對(duì)于ESD,，我們應(yīng)該如何進(jìn)行一個(gè)選型呢,？ESD主要分為四類：TVS二極管、壓敏電阻,、MLCC,、ESD抑制器,，各個(gè)器件的應(yīng)用場(chǎng)景也不太一樣，我們**常用的esd器件就是tvs二極管了,。1）工作電壓選擇ESD器件應(yīng)該選擇系統(tǒng)工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM）,，例如系統(tǒng)是0~5V，那么我們應(yīng)該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS,。2）信號(hào)類型單向ESD器件和雙向ESD器件的選擇,，雙向ESD器件可以通過正負(fù)擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，而單向ESD器件只可以通過正擊穿電壓（VBR）的信號(hào),，如果通過負(fù)的就會(huì)造成ESD器件擊穿,。3）寄生電容ESD器件是有寄生電容的，如圖是寄生電容對(duì)高速電路接口的影響,，寄生電容會(huì)影響電平的上升和下降速度,，影響輸出后的信號(hào)。4）根據(jù)電路系統(tǒng)的比較大承受電壓沖擊,，選擇適合的鉗位電壓,；5）確保ESD器件可達(dá)到或超過IEC61000-4-2level4。靜電源控制,，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除,，因此必須對(duì)敏感器件周邊進(jìn)行靜電源控制。上海BNC接口ESD保護(hù)元件應(yīng)用

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內(nèi)部PCB流向大地(小部分),。靜電放電電流屬于高頻信號(hào),集膚效應(yīng)及金屬外殼的低阻抗特性(測(cè)試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認(rèn)良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十?dāng)_是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會(huì)從金屬外殼流人大地,。既然大部分的靜電放電干擾電流已經(jīng)通過金屬外殼流人大地,那為什么還會(huì)出現(xiàn)ADC的異常工作呢?ADC電路的設(shè)計(jì)肯定存在較薄弱的環(huán)節(jié)。檢查電路發(fā)現(xiàn),ADC存在模擬地和數(shù)字地,電路設(shè)計(jì)時(shí)為了使數(shù)字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數(shù)字地和模擬地之問跨接了磁珠進(jìn)行隔離,。河南SD卡ESD保護(hù)元件選型ESD防護(hù)電路主要采用“過壓防護(hù)”的原理,，通過隔離、箝位(限幅),、衰減,、濾波等降低ESD沖擊電壓,。

ESD是一種常見的近場(chǎng)危害源，可形成高電壓,，強(qiáng)電場(chǎng),，瞬時(shí)大電流，并伴有強(qiáng)電磁輻射,，形成靜電放電電磁脈沖,。·電流>1A,，·上升時(shí)間～15ns,，衰減時(shí)間～150ns。ESD靜電放電的特點(diǎn)：靜電起電的**常見原因是兩種材料的接觸和分離,。**經(jīng)常發(fā)生的靜電起電現(xiàn)象是固體間的摩擦起電現(xiàn)象,。此外還有剝離起電、破裂起電,、電解起電、壓電起電,、熱電起電,、感應(yīng)起電、吸附起電和噴電起電等,。物體的靜電起電—放電一般具有高電位,、強(qiáng)電場(chǎng)和寬帶電磁干擾等特點(diǎn)。

Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù),，它往往用于輔助的ESD保護(hù),，如芯片Input***級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。當(dāng)ESD電流過大,，***級(jí)ESD器件難以將電壓鉗位至安全區(qū)域時(shí),，第二級(jí)ESD器件的導(dǎo)通將使其與電阻分壓，從而進(jìn)一步降低進(jìn)入內(nèi)部電路的電壓,。又如用于GG-NMOS的柵電阻,，如圖6所示，NMOS的柵極通過一電阻接地,，而非直接接地,。如此一來，在NMOS漏端發(fā)生正向的ESD脈沖時(shí),，由于NMOS的漏一柵電容,，會(huì)使得器件的柵極耦合出一正的電勢(shì)，該電勢(shì)會(huì)促使NMOS的溝道開啟,，從而起到降低NMOS在ESD應(yīng)力下觸發(fā)電壓的目的,。ESD靜電保護(hù)元件可以做成陣列式,，同時(shí)保護(hù)幾路數(shù)據(jù)線免遭ESD的損壞。

提高防護(hù)電路箱位電壓或?qū)妷旱脑O(shè)計(jì)方法由于低容值要求選用的防護(hù)器件的箱位電壓(或?qū)妷?低于高頻信號(hào)可能的**人峰值電壓時(shí),，防護(hù)器件將對(duì)高頻信號(hào)產(chǎn)生“壓縮”的限幅問題,，此時(shí)可以采用以下優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，提高防護(hù)器件的箝位電壓:A.二極管偏置法一對(duì)防護(hù)二極管施加反向偏壓,，使二極管的導(dǎo)通電壓大于高頻信號(hào)峰值電平,。B.二極管串聯(lián)法-n只二極管同向串聯(lián)，導(dǎo)通電壓提高n倍;兩只二極管反向串聯(lián),，導(dǎo)通電壓為其反向擊穿電壓;也可以通過低容值防護(hù)二極管串聯(lián)穩(wěn)壓二極管的方法提高防護(hù)電路的箱位電壓,。C.二極管串聯(lián)電容法-防護(hù)二極管串聯(lián)電容后，高頻信號(hào)通過二極管對(duì)電容充電,，電容充電后對(duì)二極管提供偏壓,，提升二極管的正向?qū)姌贰SD靜電保護(hù)元件被廣泛應(yīng)用于各類通信接口,。上海BNC接口ESD保護(hù)元件應(yīng)用

ESD靜電保護(hù)元件可提供多種封裝形式,。上海BNC接口ESD保護(hù)元件應(yīng)用

人體放電模型（HBM）法規(guī)：十九世紀(jì)時(shí)，人們?cè)眠@種模型來調(diào)查礦坑中的氣體混合物事件,。美國(guó)***標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883的第3015.8號(hào)方法建立了一個(gè)簡(jiǎn)化的等效電路,，以及模擬人體模型需要的測(cè)試程序。另一個(gè)國(guó)際廣為使用的法規(guī)是ANSI/ESDA-JEDECJS-001：靜電放電敏感度測(cè)試,。人體模型主要用在工廠生產(chǎn)環(huán)境中,，另一個(gè)類似的法規(guī)IEC61000-4-2，是系統(tǒng)級(jí)的靜電測(cè)試法規(guī),，則是在在系統(tǒng)層級(jí)的測(cè)試,。我國(guó)靜電放電對(duì)應(yīng)的國(guó)標(biāo)相對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)為GB/T17626.2。上海BNC接口ESD保護(hù)元件應(yīng)用