在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中,，模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用，例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié),、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等,。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單,，但是依然有很多細(xì)節(jié)，需大家在采用的過(guò)程中留意,。所以,，在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開(kāi)始介紹根基的參數(shù)之前,，我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造,。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種，如圖1所示,。1）NFET,。2）NFET和PFET。3）隱含電荷泵的NFET,。三種架構(gòu)各有特征,，詳實(shí)的介紹,，可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔,。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真，但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的,。圖1MOSFET開(kāi)關(guān)構(gòu)造另外,，需留意的是，此處的MOSFET構(gòu)造,，S和D是對(duì)稱(chēng)的,，所以在功用上是可以交換的,，也因此，開(kāi)關(guān)是雙向的,，為了便于討論,，我們統(tǒng)一把S極作為輸入。二.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1）隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng)：當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí),，對(duì)于NMOS而言,，S級(jí)的電壓越高。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司,，有想法的可以來(lái)電咨詢(xún),！合肥八路模擬開(kāi)關(guān)板芯片

球活門(mén)球面上有一徑向盲孔和軸向通孔相通，形成一個(gè)通道,?？蛇x地，錐活門(mén)和球活門(mén)通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子連通,，實(shí)際包括：錐活門(mén)穿越球活門(mén)的軸向通孔并通過(guò)能軸向運(yùn)動(dòng)的***銷(xiāo)子與球活門(mén)連通,。可選地,，圓盤(pán)上設(shè)立限位孔,，限位孔的位置與輸出口的位置對(duì)應(yīng)?？蛇x地,，還包括設(shè)立在殼體上方的盲孔，盲孔中設(shè)立有有彈性構(gòu)件和鋼球,，彈性構(gòu)件的一端固定在盲孔底部,，彈性構(gòu)件的另一端與剛球連結(jié)?？蛇x地,，所述彈性構(gòu)件為彈簧。本發(fā)明的有益于功效：本發(fā)明的一種多路液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸開(kāi)關(guān),，具構(gòu)造連貫,、重量輕、集成度高,、可靠性高等優(yōu)點(diǎn),。可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)和按壓操縱桿可以實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)進(jìn)口和液體介質(zhì)的不同出口相通,，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)液體介質(zhì)從一個(gè)分系統(tǒng)向多個(gè)不同的分系統(tǒng)開(kāi)展液體介質(zhì)轉(zhuǎn)輸?shù)墓τ?。附圖說(shuō)明圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多路開(kāi)關(guān)的構(gòu)造圖。其中,，1輸入口2***螺帽3塑料墊圈4***密封圈5第二密封圈6第三密封圈7保護(hù)圈8***彈簧9***輸出口10螺絲11第四密封圈12第五密封圈13第二彈簧14彈簧套15鋼球16圓盤(pán)17操縱桿18第二銷(xiāo)子19第二螺帽20***銷(xiāo)子21襯環(huán)22第六密封圈23第七密封圈24管咀座25出**門(mén)26球活門(mén)27錐活門(mén)28殼體實(shí)際實(shí)施方法下面將結(jié)合本發(fā)明施行例中的附圖,。北京雙電源八路模擬開(kāi)關(guān)板問(wèn)題上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板,，有想法可以來(lái)我司咨詢(xún)！

優(yōu)于的渠道通道串?dāng)_也限度地減小干擾,。先斷后合機(jī)能兩部分掃除信號(hào)中斷期間的開(kāi)關(guān)從預(yù)防開(kāi)關(guān)同時(shí)啟用,。BL1532涵蓋應(yīng)用在VCC電源開(kāi)關(guān)上的I/O引腳特殊電路切斷電源（VCC=0），它容許裝置承受過(guò)電壓的條件,。這個(gè)設(shè)備是為了縮減電流消耗,，甚至當(dāng)支配電壓的SEL引腳是低比電源電壓（VCC）。特點(diǎn)：寬電源電壓范圍：,，低電容,，Ω阻力低（典型值）在3V電壓VSW=，高帶寬（-3dB）：>>從未C和C=5pF550MHz720MHz,，低功耗：1uA,。靜電放電8kVHBM測(cè)試：通過(guò)過(guò)電壓耐受（OVT）所有USB端口到。TTL/CMOS兼容,，先把開(kāi)關(guān)斷,，溫度范圍：40到85℃℃，封裝×.應(yīng)用領(lǐng)域：手機(jī),，PDA,，數(shù)碼相機(jī)，筆記本計(jì)算機(jī),，液晶顯示器,，電視，機(jī)頂盒深圳市天高微科技有限公司/深圳市天玖隆科技有限公司聯(lián)系人：歐陽(yáng)麗深圳市南山區(qū)高新南一道賦安科技大廈A棟301深圳市福田區(qū)中航路鼎城國(guó)際816強(qiáng)勢(shì)代理品牌：航天民芯禾芯微芯朋微嘉興禾潤(rùn)華晶友旺順芯芯海芯龍圣邦微芯地微納芯微思瑞浦拓微方泰芯聯(lián)微盟時(shí)代民芯瑞盟奧莉生屹晶微友達(dá)泰德矽力杰來(lái)頡LRC華太賽芯微維攀微安沛硅動(dòng)力芯景松木海威力芯微普芯達(dá)華潤(rùn)矽科錄華日晟微超銳微加爾發(fā)天微中微愛(ài)芯techpoint杭州鑫芯BCD分銷(xiāo)：博通,，合泰,，富士通，銳迪科,。

導(dǎo)通電阻更為大,，對(duì)于PMOS而言，S級(jí)的電壓越高,，導(dǎo)通電阻越發(fā)小,。圖3導(dǎo)通電阻隨輸入信號(hào)電壓變化的曲線(xiàn)2）導(dǎo)通電阻的阻值與溫度有關(guān)：當(dāng)VDD和VSS固定不變時(shí)，隨著溫度的升高,，導(dǎo)通電阻的曲線(xiàn)總體向上平移,。圖4導(dǎo)通電阻隨溫度轉(zhuǎn)變的曲線(xiàn)3）導(dǎo)通電阻的平坦度：On-resistanceflatness圖5On-resistanceflatness在一定的輸入電壓范圍內(nèi)，導(dǎo)通電阻的最大值與最小值的差稱(chēng)之為導(dǎo)通電阻的平坦度,，這個(gè)值越大,，解釋導(dǎo)通電阻的變化大幅度越大。(3).影響在這里,，我們通過(guò)一個(gè)仿真實(shí)例來(lái)觀察一下導(dǎo)通電阻及平坦度對(duì)于系統(tǒng)的影響,，如圖6。為了更容易地觀察到影響,，我們選項(xiàng)設(shè)立R1和R2為100Ω,。圖6MUX36S08仿真電路圖7輸入及輸出波形從仿真的結(jié)果我們可以看出：1）輸出電壓并不是我們輸入電壓乘以放大百分比后的結(jié)果，這是因?yàn)橛袑?dǎo)通電阻的存在,。2）輸出電壓隨輸入電壓的并不是線(xiàn)性聯(lián)系,，這是因?yàn)镽on隨著Vin在變動(dòng)，會(huì)在輸出端引入非線(xiàn)性誤差,。所以,，Ron的平坦度越小，輸出的非線(xiàn)性誤差越小,。2.漏電流Leakagecurrent(1).概念1)Sourceoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí),，從源極注入或流出的電流叫作Is(off)，如圖8,。2)Drainoff-leakagecurrent:在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí),，從漏極注入或流出的電流稱(chēng)作Id。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司 八路模擬開(kāi)關(guān)板服務(wù)值得放心,。

5,、接線(xiàn)安放通孔；6,、盒蓋拉動(dòng)瓣,；7、進(jìn)氣孔,；8,、出氣孔；9,、l型限位塊,；10、靜鐵芯,；11,、防落罩限位塊；12,、動(dòng)鐵芯,；13、伸縮連接柱,；14,、拉動(dòng)扣環(huán)；15,、連接柱置于槽,；16,、線(xiàn)圈；17,、活動(dòng)連接塊,；18、彈簧,；19,、伸縮管；20,、固定柱,；21、***流通閥,；22,、第二流通閥；23,、***密封塊,；24、第二密封塊,；25,、***堵氣塊；26,、***堵氣限位塊,；27、第二堵氣塊,；28,、第二堵氣限位塊；29,、防落罩,；30、海綿圓套,；31,、橡膠圓套；32,、氣管放到槽,。實(shí)際實(shí)施方法下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案展開(kāi)明了,、完整地描述,，顯然，所敘述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)行例，而不是全部的實(shí)施例,。請(qǐng)參閱圖1-3,，本實(shí)用新型提供的一種實(shí)施例：一種多路開(kāi)關(guān)電磁閥，包括開(kāi)關(guān)電磁閥閥體1,，開(kāi)關(guān)電磁閥閥體1的下端設(shè)立有***流通閥21,，***流通閥21的下方設(shè)立有第二流通閥22,，且第二流通閥22與***流通閥21密封連接,，***流通閥21的兩邊和第二流通閥22的兩邊分別設(shè)立有進(jìn)氣孔7和出氣孔8，進(jìn)氣孔7和出氣孔8的一側(cè)均設(shè)立有防落罩29,，防落罩29的設(shè)可以有效性防范氣管與進(jìn)氣孔7和出氣孔8分開(kāi),，防落罩29與進(jìn)氣孔7和出氣孔8通過(guò)l型限位塊9固定連結(jié)。八路模擬開(kāi)關(guān)板,，就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,，歡迎客戶(hù)來(lái)電！安徽單片機(jī)八路模擬開(kāi)關(guān)板芯片

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MUX輸出就會(huì)需一定的時(shí)間來(lái)平穩(wěn)。對(duì)于一個(gè)N-bit的ADC：K實(shí)際上是**RC電路中,，電壓抵達(dá)目標(biāo)誤差以?xún)?nèi)時(shí)所需的時(shí)間常數(shù)的數(shù)目,，例如10-bitaccuracy(LSB%FS=),K=-ln()=。接下來(lái)用一個(gè)仿真來(lái)說(shuō)明這種現(xiàn)象：為了更明顯地觀察到這種現(xiàn)象,，在Vout端加入一個(gè)電容C1,，可以了解為增加了CD，也可以了解為負(fù)載電容和CD的并聯(lián),。圖14OnCapacitance對(duì)輸出影響的仿真示例電路當(dāng)C1=50pF時(shí),，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較大，需更長(zhǎng)時(shí)間安定,，所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之后,，輸出電壓依然從未安定到信號(hào)源的電壓。圖15C1=50pF仿真結(jié)果當(dāng)C1=10pF時(shí),，整個(gè)回路的時(shí)間常數(shù)較小,，需較短時(shí)間平穩(wěn)，所以在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通20uS之內(nèi),，輸出電壓安定到了信號(hào)源的電壓,。圖16C1=10pF仿真結(jié)果2.流入電荷ChargeInjection(1).概念流入電荷指的是從控制端EN耦合至輸出端的電荷。(2).影響因?yàn)樵陂_(kāi)關(guān)導(dǎo)通的通道上,，不夠損耗這部分電荷的通道,，所以當(dāng)這部分電荷注入漏極電容和輸出電容上時(shí)，會(huì)在輸出產(chǎn)生一個(gè)電壓誤差。圖17ChargeInjection過(guò)程示意圖過(guò)程如下：當(dāng)在EN端有一個(gè)階躍信號(hào)時(shí),，這個(gè)階躍電壓會(huì)通過(guò)柵極和漏極之間的寄生電容CGD,，耦合至輸出端，輸出電壓的改變?nèi)Q流入電荷QINJ,，CD和CL,。所以，當(dāng)流入的電荷越小時(shí),。合肥八路模擬開(kāi)關(guān)板芯片