國產(chǎn)電平轉(zhuǎn)換芯片匹配問題：TTL和CMOS的邏輯電平按典型電壓可分為四類：,、,、,、5V系列（包括5V-TTL/CMOS）,。5V-TTL與5V-CMOS為通用邏輯電平,。,。電平相關(guān)模式和要求介紹：①輸入低電平Vil：邏輯門輸入為低電平時(shí),保證所允許比較大輸入低電平,當(dāng)輸入電平低于Vil時(shí),則認(rèn)為輸入為低電平,。②輸入高電平Vih：邏輯門輸入為高電平時(shí),保證所允許比較小輸入高電平,。當(dāng)輸入電平高于Vih時(shí),則認(rèn)為輸入為高電平。③輸出低電平Vol：保證邏輯門輸出為低電平時(shí)的輸出電平之比較大值,邏輯門輸出為低電平時(shí)的電平值都必須小于此Vol,。④輸出高電平Voh：保證邏輯門輸出為高電平時(shí)的輸出電平之最小值,門輸出為高電平時(shí)的電平值都必須大于此Voh,。⑤閥值電平Vt：數(shù)字電路芯片閾值電平是一個(gè)界于Vil/Vih之間的電壓值。CMOS閾值電平,約為1/2電源電壓值,如需輸出之穩(wěn)定,則要求輸入高電平>Vih,輸入低電平,。江蘇潤石RS0202替換TI-TXB0102,；Nexperia-NLSX3012，ON-NXB0102,NLSX5002,，NLSX5012.汽車電子.電平轉(zhuǎn)換,運(yùn)放,比較器,模擬開關(guān),電壓基準(zhǔn)源,。 電壓電平轉(zhuǎn)換芯片江蘇潤石電平轉(zhuǎn)換芯片國產(chǎn)替代。江蘇車輛控制單元VCU芯片潤石芯片供應(yīng)商

    汽車電子功率晶體管（GTR）應(yīng)用：功率晶體管是一種高反壓雙極性大功率電子元器件,曾稱為電力晶體管,。具有飽和壓降低,、有自關(guān)斷能力、開關(guān)時(shí)間短,、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)已提供功率晶體管組合器件,如單片達(dá)林頓晶體管,或功率晶體管模塊。功率晶體管組合器件在直流脈寬調(diào)速和交流矢量控制的PWM調(diào)速中廣為應(yīng)用,。某公司GTR模塊的三種類型：①Z系列：開關(guān)時(shí)間縮短,、耐受較大的短路電流。②M系列：具有高放大倍數(shù),。③ZP/ZN系列：短引線,、簡單的緩沖電路,可匹配基極驅(qū)動電路模塊。應(yīng)用廣：①作為放大器,用于電源串聯(lián)調(diào)壓電路,音頻和超聲波放大等,。②作為大功率半導(dǎo)體開關(guān),、電機(jī)控制、不停電電源,、汽車電子,。③GTR模塊,用于交流傳動、逆變器,、開關(guān)電源,。△拓展-GTR:電力晶體管,。耐高電壓,、大電流,。雙極結(jié)型晶體管。在電力電子技術(shù)中,GTR與BJT這兩個(gè)名稱等效,。主要特性：大電流,、高耐壓、開關(guān)特性好,。常用兩個(gè)以上的電力晶體管,按達(dá)林頓模式組成單元,。 廣州新能源芯片潤石芯片解決方案模擬芯片能支持新能源的哪些應(yīng)用?。

    通信芯片國產(chǎn)替換---以太網(wǎng)百兆PHY芯片RPC8201F：以太網(wǎng)PHY芯片是一種鏈接外界信號的通信接口芯片,。通信芯片是網(wǎng)卡中的主核芯片,這個(gè)通信芯片的性能對網(wǎng)卡的層級起到?jīng)Q定性的作用,。通信芯片集成了多種功能,如信號識別,調(diào)制解調(diào),電源管理等。網(wǎng)卡構(gòu)造中,物理層主定義數(shù)據(jù)收發(fā),并向數(shù)據(jù)鏈路層提供標(biāo)準(zhǔn)接口,。在以太網(wǎng)卡中,，物理層通信芯片被稱為PHY,數(shù)據(jù)鏈路層通信芯片則稱為MAC控制器。這是一款國產(chǎn)PHY通信芯片,，簡介如下：以太網(wǎng)百兆PHY芯片——RPC8201F：品牌：RPCOM,，型號：RPC8201F，品類：以太網(wǎng)通信芯片,。電源電壓：,，工作溫度：-20C--90C，規(guī)格：長,，寬：,，高：。汽車電子.電平轉(zhuǎn)換器.運(yùn)算放大器.比較器.模擬開關(guān).電壓基準(zhǔn)源.邏輯芯片.通信芯片接口串口芯片國產(chǎn)替代方案支持詳情點(diǎn)入,。

    汽車電子之高性能碳化硅場效應(yīng)晶體管新工藝：碳化硅（SiC）是電力電子中重要的半導(dǎo)體材料之一,，在汽車電子、電力等領(lǐng)域廣為應(yīng)用,。SiCMOSFET的技術(shù)瓶頸是其柵氧層界面質(zhì)量差導(dǎo)致溝道遷移率低?，F(xiàn)國內(nèi)科研團(tuán)隊(duì)提出一種用低溫超臨界二氧化碳，或超臨界一氧化二氮流體的低溫退火工藝,。以提高4H-SiCMOSFET中4H-SiC/SiO2界面的質(zhì)量,。通過增壓，二氧化碳和一氧化二氮在接近室溫時(shí)更容易進(jìn)入超臨界流體狀態(tài),。SCF態(tài)是物質(zhì)的一種特殊相,，它具有氣體一樣的高滲能力和液體一樣的高溶度，幾無表面張力,。因此可將SCCO2或SCN2O流體引入界面來減小陷阱,，而不會造成新的損傷。該研究成果不僅實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量SiO2/SiC界面,、高的溝道遷移率和介電可靠性,，更可喜的是，其高效低溫退火工藝與標(biāo)準(zhǔn)SiCMOSFET制造工藝兼容,，為制備高性能SiCMOSFET器件提供了新的有效方法,，方便用于商用器件和汽車電子器件的制備。上述研究成果論文在第67屆電氣電子工程師學(xué)會（IEEE）國際電子器件會議上發(fā)表,。獲國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃,、國家自然科學(xué)基金等支持。 信息技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)系列芯片國產(chǎn)替換,。

    IGBT怎樣應(yīng)用于汽車電子：IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,，是復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率器件,兼有MOSFET高輸入阻抗和GTR（功率晶體管）低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。其特點(diǎn)：高輸入阻抗,，可采用通用型低成本的驅(qū)動電路,。高速開關(guān)特性，導(dǎo)通狀態(tài)低損耗,。IGBT驅(qū)動功率小而飽和壓降低,，適于中大功率電力電子應(yīng)用，綜合優(yōu)勢明顯,，尤適用于直流電壓600V或以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、牽引傳動等,。IGBT是能源轉(zhuǎn)換傳輸?shù)闹髌骷请娏﹄娮釉O(shè)備的內(nèi)核,。IGBT是一種大功率的電力電子系統(tǒng)中理想的開關(guān),，特點(diǎn)為高壓、高速,、大電流,。使用IGBT進(jìn)行功率變換，能提高用電效能,，綠色環(huán)保,，是節(jié)能減排重要技術(shù)之一。IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣,，如新能源汽車電子,，工控變頻，家電變頻,，軌道交通,，風(fēng)力光伏發(fā)電等。IGBT在汽車電子中是主核部件：例如–汽車電控系統(tǒng),；大功率直交流逆變,；汽車電機(jī),；空調(diào)；小功率直交流逆變（采用電流較小的IGBT等）,。在智能充電樁中,，IGBT作為開關(guān)器件使用。 空調(diào)解決方案國產(chǎn)芯片替換,。江蘇車輛控制單元VCU芯片潤石芯片供應(yīng)商

電動汽車車輛控制單元VCU汽車電子國產(chǎn)替換,。江蘇車輛控制單元VCU芯片潤石芯片供應(yīng)商

    工業(yè)控制之國產(chǎn)鉗表芯片解決方案介紹：鉗表是用于測量電氣線路中電流大小的儀表，可在不斷電的情況下進(jìn)行測量,。鉗表的構(gòu)造,，是由一個(gè)電流互感器和鉗形扳手，以及整流式磁電系有反作用力的儀表所組成,。鉗表也有人稱為卡鉗表,，是一種用于測量交直流電流的儀表，能用于對電流非接觸式測量,，而無需破壞電路和斷開電源,。電流卡鉗表應(yīng)用很廣，電力,、電氣,、工業(yè)控制、生產(chǎn)制造,、科研等領(lǐng)域都能應(yīng)用,。具有使用安全方便、準(zhǔn)確的優(yōu)點(diǎn),，成為電子電力領(lǐng)域常用的測試計(jì)量工具,。電流鉗表芯片和方案支持國產(chǎn)潤石工控嵌表方案：RS857/8,RS2057,RS3226,RS3236。附錄：國產(chǎn)汽車電子運(yùn)算放大器RS721/2/4P-Q1,、RS8551-Q1,RS8412/4-Q1比較器RS331-Q1,RS393-Q1,LM2901-Q1,LM2903-Q1電壓基準(zhǔn)源LM2903-Q1,RS431-Q1電平轉(zhuǎn)換芯片RS0108,RS0204邏輯芯片RS4G00,RS4G08,RS1G08,RS1G17,RS1G125,。汽車電子。 江蘇車輛控制單元VCU芯片潤石芯片供應(yīng)商