肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD）,，它屬一種低功耗,、超高速半導(dǎo)體器件,。特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航悼梢缘椭?。其多用作高頻,、低壓、大電流整流二極管,、續(xù)流二極管,、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD）,，它屬一種低功耗,、超高速半導(dǎo)體器件,。在通訊電源、變頻器等中比較常見,。供參考,。電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用,。在通訊電源,、變頻器等中比較常見。肖特基（Schottky）二極管的特點(diǎn)是正向壓降VF比較小,。在同樣電流的情況下,，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短,。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低,，漏電流稍大些。選用時(shí)要細(xì)致考慮,。 MBR10150CT是什么類型的管子？湖北肖特基二極管MBRF20200CT

    穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管,，英文名稱Zenerdiode,，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件,。在這臨界擊穿點(diǎn)上,，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,，因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用,。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多,，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時(shí),，反向電阻很大，反向漏電流極小,。但是,，當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時(shí)，反向電流驟然增大,，稱為擊穿,，在這一臨界擊穿點(diǎn)上,，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變化,，而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近,，從而實(shí)現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的,，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,。TO220F封裝的肖特基二極管MBRF30200CTMBR30150CT是什么類型的管子,？

    由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低）,。肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。穩(wěn)壓二極管,，英文名稱Zenerdiode,，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。［1］此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件,。在這臨界擊穿點(diǎn)上,，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,，因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用,。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來以便在較高的電壓上使用,，通過串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管與肖特基二極管的區(qū)別在于：肖特基二極管正向?qū)妷汉艿?，只有,，反向在擊穿電壓之前不?huì)導(dǎo)通，起到快速反應(yīng)開關(guān)的作用,。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀ǘ?jí)管一樣約為,，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達(dá)到臨界電壓的條件下會(huì)處于導(dǎo)通的狀態(tài),，電壓也不再升高,，所以用在重要元器件上，起到穩(wěn)壓作用,。

    快恢復(fù)二極管是指反向回復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下）,，工藝上多使用摻金措施,，構(gòu)造上有使用PN結(jié)型構(gòu)造，有的使用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu),。其正向壓降大于一般而言二極管（）,，反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分成快回復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí),。前者反向回復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長,，后者則在100ns(納秒)以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體觸及形成的勢壘為根基的二極管,，簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode）,，兼具正向壓減低（）、反向回復(fù)時(shí)間很短（2-10ns納秒）,，而且反向漏電流較大,，耐壓低，一般小于150V,，多用以低電壓場合,。肖特基二極管和快回復(fù)二極管差別：前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右，前者的反向恢復(fù)時(shí)間大概為幾納秒,！前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,，大電流，超高速,！電屬性當(dāng)然都是二極管！快恢復(fù)二極管在制造工藝上使用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在逆變電源中做整流元件.肖特基二極管：反向耐壓值較低(一般低于150V）,，通態(tài)壓降,，低于10nS的反向恢復(fù)時(shí)間。它是有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管,。其正向起始電壓較低,。其金屬層除材質(zhì)外，還可以使用金,、鉬,、鎳、鈦等材質(zhì),。肖特基二極管有哪些優(yōu)缺點(diǎn),？

    在高溫下能夠穩(wěn)定的工作，它在功率器件領(lǐng)域很有應(yīng)用前景,。目前國際上報(bào)道的幾種結(jié)構(gòu)：UMOS,、VDMOS、LDMOS,、UMOSACCUFET,，以及SIAFET等,。2008年報(bào)道的雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS，具有1550V阻斷電壓.[1]碳化硅肖特基二極管2碳化硅肖特基二極管SBD在導(dǎo)通過程中沒有額外載流子的注入和儲(chǔ)存,，因而反向恢復(fù)電流小,，關(guān)斷過程很快，開關(guān)損耗小,。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管,，由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大，硅的肖特基勢壘較低,，硅SBD的反向漏電流偏大,，阻斷電壓較低，只能用于一二百伏的低電壓場合且不適合在150℃以上工作,。然而,，碳化硅SBD彌補(bǔ)了硅SBD的不足，許多金屬,，例如鎳,、金、鈀,、鈦,、鈷等，都可以與碳化硅形成肖特基勢壘高度1eV以上的肖特基接觸,。據(jù)報(bào)道,，Au/4H-SiC接觸的勢壘高度可達(dá)到eV，Ti/4H-SiC接觸的勢壘比較低,，但也可以達(dá)到eV,。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢壘高度變化比較寬，低至eV,，高可達(dá)eV,。于是，SBD成為人們開發(fā)碳化硅電力電子器件首先關(guān)注的對(duì)象,。它是高壓快速與低功率損耗,、耐高溫相結(jié)合的理想器件。目前國際上相繼研制成功水平較高的多種類的碳化硅器件,。[1]SiC肖特基勢壘二極管在1985年問世,，是Yoshida制作在3C-SiC上的。MBR3045CT是什么類型的管子,？ITO220封裝的肖特基二極管MBRB2045CT

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    6、肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管",，是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的,。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小,、反之結(jié)電容增大，變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小,，其值為幾十皮法到幾百皮法,，區(qū)容與電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧,、調(diào)頻,、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容,。當(dāng)外加順向偏壓時(shí),，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負(fù)極）結(jié)的耗盡區(qū)變窄,，電容變大,，產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng)；當(dāng)外加反向偏壓時(shí),，則會(huì)產(chǎn)生過渡電容效應(yīng),。但因加順向偏壓時(shí)會(huì)有漏電流的產(chǎn)生，所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓,。肖特基二極管應(yīng)用SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓,、大電流輸出場合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段,、C波段,、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位,。在IC中也常使用SBD,，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被采用,。除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗,，一般在200Ω～600Ω之間）,、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數(shù)等。湖北肖特基二極管MBRF20200CT