PMM可用于移去卵細胞內(nèi)的染色體,，它可以用平口針迅速的穿透透明帶，而無須用尖頭針,。含有染色體的細胞質(zhì)會混進洗液管，通過透明帶的孔抽取出來,。PMM和傳統(tǒng)方法相比提高了速度和準確率，也就是說增加了效率,。細胞核顯微注射Piezo可以輕易破壞核的細胞質(zhì)膜收集核，利用平口針灸可以一次注射1個或更多的核,。針在膜的表面形成一個較深的內(nèi)陷,，piezo就很容易破膜將核注射進去,。胚胎干細胞顯微注射PMM與傳統(tǒng)尖頭針相比可促進ES細胞注射入胚泡,，甚至可以穿透和部分破壞內(nèi)細胞群,，增加ES細胞的作用,。平口針的頂端直徑為8-12um,，大約可裝15個ES細胞,，用中、低檔能量的脈沖,，PMM即可穿透細胞群,，用低能量的多次脈沖，針可穿透滋養(yǎng)外胚層（TE),。卵母細胞胞漿內(nèi)單精子顯微注射PMM通過將精子尾部與頭部割離,，精子頭部吸入平口針，在中低檔能量下即可穿透透明帶,，進行單精子顯微注射,。增加了速度和準確率，PMM為轉(zhuǎn)基因鼠高效率的產(chǎn)品,。與傳統(tǒng)方法相比,，Piezo增加了顯微注射的速度和準確率，利用MII轉(zhuǎn)基因的方法很有效的生成轉(zhuǎn)基因鼠,。壓電破膜儀 PMM PIEZO-ICSI的廣泛應(yīng)用將推動輔助生殖技術(shù)的發(fā)展,，提高生殖醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的科研水平。壓電ICSI

下面我們利用壓電陶瓷測試壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)。常用的壓電陶瓷是由鋯鈦酸鉛（PZT）材料做成的,。將PZT材料做成的壓電陶瓷片粘在圓形黃銅片上就構(gòu)成了壓電陶瓷元件,。它具有明顯的壓電效應(yīng)。首先,，將壓電陶瓷片A的兩根引線通過一個按鈕開關(guān)與信號發(fā)生器相聯(lián),。將壓電陶瓷片B的兩根引線與擴音器（帶喇叭）的輸入端相連。將A,、B兩個壓電陶瓷片用黑封泥固定在同一個木板制成的箱子上,。當觀察者將按鈕開關(guān)按下，接通信號發(fā)生器和壓電陶瓷A時,，由于逆壓電效應(yīng),，A開始振動，并把振動傳給木箱,，木箱的振動傳給壓電陶瓷B,，由于壓電效應(yīng)，使B兩邊產(chǎn)生變化電信號,，再傳給擴音器使喇叭發(fā)聲,，所以這個實驗同時演示了壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)。日本透明帶壓電PMM利用壓電晶體管壓電效應(yīng),，將卵細胞外層的透明帶輕易穿孔,，以執(zhí)行動物克隆或人工生殖。

諧振器,、濾波器等頻率控制裝置,，是決定通信設(shè)備性能的關(guān)鍵器件，壓電陶瓷在這方面具有明顯的優(yōu)越性,。它頻率穩(wěn)定性好，精度高及適用頻率范圍寬,，而且體積小,、不吸潮、壽命長,，特別是在多路通信設(shè)備中能提高抗干擾性,，使以往的電磁設(shè)備無法望其項背而面臨著被替代的命運。我們來看一種新型自行車減震控制器,，一般的減振器難以達到平穩(wěn)的效果,，而這種ACX減震控制器，通過使用壓電材料,，***提供了連續(xù)可變的減震功能,。一個傳感器以每秒50次的速率監(jiān)測沖擊活塞的運動，如果活塞快速動作，一般是由于行駛在不平地面而造成的快速沖擊,，這時需要啟動比較大的減震功能,；如果活塞運動較慢，則表示路面平坦,，只需動用較弱的減震功能,。可以說,，壓電陶瓷雖然是新材料,，卻頗具平民性。它用于高科技,，但更多地是在生活中為人們服務(wù),，創(chuàng)造美好的生活。

單精子顯微注射技術(shù)——解決因精子問題導(dǎo)致的不育癥在自然受孕過程中,，精子需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的生理反應(yīng),，包括頂體反應(yīng)、穿越透明帶等,，才能與卵子結(jié)合,。然而，當男性存在嚴重的少精子癥,、弱精子癥或畸形精子癥時,，這些自然過程可能無法順利完成，導(dǎo)致不育,。此時,，單精子顯微注射技術(shù)便成為了一種有效的解決方案。單精子顯微注射技術(shù)針對男性精子問題而設(shè)計,，也被稱為第二代試管嬰兒技術(shù),，其**在于通過顯微操作，將單個精子直接注入卵母細胞的胞漿內(nèi),，從而繞過自然受精過程中精子需要穿越卵子透明帶的障礙,。單精子顯微注射的操作過程即使用一根極細的顯微操作針，將經(jīng)過篩選的單個精子注入到卵母細胞的胞漿內(nèi),。這一過程需要極高的精確度和技巧,，以確保精子能夠成功進入卵子。受精成功后,，受精卵將被培養(yǎng)至早期胚胎階段,，并移植到母體子宮內(nèi)，以期實現(xiàn)妊娠,。PMM 6 MB-D-2中等力度輸出型號,，適用于ICSI,、ES細胞注射、活檢操作等,。

為什么具有“脆性卵膜”的卵子ICSI后容易退化,？如下：一、卵子成熟度不足,。卵子的成熟包括核成熟（以排出***極體為標志）以及胞質(zhì)成熟,，而胞質(zhì)成熟往往滯后于核成熟，兩者并不完全同步,。有對照研究表明,，脆性卵膜組的成熟卵細胞比例***低于正常破膜組，ICSI后卵子退化率也高于正常破膜組,，這提示了卵子成熟度與卵膜脆性具有一定的相關(guān)性,，并**終影響了卵子ICSI后是否存活。二,、雌***水平,。到目前為止，關(guān)于雌***水平對脆性卵膜的影響,，現(xiàn)有的研究結(jié)論并不一致,，但歸根到底仍然可能是通過影響卵子成熟來改變卵膜的特性。三,、ICSI機械操作,。一方面ICSI是侵襲性操作，可能破壞卵膜,、細胞骨架等細胞器,，另一方面是具有脆性卵膜的卵子缺乏“漏斗”的保護作用，細胞骨架和卵膜更容易在ICSI過程中崩解,。為避免脆性卵膜卵子ICSI后退化,，除了改善注射方式（如進針前利用激光穿透或削薄透明帶，操作盡可能輕柔等）,，還可采用改進的Piezo-ICSI（壓電脈沖破膜輔助ICSI）,，能有效改善注射后卵子退化的情況。此外,，在臨床促排卵方面，也可考慮調(diào)整藥物用量,，在保證卵泡大小均勻的情況下,，盡量推遲扳機時間，提高卵母細胞成熟度,，減輕ICSI后卵子退化的比例,，以盡可能保證ART***的效果。壓電破膜儀PMM 6用于RNA注射。美國Piezo Micro Manipulator壓電壓電注射

PRIME TECH PMM 用于小鼠ICSI,。壓電ICSI

在非晶方性晶體中,，施一外力使晶體變形，則由于晶格中電荷的移動造成晶體內(nèi)局部性不均勻電荷分布,，而產(chǎn)生一電位移,。電荷的位移是由于晶體內(nèi)部所有離子的移動，或者因為原子軌道上電子分布的變形而引起離子偏極化所造成,，這些電荷位移現(xiàn)象在所有材料中都存在,，可是要具有壓電效應(yīng)，則必須能在材料每單位體積中造成有效地凈的電雙極矩變化,。是否能有這種變化,，端視晶格結(jié)構(gòu)之對稱性而定。壓電現(xiàn)象理論**早是李普曼（Lippmann）在研究熱力學(xué)原理時就已發(fā)現(xiàn),，后來在同一年,，居里兄弟做實驗證明了這個理論，且建立了壓電性與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系,。1894年,，福克特（W.Voigt）更嚴謹?shù)囟ǔ鼍w結(jié)構(gòu)與壓電性的關(guān)系,，他發(fā)現(xiàn)32種晶類（class）可能具有壓電效應(yīng)（32類中不具有對稱中心的有21種,，其中一種壓電常數(shù)為零，其余20種都具有壓電效應(yīng)）,。壓電ICSI