四個(gè)象限來(lái)使可控硅觸發(fā)導(dǎo)通和保持導(dǎo)通,，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極,，G觸發(fā)信號(hào)Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負(fù)極,，G觸發(fā)信號(hào)Vg的負(fù),。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負(fù)極,，G觸發(fā)信號(hào)分別接Vg的正,、負(fù)極。2類(lèi)雙向可控硅電路設(shè)計(jì)在理解了前面所述雙向可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理之后,，依據(jù)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用我們熟悉的晶體管來(lái)設(shè)計(jì)一種類(lèi)似有雙向可控硅工作的雙向可觸發(fā)電路,。如圖5所示,，電路采用用7個(gè)三極管和幾個(gè)電阻組成,。把圖5電路中PN結(jié)的結(jié)構(gòu)按圖6所示結(jié)構(gòu)圖描出,，與圖3-a,、b比較很是相似。在圖5所示電路中,，內(nèi)部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。整流裝置也用于提供電焊時(shí)所需固定極性的電壓,。

    由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動(dòng)。如果手捏柵極表針擺動(dòng)較小,，說(shuō)明管的放大能力較差,；表針擺動(dòng)較大，表明管的放大能力大,；若表針不動(dòng)，說(shuō)明管是壞的,。根據(jù)上述方法，我們用萬(wàn)用表的R×100檔,，測(cè)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管3DJ2F。先將管的Ｇ極開(kāi)路,，測(cè)得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏?。菢O后，表針向左擺動(dòng),，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動(dòng)的幅度較大,，說(shuō)明該管是好的，并有較大的放大能力,。運(yùn)用這種方法時(shí)要說(shuō)明幾點(diǎn)：首先，在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管用手捏住柵極時(shí),，萬(wàn)用表針可能向右擺動(dòng)（電阻值減?。部赡芟蜃髷[動(dòng)（電阻值增加）,。這是由于人體感應(yīng)的交流電壓較高，而不同的場(chǎng)效應(yīng)管用電阻檔測(cè)量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同（或者工作在飽和區(qū)或者在不飽和區(qū)）所致,，試驗(yàn)表明，多數(shù)管的RDS增大,，即表針向左擺動(dòng)；少數(shù)管的RDS減小,，使表針向右擺動(dòng)。但無(wú)論表針擺動(dòng)方向如何,，只要表針擺動(dòng)幅度較大，就說(shuō)明管有較大的放大能力,。第二,，此方法對(duì)MOS場(chǎng)效應(yīng)管也適用。但要注意,，MOS場(chǎng)效應(yīng)管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應(yīng)電壓不應(yīng)過(guò)高,，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄,，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應(yīng)電荷直接加到柵極,，引起柵極擊穿。第三,，每次測(cè)量完畢。如果把二極管換成可控硅,，就可以構(gòu)成可控整流電路?？煽毓杩偨?jīng)銷(xiāo)

隔離開(kāi)關(guān)應(yīng)能同時(shí)提供滿足負(fù)載的電流和蓄電池的再充電電流，并能承受較大的短路電流,。蘇州可控硅價(jià)位

    可控硅檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)可控硅（SCR）國(guó)際通用名稱為T(mén)hyyistoy，中文簡(jiǎn)稱晶閘管,。它能在高電壓、大電流條件下工作,，具有耐壓高、容量大,、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件,，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中,。1.可控硅的特性,?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓?、雙向可控硅,。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K,、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有***陽(yáng)極A1（T1）,，第二陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳,。只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A,、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,，控制器G即使失去觸發(fā)電壓,，只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài),。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A,、陰極K間電壓極性發(fā)生改變（交流過(guò)零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,，即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài),，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān),。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,。蘇州可控硅價(jià)位

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