很難裝入PEARSON探頭,，更多的采用Rogowski-coil,。需要注意的是Rogowski-coil的延時會比較大,，而且當(dāng)電流變化率超過3600A/μs時，Rogowski-coil會有比較明顯的誤差,。關(guān)于測試探頭和延時匹配也可同儀器廠家確認(rèn),。圖3-1IGBT關(guān)斷過程DUT：FF600R12ME4;CH2（綠色）-VGE，CH3（藍色）-ce,，CH4（紅色）-Ic圖3-2IGBT開通過程首先固定電壓和溫度,，在不同的電流下測試IGBT的開關(guān)損耗，可以得出損耗隨電流變化的曲線,，并且對曲線進行擬合,，可以得到損耗的表達式。該系統(tǒng)的直流母線電壓小為540V,，高為700V,。而系統(tǒng)的IGBT的結(jié)溫的設(shè)計在125℃和150℃之間。分別在540V和700V母線電壓,，及125℃和150℃結(jié)溫下重復(fù)上述測試,，可以得到一系列曲線,，如圖4所示。圖4：在不同的電流輸入條件下,，以電壓和溫度為給定條件的IGBT的開關(guān)損耗曲線依據(jù)圖4給出的損耗測試曲線,，可以依據(jù)線性等效的方法得到IGBT的開通損耗和關(guān)斷損耗在電流，電壓,，結(jié)溫下的推導(dǎo)公式,。同理也可以得到Diode在給定系統(tǒng)的電壓，電流,，結(jié)溫設(shè)計范圍內(nèi)的反向恢復(fù)損耗的推導(dǎo)公式：圖5：在不同的電流輸入條件下,。IGBT模塊可以借助壓接引腳進行安裝，從而實現(xiàn)無焊料無鉛的功率模塊安裝,。江蘇功率半導(dǎo)體IGBT模塊國內(nèi)經(jīng)銷

圖1所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通,。反之,，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實現(xiàn)條件主要是依靠整流管。內(nèi)蒙古功率半導(dǎo)體IGBT模塊庫存充足三項整流橋+6單元的三項全橋IGBT拓?fù)?以FP開頭,。

IGBT單管和IGBT功率模塊PIM,、IPM的區(qū)別是什么？作者：海飛樂技術(shù)時間：2018-04-1218:47IGBT功率模塊采用封裝技術(shù)集成驅(qū)動,、保護電路和高能芯片一起的模塊,，已經(jīng)從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到了智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB,、電力模塊IPEM等,。IGBT單管和IGBT功率模塊的定義不同：IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小,，電流通常在50A以下,，常見有TO247、TO3P等封裝,。IGBT模塊：塊化封裝就是將多個IGBT集成封裝在一起,，即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等,。PIM模塊：集成整流橋+制動單元（PFC）+三相逆變（IGBT橋）,；IPM模塊：即智能功率模塊,，集成門級驅(qū)動及保護功能（熱保護,，過流保護等）的IGBT模塊。IGBT單管和IGBT功率模塊的結(jié)構(gòu)不同IGBT單管為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極。P+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏,、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector）,，它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用,。

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時,，會使晶閘管導(dǎo)通,，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子,。2．晶閘管加上正向陽極電壓后,，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通,。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導(dǎo)通,，但此時正向漏電流隨著增大而增大,。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài),，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性,。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通,，門極完全失去控制作用,。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流,，對于電阻負(fù)載,，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,，通常在管子陽極電壓互降為零后,，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM,、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT,，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A,。第1代和第二代采用老命名方式,，一般為BSM**GB**DLC或者BSM**GB**DN2。

IGBT功率模塊是指采用IC驅(qū)動,，利用的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動電路,、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB,、電力模塊IPEM,。IGBT功率模塊的驅(qū)動電路元件較少，在短路故障時只要結(jié)溫不超過安全工作范圍,，驅(qū)動電路仍可以繼續(xù)安全工作,。IGBT在大電流時具有退飽和特性，可以在一定程度上保護器件過流,，其它的電力電子開關(guān)器件則都不具備這種特性,。總之,，IGBT功率模塊具有驅(qū)動簡單,、過壓過流保護實現(xiàn)容易、開關(guān)頻率高以及不需要緩沖電路等特性,，非常適合應(yīng)用在中壓驅(qū)動領(lǐng)域,。常見的IGBT功率模塊的額定電壓等級有600V、1200V,、1700V,、2500V、3300V和4500V,，額定電流則可以達到2400A,。雖然有更高電壓等級的IGBT器件，但其電流等級卻大為下降,。例如,，額定電壓為6500V的IGBT器件的額定電流為650A。額定功率比較大的IGBT電壓電流參數(shù)為3600V/1700A和4500V/1200A,。各中類別型號的IGBT功率模塊已經(jīng)運用到各中電子元件中,，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器,。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB,。大家選擇的時候,，盡量選擇新一代的IGBT,，芯片技術(shù)有所改進,，IGBT的內(nèi)核溫度將有很大的提升。上海MACMIC宏微IGBT模塊快速發(fā)貨

英飛凌IGBT模塊電氣性能較好且可靠性比較高,，在設(shè)計靈活性上也絲毫不妥協(xié),。江蘇功率半導(dǎo)體IGBT模塊國內(nèi)經(jīng)銷

使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對N一層進行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時,，也具有低的通態(tài)電壓。檢測IGBT好壞簡便方法1,、判斷極性首先將萬用表撥在R&TImes;1KΩ擋,，用萬用表測量時，若某一極與其它兩極阻值為無窮大,，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無窮大,，則判斷此極為柵極（G）。其余兩極再用萬用表測量,，若測得阻值為無窮大,，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,，則判斷紅表筆接的為集電極（C）,；黑表筆接的為發(fā)射極（E）。2,、判斷好壞將萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋,，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發(fā)射極（E）,，此時萬用表的指針在零位,。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通,，萬用表的指針擺向阻值較小的方向,，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下柵極（G）和發(fā)射極（E）,，這時IGBT被阻斷,，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的,。江蘇功率半導(dǎo)體IGBT模塊國內(nèi)經(jīng)銷