低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,，或對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,，因為它們易于被脈沖電壓擊穿,。高頻瓷介電容器適用于高頻電路云母電容器，就結構而言，可分為箔片式及被銀式,。被銀式電極為直接在云母片上用真空蒸發(fā)法或燒滲法鍍上銀層而成,，由于消除了空氣間隙，溫度系數(shù)大為下降,，電容穩(wěn)定性也比箔片式高。頻率特性好,，電荷量值高,，溫度系數(shù)小，不能做成大的容量,。廣泛應用在高頻電器中,，并可用作標準電容器。電容器是一種能夠儲藏電荷的元件,，也是**常用的電子元件之一,。甘肅X電容原理

介質(zhì)損耗，電容器在電場作用下消耗的能量,，通常用損耗功率和電容器的無功功率之比,，即損耗角的正切值表示（在電容器的等效電路中，串聯(lián)等效電阻ESR同容抗1/ωC之比稱之為Tanδ,，這里的ESR是在120Hz下計算獲得的值,。顯然，Tanδ隨著測量頻率的增加而變大,，隨測量溫度的下降而增大）,。損耗角越大，電容器的損耗越大,，損耗角大的電容不適于高頻情況下工作,。散逸因數(shù)dissipationfactor(DF)存在于所有電容器中，有時DF值會以損失角tanδ表示,。此參數(shù)愈低愈好,。但鋁電解電容此參數(shù)比較高。甘肅X電容原理當電容器著火時,，就立即斷開電源,，并用砂子和干式滅火器滅火。

高壓瓷片電容就是以陶瓷材料為介質(zhì)的圓板電容器,，在“瓷片”電容器中一般DC50v以下叫低壓,，DC100V~500V為中高壓，DC1000v~6000v和為高壓,，安規(guī)Y電容也是屬于高壓,，DC6000v以上為超高壓。高壓瓷片電容作用具有耐磨直流高壓的特點，適用于高壓旁路和耦合電路中,，其中的低耗損高壓圓片具有較低的介質(zhì)損耗,，特別適合在電視接收機和掃描等電路中使用。1.MLCC(1類)—微型化,，高頻化,，**損耗，低ESR,，高穩(wěn)定,，高耐壓，高絕緣,，高可靠,，無極性，低容值,，低成本,，耐高溫，主要應用于高頻電路中,。2.MLCC(2類)—微型化,，高比容，中高壓,，無極性,，高可靠，耐高溫,，低ESR,，低成本，主要應用于中,低頻電路中作隔直,，耦合,，旁路和濾波等電容器使用。

獨石電容器(多層陶瓷電容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以電極槳材料,，疊合后一次繞結成一塊不可分割的整體,，外面再用樹脂包封而成。是一種小體積,、大容量,、高可靠和耐高溫的新型電容器。高介電常數(shù)的低頻獨石電容器也具有穩(wěn)定的性能,，體積極小,，容量誤差較大。一般是用兩條鋁箔作為電極,，中間以厚度為0.008～0.012mm的電容器紙隔開重疊卷繞而成,。制造工藝簡單,，價格便宜，能得到較大的電容量,。金屬化聚丙烯電容器一般在低頻電路內(nèi),，通常不能在高于3～4MHz的頻率上運用。一定要避免電容工作于諧振頻率以上,。

聚合物電容是采用高電導率的聚合物材料作為陰極的片式疊層鋁電解電容器,，具有超越現(xiàn)有液體片式鋁電解電容器和固體片式鉭電解電容器的***電性能。聚合物電容在額定電壓范圍內(nèi),，無需降壓使用,。具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)，降低紋波電壓能力強,，允許通過更大紋波電流。聚合物片式疊層鋁電解電容器在高頻下,，阻抗曲線呈現(xiàn)近似理想電容器特性,。在頻率變化情況下，電容量非常穩(wěn)定,。此類電容器主要應用于主板（筆記本電腦,、平板顯示器、數(shù)字交換機）旁路去耦/儲能濾波電容,、開關電源,、DC/DC變換器、高頻噪聲抑制電路及便攜式電子設備等,。目前常見的鉭電容有三種失效模式：電壓型,、電流型和發(fā)熱型。甘肅X電容原理

聚合物電容是采用高電導率的聚合物材料作為陰極的片式疊層鋁電解電容器,。甘肅X電容原理

鉭電容由于介質(zhì)層是由陽極金屬在電解液中氧化而成,，而生成的介質(zhì)薄膜在外加電壓的作用下產(chǎn)生熱量，容易使其生產(chǎn)電阻率很高的氧化物,。從而相當于修復了氧化膜中存在缺陷,、裂痕等疵點，即具有自愈作用,。這種獨特自愈性能,，保證了其長壽命和可靠性的優(yōu)勢。固體鉭電容器電性能優(yōu)良,，工作溫度范圍寬,，而且形式多樣，體積效率優(yōu)異,，具有其獨特的特征：鉭電容器的工作介質(zhì)是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜,。此層氧化膜介質(zhì)與組成電容器的一端極結合成一個整體,，不能單獨存在。由于陽極塊中具有很多微孔結構,，使其單位體積內(nèi)所具有的電容量特別大,，即比容量高，因此適宜于小型化電路板,。甘肅X電容原理

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