MEA柔性電極：MEMS工藝開發(fā)的MEA（微電極陣列）柔性電極,，是腦機(jī)接口（BCI）與類***電生理研究的**技術(shù)載體。該電極采用超薄柔性基底材料（如聚酰亞胺或PDMS）,，厚度可精細(xì)控制在10-50微米范圍內(nèi),，表面通過光刻與金屬沉積工藝集成高密度“觸凸”式微電極陣列。在腦機(jī)接口領(lǐng)域,，柔性電極通過微創(chuàng)手術(shù)植入大腦皮層,，用于癲癇病灶的精細(xì)定位與閉環(huán)電刺激***。在類***研究中,，電極陣列與腦類***共培養(yǎng)系統(tǒng)結(jié)合,，可長期監(jiān)測神經(jīng)元網(wǎng)絡(luò)的自發(fā)電活動(dòng)與突觸可塑性變化，為阿爾茨海默病藥物篩選提供高分辨率電生理數(shù)據(jù)。此外,，公司開發(fā)的“仿生褶皺結(jié)構(gòu)”柔性電極,，通過力學(xué)匹配設(shè)計(jì)進(jìn)一步降低植入后的機(jī)械應(yīng)力，延長器件使用壽命至少5年以上,。PDMS 金屬流道加工技術(shù)可在柔性流道內(nèi)沉積金屬鍍層，實(shí)現(xiàn)電化學(xué)檢測與流體控制一體化,。中國香港MEMS微納米加工方法

基于MEMS技術(shù)的SAW器件：

聲表面波(SAW)傳感器是近年來發(fā)展起來的一種新型微聲傳感器,，是種用聲表面波器件作為傳感元件，將被測量的信息通過聲表面波器件中聲表面波的速度或頻率的變化反映出來,，并轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出的傳感器,。聲表面波傳感器能夠精確測量物理、化學(xué)等信息(如溫度,、應(yīng)力,、氣體密度)。由于體積小,，聲表面波器件被譽(yù)為開創(chuàng)了無線,、小型傳感器的新紀(jì)元，同時(shí),，其與集成電路兼容性強(qiáng),，在模擬數(shù)字通信及傳感領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。聲表面波傳感器能將信號(hào)集中于基片表面,、工作頻率高,，具有極高的信息敏感精度，能迅速地將檢測到的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出,，具有實(shí)時(shí)信息檢測的特性,，另外，聲表面波傳感器還具有微型化,、集成化,、無源、低成本,、低功耗,、直接頻率信號(hào)輸出等優(yōu)點(diǎn)。 貴州MEMS微納米加工生物芯片太赫茲柔性電極以 PI 為基底構(gòu)建雙面結(jié)構(gòu),，適用于非侵入式生物檢測與材料無損探測,。

金屬流道PDMS芯片與PET基板的鍵合工藝：金屬流道PDMS芯片通過與帶有金屬結(jié)構(gòu)的PET基板鍵合，實(shí)現(xiàn)柔性微流控芯片與剛性電路的集成,，兼具流體處理與電信號(hào)控制功能,。鍵合前，PDMS流道采用氧等離子體活化處理（功率100W，時(shí)間30秒）,，使表面羥基化,；PET基板通過電暈處理提升表面能，濺射1μm厚度的銅層并蝕刻形成電極圖案,。鍵合過程在真空環(huán)境下進(jìn)行,，施加0.5MPa壓力并保持30分鐘，形成化學(xué)共價(jià)鍵,，剝離強(qiáng)度＞5N/cm,。金屬流道內(nèi)的電解液與外部電路通過鍵合區(qū)的Pad連接，接觸電阻＜100mΩ,，確保信號(hào)穩(wěn)定傳輸,。該技術(shù)應(yīng)用于微流控電化學(xué)檢測芯片時(shí)，可在10μL的反應(yīng)體系內(nèi)實(shí)現(xiàn)多參數(shù)同步檢測,，如pH,、離子濃度與氧化還原電位，檢測精度均優(yōu)于±1%,。公司優(yōu)化了鍵合設(shè)備的溫度與壓力控制算法,，將鍵合缺陷率（如氣泡、邊緣溢膠）降至0.5%以下,，支持大規(guī)模量產(chǎn),。此外，PET基板的可裁剪性與低成本特性,，使得該芯片適用于一次性檢測試劑盒,，單芯片成本較玻璃/硅基方案降低60%，為POCT設(shè)備廠商提供了高性價(jià)比的集成方案,。

MEMS四種刻蝕工藝的不同需求：

1.體硅刻蝕：一些塊體蝕刻些微機(jī)電組件制造過程中需要蝕刻挖除較大量的Si基材,，如壓力傳感器即為一例，即通過蝕刻硅襯底背面形成深的孔洞,，但未蝕穿正面,，在正面形成一層薄膜。還有其他組件需蝕穿晶圓,，不是完全蝕透晶背而是直到停在晶背的鍍層上,。基于Bosch工藝的一項(xiàng)特點(diǎn),，當(dāng)要維持一個(gè)近乎于垂直且平滑的側(cè)壁輪廓時(shí),，是很難獲得高蝕刻率的。因此通常為達(dá)到很高的蝕刻率,，一般避免不了伴隨產(chǎn)生具有輕微傾斜角度的側(cè)壁輪廓,。不過當(dāng)采用這類塊體蝕刻時(shí),，工藝中很少需要垂直的側(cè)壁。

2.準(zhǔn)確刻蝕：精確蝕刻精確蝕刻工藝是專門為體積較小,、垂直度和側(cè)壁輪廓平滑性上升為關(guān)鍵因素的組件而設(shè)計(jì)的,。就微機(jī)電組件而言，需要該方法的組件包括微光機(jī)電系統(tǒng)及浮雕印模等,。一般說來,，此類特性要求，蝕刻率的均勻度控制是遠(yuǎn)比蝕刻率重要得多,。由于蝕刻劑在蝕刻反應(yīng)區(qū)附近消耗率高,，引發(fā)蝕刻劑密度相對(duì)降低，而在晶圓邊緣蝕刻率會(huì)相應(yīng)地增加,，整片晶圓上的均勻度問題應(yīng)運(yùn)而生。上述問題可憑借對(duì)等離子或離子轟擊的分布圖予以校正,，從而達(dá)到均鐘刻的目的,。 熱敏柔性電極采用 PI 三明治結(jié)構(gòu)，底層基板,、中間電極,、上層絕緣層設(shè)計(jì)確保柔韌性與導(dǎo)電性。

微納結(jié)構(gòu)的多圖拼接測量技術(shù)：針對(duì)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的完整表征,，公司開發(fā)了多圖拼接測量技術(shù),，結(jié)合SEM與圖像算法實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)精度的全景成像。首先通過自動(dòng)平移臺(tái)對(duì)樣品進(jìn)行網(wǎng)格掃描,，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm,，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點(diǎn)匹配算法（如SIFT/SURF）進(jìn)行圖像配準(zhǔn),，誤差＜±2nm/100μm,；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區(qū)域,。該技術(shù)應(yīng)用于微流控芯片的流道檢測時(shí),，可快速識(shí)別全長10cm流道內(nèi)的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測效率較單圖測量提升10倍,。在納米壓印模具檢測中,，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)一致性，特征尺寸偏差＜±1%,。公司自主開發(fā)的拼接軟件支持實(shí)時(shí)預(yù)覽與缺陷標(biāo)記,，輸出包含尺寸標(biāo)注、粗糙度分析的檢測報(bào)告,，為微納加工的質(zhì)量控制提供了高效工具,，尤其適用于復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)與大面積陣列的計(jì)量需求,。MEMS微流控芯片是什么？云南MEMS微納米加工圖片

MEMS的主要材料是什么,？中國香港MEMS微納米加工方法

MEMS技術(shù)的主要分類：傳感MEMS技術(shù)是指用微電子微機(jī)械加工出來的,、用敏感元件如電容、壓電,、壓阻,、熱電耦、諧振,、隧道電流等來感受轉(zhuǎn)換電信號(hào)的器件和系統(tǒng),。它包括速度、壓力,、濕度,、加速度、氣體,、磁,、光、聲,、生物,、化學(xué)等各種傳感器，按種類分主要有:面陣觸覺傳感器,、諧振力敏感傳感器,、微型加速度傳感器、真空微電子傳感器等,。傳感器的發(fā)展方向是陣列化,、集成化、智能化,。由于傳感器是人類探索自然界的觸角,，是各種自動(dòng)化裝置的神經(jīng)元，且應(yīng)用領(lǐng)域大,，未來將備受世界各國的重視,。中國香港MEMS微納米加工方法