根據(jù)高頻電路信號(hào)特性和ESD防護(hù)能力的要求來選用不同的防護(hù)器件和不同的防護(hù)中路結(jié)構(gòu),，防護(hù)器件的結(jié)電容需要滿足表1的要求,，防護(hù)電路的開啟電壓(觸發(fā)電壓)和箱位電壓(或二極管導(dǎo)通電壓)應(yīng)大于高頻信號(hào)可能的比較大峰值電壓，同時(shí)要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于被保護(hù)器件的ESD或值電樂,，ESD防護(hù)電路的響應(yīng)時(shí)間要小于被保護(hù)器件的響應(yīng)時(shí)間,。高頻信號(hào)頻率低于1GHz,，可以直接選用低容值的雙向TVS管進(jìn)行ESD防護(hù)，如果信號(hào)功率小,，峰值電平低于二極管的正向?qū)妷?，也可以直接選用低容值的快速開關(guān)二極管兩個(gè)反向并聯(lián)后進(jìn)行雙向ESD防護(hù)，如果信號(hào)峰值電平高于二極管的正向?qū)妷?，?yīng)采用兩個(gè)快速開關(guān)二極管反向串聯(lián)后進(jìn)行雙向ESD防護(hù),。ESD防護(hù)電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地。甘肅USB TYPE C ESD保護(hù)元件選型

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中,，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬,。在測(cè)試過程中，電容會(huì)充電到數(shù)千伏（常見的是2kV,、4kV,、6kV及8kV），再借由電阻串聯(lián)到被測(cè)器件進(jìn)行放電,。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時(shí)間,、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數(shù)信號(hào)衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件,，如鑰匙,、螺絲刀等對(duì)其他物體產(chǎn)生的放電稱為人體-金屬ESD模型，與典型的人體放電模型有明顯的差別,。人體-金屬ESD產(chǎn)生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍,。原因是金屬物件的電極效應(yīng)使得人體放電的等效電阻***變小。甘肅USB TYPE C ESD保護(hù)元件選型單位面積的ESD防護(hù)能力大致如下：SCR＞MOS＞Diode（反向擊穿）,。

由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來實(shí)現(xiàn),，在CMOS工藝中，其擊穿電壓大約有幾十伏,，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓,，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言,，SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低,，以滿足芯片的保護(hù)要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求,，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容,，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。由于這種SCR的觸發(fā)要靠Nwell和Pwell結(jié)的擊穿來實(shí)現(xiàn),，在CMOS工藝中,，其擊穿電壓大約有幾十伏，遠(yuǎn)高于一般器件的柵氧擊穿電壓,，達(dá)不到ESD防護(hù)的效果,。因此對(duì)于低壓CMOS芯片而言，SCR的觸發(fā)電壓需要通過一些方法降低,，以滿足芯片的保護(hù)要求,。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容,，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利,。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強(qiáng)的器件。當(dāng)陽極出現(xiàn)PositiveESDPulse時(shí),，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿,，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟,，陽極的P+注入大量空穴,，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流,，注入的電子成為PNP器件的基極電流,，正反饋過程得以形成,，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強(qiáng)烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降,。因此,，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強(qiáng),，微分電阻也非常小,。在陽極出現(xiàn)NegativeESDPulse時(shí)，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放,。靜電放電可達(dá)到高達(dá)幾十千伏的放電電壓,。

日常生活防靜電ESD防護(hù)，1保持皮膚濕潤(rùn),，靜電如果頻繁找上你,，很可能是因?yàn)槟愕钠つw缺水了。提高皮膚的濕潤(rùn)度,，可以更好地避免靜電的產(chǎn)生,，也就避免了靜電給皮膚帶來疼痛感。2室內(nèi)保持濕度,，秋冬季節(jié)空氣濕度下降,，導(dǎo)致靜電難以釋放，這就造成了身體靜電過多,。在室內(nèi)防靜電的比較好辦法就是增加空氣濕度,，一般要求相對(duì)濕度在45%～65%,。干燥季節(jié)要保持空氣濕度,，可在室內(nèi)放一盆水，讓水自然蒸發(fā),，或者使用加濕器調(diào)節(jié)室內(nèi)濕度,。3靜電釋放裝置，可選購市面上常見的靜電放電器,、靜電釋放棒,、靜電帶、靜電貼,、除靜電鑰匙扣等,。觸碰金屬部件時(shí)，先用小金屬物品（如：鑰匙,、靜電放***）先接觸需接觸的位置,，以達(dá)到消除靜電的目的。ESD靜電保護(hù)元件可以做成陣列式,，同時(shí)保護(hù)幾路數(shù)據(jù)線免遭ESD的損壞,。廣東BNC接口ESD保護(hù)元件電壓

ESD防護(hù)電路的引入會(huì)影響電路的信號(hào)傳輸質(zhì)量,，使信號(hào)的時(shí)延、頻響,、電平等發(fā)生變化,。甘肅USB TYPE C ESD保護(hù)元件選型

隨著我國經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，脫貧致富,，實(shí)現(xiàn)小康之路觸手可及,。值得注意的是有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)的發(fā)展，特別是近幾年,，我國的電子企業(yè)實(shí)現(xiàn)了質(zhì)的飛躍,。從電子元器件的外國采購在出售。電子元器件自主可控是指在研發(fā),、生產(chǎn)和保證等環(huán)節(jié),，主要依靠國內(nèi)科研生產(chǎn)力量，在預(yù)期和操控范圍內(nèi),，滿足信息系統(tǒng)建設(shè)和信息化發(fā)展需要的能力,。電子元器件關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用，對(duì)電子產(chǎn)品和信息系統(tǒng)的功能性能影響至關(guān)重要,，涉及到工藝,、合物半導(dǎo)體、微納系統(tǒng)芯片集成,、器件驗(yàn)證,、可靠性等。電子元器件銷售是聯(lián)結(jié)上下游供求必不可少的紐帶,，目前電子元器件企業(yè)商已承擔(dān)了終端應(yīng)用中的大量技術(shù)服務(wù)需求,，保證了原廠產(chǎn)品在終端的應(yīng)用，提高了產(chǎn)業(yè)鏈的整體效率和價(jià)值,。電子元器件行業(yè)規(guī)模不斷增長(zhǎng),，國內(nèi)市場(chǎng)表現(xiàn)優(yōu)于國際市場(chǎng)，多個(gè)下游的行業(yè)的應(yīng)用前景明朗,，電子元器件行業(yè)具備廣闊的發(fā)展空間和增長(zhǎng)潛力,。當(dāng)前國內(nèi)TVS、ESD,、MOV,，放電管、保險(xiǎn)絲,、繼電器,，二三極管MOS管、晶振,，NTC,，PPTC，電容行業(yè)發(fā)展迅速,，我國 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展已走在世界前列,，但在整體產(chǎn)業(yè)鏈布局方面，我國企業(yè)主要處于產(chǎn)業(yè)鏈的中下游,。在產(chǎn)業(yè)鏈上游,，尤其是TVS、ESD,、MOV,，放電管、保險(xiǎn)絲,、繼電器,，二三極管MOS管,、晶振，NTC,，PPTC,，電容和器件等重點(diǎn)環(huán)節(jié)，技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于國外,。甘肅USB TYPE C ESD保護(hù)元件選型

上海來明電子有限公司位于靈山路1000弄2號(hào)808,。公司業(yè)務(wù)分為TVS、ESD,、MOV,，放電管,、保險(xiǎn)絲、繼電器,，二三極管MOS管,、晶振，NTC,，PPTC,，電容等，目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn),，為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù),。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計(jì),、強(qiáng)大的技術(shù),，還有一批專業(yè)化的隊(duì)伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù),。來明電子立足于全國市場(chǎng),，依托強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力，融合前沿的技術(shù)理念,，及時(shí)響應(yīng)客戶的需求,。