人體靜電防護編輯 播報人體是**普遍存在的靜電危害源,。對于靜電來說，人體是導體,，所以可以對人體采取接地的措施,。(1).使用防靜電地面/ 防靜電鞋/ 襪(靜電從腳導到大地)通過腳穿防靜電性地面、地墊,、地毯,，人員穿上防靜電鞋襪，形成組合接地,。(2).佩戴防靜電腕帶并接地(靜電從手導到大地)通過手用以泄放人體的靜電,。它由防靜電松緊帶、活動按扣,、彈簧軟線.保護電阻及插頭或夾頭組成,。松緊帶的內層用防靜電紗線編織，外層用普通紗線編織,。高頻信號接口的ESD防護電路設計主要是致力于降低防護電路的并聯(lián)結電容和串聯(lián)電感,。安徽天線接口ESD保護元件電容

防護管一般和被保護電路并聯(lián)。防護管的串聯(lián)寄生電感會阻止ESD脈沖瀉放到地,，降低ESD防護能力,。防護管的結電容產(chǎn)生的容抗和被保護電路I/0端口的特征阻抗并聯(lián)，當防護管的結電容較大時,，在高頻下的容抗較小，會嚴重改變接口的的阻抗特性和頻譜特性,。防護器件的結電容是影響信號質量的主要因素,，在高頻接口要求防護器件的結電容要盡量小。現(xiàn)在各種電浪涌防護管的結電容要做到很小(小于2pF)還有較大難度,，因此現(xiàn)有的防護器件直接用于GHz和Gbps以上的高頻接口的ESD防護將對信號質量產(chǎn)生不可容忍的影響,。防護器件要具有雙極性(雙向)防護功能，其響應時間小于ns級時,，對ESD脈沖才具有較好的防護效果,，響應速度越快其防護效果越好。防護管的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號峰值電平時也會對高頻信號產(chǎn)生限幅效應,，箝位電壓過高則ESD防護效果差,，這增加了較高峰值能量的高頻接口的ESD防護電路設計的難度。甘肅低壓ESD保護元件電容靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象,，產(chǎn)生的方式多種,，如接觸、摩擦,、剝離等,。

人體帶電的控制(1)在有防爆要求的車間內,，不得使用塑料、橡膠等絕緣地面,，并盡可能保持濕潤,。操作人員應穿防靜電鞋，以減少人體帶電,。如鋪有地毯應夾織金屬絲,，并與自來水管等接地體連接，以盡快導除靜電,。(2)在易燃易爆場所,，工作人員不應穿合成纖維織物的衣服。(3)易燃易爆場所的坐椅不宜采用人造革之類的高阻材料制造,。(4)對高壓帶電體應加屏蔽,，人體應避免與高速噴射的氣體接近，以防靜電感應,。避免靜電過量積累有幾種簡單易行的方法：***,，到自然環(huán)境中去。有條件的話,，在地上赤足運動一下,，因為常見的鞋底都屬絕緣體，身體無法和大地直接接觸,，也就無法釋放身上積累的靜電,。第二，盡量少穿化纖類衣物,，或者選用經(jīng)過防靜電處理的衣物,。貼身衣服、被褥一定要選用純棉制品或真絲制品,。同時,，遠離化纖地毯。第三,，秋冬季要保持一定的室內濕度,，這樣靜電就不容易積累。室內放上一盆清水或擺放些花草,，可以緩解空氣中的靜電積累和灰塵吸附,。第四，長時間用電腦或看電視后,，要及時清洗裸露的皮膚,，多洗手、勤洗臉,，對消除皮膚上的靜電很有好處,。第五,，多飲水，同時補充鈣質和維生素c,，減輕靜電對人帶來的影響,。

MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流,。因CMOS使用**為***的工藝之一,，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構示例如圖3所示,。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通,，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS,，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS,，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的,，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流,。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件,。采用MOS器件作為芯片的ESD防護架構示例如圖3所示,。為防止ESD器件在芯片正常工作時導通，MOS的柵極總是采用關斷的連接方式,，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS,，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）,。使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容,，這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。

提高防護電路箱位電壓或導通電壓的設計方法由于低容值要求選用的防護器件的箱位電壓(或導通電壓)低于高頻信號可能的**人峰值電壓時,，防護器件將對高頻信號產(chǎn)生“壓縮”的限幅問題，此時可以采用以下優(yōu)化設計方法,，提高防護器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對防護二極管施加反向偏壓,，使二極管的導通電壓大于高頻信號峰值電平。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián),，導通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián),，導通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護電路的箱位電壓。C.二極管串聯(lián)電容法-防護二極管串聯(lián)電容后,，高頻信號通過二極管對電容充電,，電容充電后對二極管提供偏壓，提升二極管的正向導通電樂,。ESD靜電保護元件被廣泛應用于各類通信接口,。安徽天線接口ESD保護元件電容

MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的,，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。安徽天線接口ESD保護元件電容

人體靜電電壓比較高可達約50kV以下,，因為當存在連續(xù)起電過程時,，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制,。2,、一般生活中，在不同濕度條件下,，人體活動產(chǎn)生的靜電電位有所不同,。在干燥的季節(jié)，人體靜電可達幾千伏甚至幾萬伏,。3,、產(chǎn)生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產(chǎn)生的附著于人體上的靜電。靜電的產(chǎn)生是由于原子核對外層電子的吸引力不夠,，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子,，于是造成摩擦物帶負電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下,，這些電荷無法流失,，就會聚集起來。并且由于絕緣物的電容性極差,，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況,。安徽天線接口ESD保護元件電容

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