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重慶電路板八路模擬開(kāi)關(guān)板現(xiàn)貨

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-02

在測(cè)試測(cè)量相關(guān)應(yīng)用中,,模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器具有十分普遍的應(yīng)用,,例如運(yùn)放的增益調(diào)節(jié),、ADC分時(shí)收集多路傳感器信號(hào)等等,。雖然它的機(jī)能很簡(jiǎn)單,但是依然有很多細(xì)節(jié),,需大家在采用的過(guò)程中留意,。所以,,在這里為大家介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本參數(shù)。在開(kāi)始介紹根基的參數(shù)之前,,我們有必要介紹一下模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器的基本單元MOSFET開(kāi)關(guān)的基本構(gòu)造,。一.MOSFET開(kāi)關(guān)的架構(gòu)MOSFET開(kāi)關(guān)常見(jiàn)的架構(gòu)有3種,如圖1所示,。1)NFET。2)NFET和PFET,。3)隱含電荷泵的NFET,。三種架構(gòu)各有特征,詳實(shí)的介紹,,可以參看《TIPrecisionLabs-SwitchesandMultiplexers》培訓(xùn)視頻和《SelectingtheRightTexasInstrumentsSignalSwitch》應(yīng)用文檔,。本文主要基于NFET和PFET架構(gòu)進(jìn)行介紹和仿真,但是關(guān)乎到的定義在三種架構(gòu)中都是適用的,。圖1MOSFET開(kāi)關(guān)構(gòu)造另外,,需留意的是,此處的MOSFET構(gòu)造,,S和D是對(duì)稱(chēng)的,,所以在功用上是可以交換的,也因此,,開(kāi)關(guān)是雙向的,,為了便于討論,我們統(tǒng)一把S極作為輸入,。二.模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器直流參數(shù)介紹1.導(dǎo)通電阻OnResistance(1).概念圖2OnResistance概念(2).特征1)隨輸入信號(hào)電壓而變動(dòng):當(dāng)芯片的供電電壓固定時(shí),,對(duì)于NMOS而言,S級(jí)的電壓越高,。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板的公司,,歡迎新老客戶來(lái)電!重慶電路板八路模擬開(kāi)關(guān)板現(xiàn)貨

Note7)VDD=15VIINInputCurrent輸入電流VDD?VSS=15VVDD≥VIS≥VSSVDD≥VC≥VSS??10?5??μA10?5ACElectricalCharacteristics交流電氣屬性:Symbol符號(hào)Parameter參數(shù)Conditions條件**小典型**大Units單位tPHL,tPLHPropagationDelayTimeSignalInputtoSignalOutput信號(hào)輸入到信號(hào)輸出傳遞延遲時(shí)間VC=VDD,CL=50pF,(Figure1)RL=200kVDD=5V2555nsVDD=10V1535VDD=15V1025tPZH,tPZLPropagationDelayTimeControlInputtoSignalOutputHighImpedancetoLogicalLevelRL=Ω,CL=50pF,(Figure2,Figure3)VDD=5V125nsVDD=10V60VDD=15V50tPHZ,tPLZPropagationDelayTimeControlInputtoSignalOutputLogicalLeveltoHighImpedanceSineWaveDistortionFrequencyResponse-Switch“ON”(Frequencyat?3dB)RL=Ω,CL=50pFVDD=5V125nsVDD=10V60VDD=15V50VC=VDD=5V,VSS=?5VRL=10kΩ,VIS=5Vp-p,f=1kHz,(Figure4)%VC=VDD=5V,VSS=?5V,RL=1kΩ,VIS=5Vp-p,20Log10VOS/VOS(1kHz)?dB,(Figure4)40MHzFeedthrough—Switch“OFF”(Frequencyat?50dB)CrosstalkBetweenAnyTwoSwitches(Frequencyat?50dB)Crosstalk;ControlInputtoSignalOutputMaximumControlInputVDD=?Ω,VIS=?50dB,(Figure4)VDD=VC(A)=,。南京雙電源八路模擬開(kāi)關(guān)板應(yīng)用介紹八路模擬開(kāi)關(guān)板,,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,讓您滿意,,歡迎您的來(lái)電哦,!

輸入信號(hào)從信號(hào)輸入端b傳輸至信號(hào)輸出端y。傳統(tǒng)的模擬開(kāi)關(guān)電路100在電源電壓掉電時(shí)可能具有信號(hào)泄露的風(fēng)險(xiǎn),。以模擬開(kāi)關(guān)101為例,,開(kāi)關(guān)管mp1的源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都存在寄生二極管,如果電源電壓掉電時(shí)信號(hào)輸入端a的輸入信號(hào)的電壓大于寄生二極管的正向?qū)妷簳r(shí),,開(kāi)關(guān)管mp1的寄生二極管將正向?qū)?,形成信?hào)輸入端a到電源電壓vcc的漏電流,。如果電源電壓掉電時(shí)該輸入信號(hào)的電壓大于開(kāi)關(guān)管mp1的導(dǎo)通閾值,此時(shí)開(kāi)關(guān)管mp1的柵源電壓大于晶體管的導(dǎo)通閾值,,開(kāi)關(guān)管mp1將導(dǎo)通,,形成信號(hào)輸入端a到信號(hào)輸出端y之間的通路,造成信號(hào)的泄露,。圖2示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的一種模擬開(kāi)關(guān)電路的電路示意圖,。如圖2所示,模擬開(kāi)關(guān)電路200包括模擬開(kāi)關(guān)201和掉電保護(hù)電路202,。掉電保護(hù)電路202包括晶體管m1至m4以及電阻r1和電阻r2,。晶體管m1的漏極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接,源極與電阻r1連接,,電阻r1的另一端連接至信號(hào)輸入端a,。晶體管m1的柵極與電阻r2的一端連接,電阻r2的另一端連接至電源電壓vcc,。晶體管m2和晶體管m3依次串聯(lián)連接在晶體管m1和電阻r1的中間節(jié)點(diǎn)與地之間,。晶體管m4的漏極與開(kāi)關(guān)管mp1的襯底連接,源極與晶體管m1和電阻r2的中間節(jié)點(diǎn)連接,。

在輸出端引入的誤差會(huì)越小,。但同時(shí),要注意到,,流入電荷是一個(gè)與供電電壓,、輸入信號(hào)都有關(guān)的一個(gè)參數(shù)。因此,,當(dāng)輸入信號(hào)的電壓在變動(dòng)時(shí),,會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)非線性的誤差。所以在選在MUX時(shí),,除了要留意chargeinjection的值以外,,也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細(xì)模擬多路復(fù)用器用到特別的電荷流入掃除電路,,可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時(shí)降至pC,,在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)降至pC。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當(dāng)開(kāi)關(guān)敞開(kāi)時(shí),,在漏極的輸出刪除至源極輸入衰減3dB時(shí)的頻率,,如圖20所示。圖20帶寬概念(2).計(jì)算方式圖21簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型為了簡(jiǎn)化分析,,我們忽視RS和CS,。根據(jù)圖21中的阻容網(wǎng)絡(luò),我們可以寫(xiě)出該電路的傳遞函數(shù):其中,,3dBcutofffrequency:根據(jù)這個(gè)公式,,結(jié)合MUX和載荷的參數(shù),,我們就可以算出來(lái)在當(dāng)前條件下MUX的帶寬了。4.通道間串?dāng)_ChanneltoChannelcrosstalk(1).概念圖22通道間串?dāng)_示意圖通道間串?dāng)_概念為當(dāng)已知信號(hào)強(qiáng)加到導(dǎo)通通道的源極引腳時(shí),,在截止通道的源極引腳上出現(xiàn)的電壓,。。八路模擬開(kāi)關(guān)板,,就選上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司,,用戶的信賴(lài)之選,歡迎新老客戶來(lái)電,!

在輸出端引入的誤差會(huì)越小,。但同時(shí),要注意到,,流入電荷是一個(gè)與供電電壓、輸入信號(hào)都有關(guān)的一個(gè)參數(shù),。因此,,當(dāng)輸入信號(hào)的電壓在轉(zhuǎn)變時(shí),會(huì)在輸出端產(chǎn)生一個(gè)非線性的誤差,。所以在選在MUX時(shí),,除了要留意chargeinjection的值以外,也要留意chargeinjection在輸入范圍內(nèi)的平坦度,。圖18MUX36S08chargeinjection曲線TMUX6104精細(xì)模擬多路復(fù)用器采用特別的電荷流入掃除電路,,可將源極-漏極電荷流入在VSS=0V時(shí)降至pC,在整個(gè)信號(hào)范圍內(nèi)降至pC,。圖19TMUX6104ChargeInjection曲線3.帶寬Bandwidth(1).概念當(dāng)開(kāi)關(guān)開(kāi)啟時(shí),,在漏極的輸出刪除至源極輸入衰減3dB時(shí)的頻率,如圖20所示,。圖20帶寬概念(2).計(jì)算方式圖21簡(jiǎn)化的MUX內(nèi)部的開(kāi)關(guān)模型為了簡(jiǎn)化分析,,我們忽視RS和CS。根據(jù)圖21中的阻容網(wǎng)絡(luò),,我們可以寫(xiě)出該電路的傳遞函數(shù):其中,,3dBcutofffrequency:根據(jù)這個(gè)公式,結(jié)合MUX和載荷的參數(shù),,我們就可以算出來(lái)在當(dāng)前條件下MUX的帶寬了,。4.通道間串?dāng)_ChanneltoChannelcrosstalk(1).概念圖22通道間串?dāng)_示意圖通道間串?dāng)_概念為當(dāng)已知信號(hào)強(qiáng)加到導(dǎo)通通道的源極引腳時(shí),在截止通道的源極引腳上出現(xiàn)的電壓,。,。上海金樽自動(dòng)化控制科技有限公司為您提供 八路模擬開(kāi)關(guān)板,有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦,!山東控制八路模擬開(kāi)關(guān)板功能

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動(dòng)鐵芯12會(huì)帶活動(dòng)連接塊17同時(shí)向上動(dòng)作,,活動(dòng)連接塊17讓***堵氣塊25和***堵氣限位塊26緊密相貼,同時(shí)也讓第二堵氣塊27和第二堵氣限位塊28分開(kāi),,此時(shí)***流通閥21閉合,,第二流通閥22導(dǎo)通,且通過(guò)第二密封塊24的動(dòng)作,,不讓氣體混雜,,當(dāng)該種多路開(kāi)關(guān)電磁閥內(nèi)部電路出現(xiàn)故障時(shí),可以握住拉動(dòng)扣環(huán)14,,根據(jù)自己的需來(lái)拉動(dòng)拉動(dòng)扣環(huán)14即可調(diào)節(jié),。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),,而且在不背道而馳本實(shí)用新型的精神上或基本特性的狀況下,,能夠以其他的實(shí)際形式實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。因此,,無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看,,均應(yīng)將施行例視作是示范性的,而且是非限制性的,,本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述解釋限定,,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的意思和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本實(shí)用新型內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所關(guān)乎的權(quán)利要求,。重慶電路板八路模擬開(kāi)關(guān)板現(xiàn)貨

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