GCSR-LDGCSR-LD（光柵耦合采樣反射激光二極管）是一種波長可大范圍調諧的LD,，其結構從左往右分別為增益,、耦合器、相位,、反射器區(qū)域,，改變其增益、耦合,、相位和反射器各個部分的注入電流,，就可改變其發(fā)射波長。此LD波長可調范圍約80nm,，可提供322個國際電信聯(lián)盟ITU-T建議的波長表內的波長,，已進行壽命試驗。MOEMS-LDMOEMS-LD（微光機電系統(tǒng)激光二極管）用靜電方式控制可移動表面設定或調整光學系統(tǒng)中物理尺寸,，進行光波的水平方向調諧,。采用自由空間微光學平臺技術，控制腔鏡位置實現(xiàn)F-P腔腔長的變化,，帶來60nm的可調諧范圍,。這種結構既可作可調諧光器件，也可用于半導體激光器集成,，構成可調諧激光器,。實現(xiàn)對破膜過程和后續(xù)細胞反應的高分辨率、長時間追蹤,，為深入理解細胞生物學過程提供更豐富的信息,。歐洲自動打孔激光破膜PGD

植入前遺傳學診斷（英文：preimplantation genetic diagnosis，PGD [2]）,，是在進行胚胎移植前,，從卵母細胞或受精卵中取出極體或從植入前階段的胚胎中取1~2個卵裂球或多個滋養(yǎng)層細胞進行特定的遺傳學性狀檢測，然后據(jù)此選擇合適的胚胎進行移植的技術 [2-3],。為2019年公布的計劃生育名詞。

應用情況近年來,，我國每年通過輔助生殖技術出生的嬰兒有數(shù)十萬,。胚胎植入前遺傳學診斷技術發(fā)展十分迅速。這項技術的廣泛應用,，也為將來把基因組編輯技術用于人類受精卵打下了基礎,?；蚪M編輯存在出現(xiàn)差錯的可能性，有可能會發(fā)生脫靶或造成胚胎嵌合等現(xiàn)象,。將來如果用于臨床,，對基因組編輯后的受精卵進行植入前遺傳學診斷是十分必要的 [2]。從卵母細胞或受精卵取出極體或從植入前階段的胚胎取1~2個卵裂球或多個滋養(yǎng)層細胞進行的特定遺傳學性狀檢測,，然后據(jù)此選擇合適的胚胎進行移植的技術,。 北京二極管激光激光破膜PGD還可用于精子制動，便于進行ICSI,，以及在胚胎植入前遺傳學診斷 / 篩查過程中,，對胚胎進行活檢取樣等操作。

產(chǎn)生激光的三個條件是：實現(xiàn)粒子數(shù)反轉,、滿足閾值條件和諧振條件,。產(chǎn)生光的受激發(fā)射的首要條件是粒子數(shù)反轉，在半導體中就是要把價帶內的電子抽運到導帶,。為了獲得粒子數(shù)反轉,，通常采用重摻雜的P型和N型材料構成PN結，這樣,，在外加電壓作用下,，在結區(qū)附近就出現(xiàn)了粒子數(shù)反轉—在高費米能級EFC以下導帶中貯存著電子，而在低費米能級EFV以上的價帶中貯存著空穴,。實現(xiàn)粒子數(shù)反轉是產(chǎn)生激光的必要條件,，但不是充分條件。要產(chǎn)生激光,，還要有損耗極小的諧振腔,，諧振腔的主要部分是兩個互相平行的反射鏡，***物質所發(fā)出的受激輻射光在兩個反射鏡之間來回反射,，不斷引起新的受激輻射,，使其不斷被放大。只有受激輻射放大的增益大于激光器內的各種損耗,，即滿足一定的閾值條件：P1P2exp（2G - 2A) ≥ 1（P1,、P2是兩個反射鏡的反射率，G是***介質的增益系數(shù),，A是介質的損耗系數(shù),，exp為常數(shù)），才能輸出穩(wěn)定的激光,。

二,、激光打孔技術在薄膜材料中的應用1.微孔加工在薄膜材料中，微孔加工是一種常見的應用場景。利用激光打孔技術,，可以在薄膜材料上形成微米級的孔洞,，滿足各種不同的應用需求。例如,，在太陽能電池板的生產(chǎn)中,，利用激光打孔技術可以在硅片表面形成微孔，提高太陽能的吸收效率,。在濾膜的制備中,，通過激光打孔技術可以制備出具有微孔結構的濾膜，實現(xiàn)對氣體的過濾和分離,。2.納米級加工隨著科技的發(fā)展,，納米級加工成為了薄膜材料加工的重要方向。激光打孔技術作為一種先進的加工手段,，在納米級加工中具有廣泛的應用前景,。通過精確控制激光束的能量和運動軌跡，可以在薄膜材料上形成納米級的孔洞,，實現(xiàn)納米級結構的制備,。這種加工方式可以顯著提高薄膜材料的性能，例如提高其力學性能,、光學性能和電學性能等,。3.特殊形狀孔洞的加工除了常規(guī)的圓形孔洞外，利用激光打孔技術還可以加工出各種特殊形狀的孔洞,。例如,，在柔性電子器件的制造中，需要將電路圖案轉移到柔性基底上,。利用激光打孔技術可以在柔性基底上加工出具有特殊形狀的孔洞,，從而實現(xiàn)電路圖案的轉移。這種加工方式可以顯著提高柔性電子器件的性能和穩(wěn)定性,。1480nm大功率Class 1安全激光,，脈沖1至3000微秒可調。

激光破膜儀的優(yōu)勢

1.提升胚胎發(fā)育潛能：激光破膜儀有助于囊胚克服孵化前的結構性阻力,，使胚胎內外的代謝產(chǎn)物和營養(yǎng)物質能夠順利交換,，從而提升胚胎的發(fā)育潛能。

2.節(jié)省胚胎能量：通過輔助孵出,，激光破膜儀降低了囊胚擴張和孵化所需的能量,，節(jié)省了活力較差的胚胎在孵化過程中的能量消耗，提高了移植成功的概率,。

3.促進胚胎與子宮內膜同步發(fā)育：激光破膜儀幫助胚胎提前孵化,，使其能夠更早地與子宮內膜接觸,，從而實現(xiàn)胚胎和子宮內膜的同步發(fā)育，更有助于妊娠成功,。激光破膜儀的適用情況激光破膜儀并非***適用，而是針對特定情況的一種輔助手段,。如反復種植失敗,、透明帶厚度超過15口m、女方年齡≥38歲等情況,，可以考慮實施輔助孵化,。然而，對于大部分群體而言,，并不需要輔助孵化,，也不會影響胚胎的著床成功率。 出廠前進行激光校準與鎖定,，使用中無需光路校準,。上海一體整合激光破膜輔助孵化

細胞在破膜后仍能保持較高的活性和正常的生理功能，有利于后續(xù)對細胞進行長期的觀察和研究,。歐洲自動打孔激光破膜PGD

物理結構是在發(fā)光二極管的結間安置一層具有光活性的半導體,，其端面經(jīng)過拋光后具有部分反射功能，因而形成一光諧振腔,。在正向偏置的情況下,，LED結發(fā)射出光來并與光諧振腔相互作用，從而進一步激勵從結上發(fā)射出單波長的光,，這種光的物理性質與材料有關,。在VCD機中，半導體激光二極管是激光頭的**部件之一,，它大多是由雙異質結構的鎵鋁砷(AsALGA)三元化合物構成的,，是一種近紅外半導體器件，波長為780～820 nm,，額定功率為3～5 mw,。另外，還有一種可見光(如紅光)半導體激光二極管,，也廣泛應用于VCD機以及條形碼閱讀器中,。激光二極管的外形及尺寸如圖11所示。其內部結構類型有三種,，如圖11所示,。歐洲自動打孔激光破膜PGD