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浙江快恢復(fù)二極管MUR2040CA

來源: 發(fā)布時間:2024-01-11

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    一種用以逆變焊機電源及各種開關(guān)電源的二極管,尤其是關(guān)乎一種非絕緣雙塔型二極管模塊,。背景技術(shù):非絕緣雙塔結(jié)構(gòu)二極管是一種標(biāo)準(zhǔn)化外形尺碼的模塊產(chǎn)品,,由于產(chǎn)品外形簡便、成本低,,適用范圍廣,。而目前公開的非絕緣雙塔型二極管模塊,見圖i所示,由二極管芯片3',、底板r,、帶螺孔的主電極銅塊5'以及外殼9,組成,,二極管芯片3'的上下面分別通過上鉬片2',、下鉬片4'與底板l'和主電極銅塊5'固定連接,主電極銅塊5'與外殼9'和底板r之間用環(huán)氧樹脂灌注,,在高溫下固化將三者固定在一起,。由于主電極為塊狀構(gòu)造,故底板,、二極管芯片,、主電極之間均為硬連接。在長期工作運行過程中,,由于二極管芯片要經(jīng)受機器振動,、機器應(yīng)力以及熱應(yīng)力等因素的影響,使得二極管內(nèi)部的半導(dǎo)體二極管芯片也產(chǎn)生機器應(yīng)力,。因與二極管芯片連接的材質(zhì)不同其熱膨脹系數(shù)也不同,,又會使二極管芯片產(chǎn)生熱應(yīng)力,一旦主電極時有發(fā)生松動,,就會引致二極管芯片的碎裂,。常規(guī)非絕緣雙塔型二極管模塊在安裝過程中是將底板安裝在散熱器上,然后將另一電極用螺絲安裝在主電極銅塊上,,主電極所經(jīng)受的外力一部分力直接效用到二極管芯片上,,會使二極管芯片背負(fù)外力而傷害,引致二極管特點變壞,,下降工作可靠性,。TO220F封裝的快恢復(fù)二極管MUR1060MUR3020PD是什么類型的管子?

    電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路,,它是電力電子器件的一種重要的保護(hù)電路,,不僅用于半控型器件的保護(hù),而且在全控型器件(如GTR,、GTO,、功率MOSFET和IGBT等)的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用。晶閘管開通時,,為了防止過大的電流上升率而燒壞器件,,往往在主電路中串入一個扼流電感,以限制過大的di/dt,,串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路,,或稱串聯(lián)緩沖電路,。晶閘管關(guān)斷時,電源電壓突加在管子上,,為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率,,以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結(jié)電容電流而誤觸發(fā),需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個RC網(wǎng)絡(luò),,構(gòu)成關(guān)斷緩沖電路,,或稱并聯(lián)緩沖電路。IGBT的緩沖電路功能更側(cè)重于開關(guān)過程中過電壓的吸收與抑制,,這是由于IGBT的工作頻率可以高達(dá)30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt,,從而產(chǎn)生過電壓,危及IGBT的安全,。PWM逆變器中IGBT在關(guān)斷和開通中的uCE和iC波形,。在iC下降過程中IGBT上出現(xiàn)了過電壓,其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加,。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復(fù)的二極管,,電容必須是高頻、損耗小,,頻率特性好的薄膜電容,。這樣才能取得好的吸收效果。

    所述容納腔的內(nèi)部也填入有冰晶混合物,。所述散熱桿至少設(shè)有四根,。所述金屬材質(zhì)為貼片或者銅片中的一種,所述封裝外殼的表面涂覆有絕緣涂層,。所述絕緣涂層包括電隔離層和粘合層,,所述粘合層涂覆在封裝外殼的外表面,,所述電隔離層涂覆在所述粘合層的外表面,,所述電隔離層為pfa塑料制成的電隔離層,所述電隔離層為單層膜結(jié)構(gòu),、雙層膜結(jié)構(gòu)或多層膜結(jié)構(gòu),。(三)有益于效用本實用新型提供了一種高壓快回復(fù)二極管芯片,具有有以下有益于效用:本實用設(shè)立了芯片本體,,芯片本體裹在熱熔膠內(nèi),,使其不收損害,熱熔膠封裝在封裝外殼內(nèi),,多個散熱桿呈輻射狀固定在所述芯片本體上,,封裝外殼的殼壁設(shè)有容納腔,容納腔與散熱桿的內(nèi)部連接,,芯片工作產(chǎn)生熱能傳送到熱熔膠,,熱熔膠裹在散熱桿的表面,,散熱桿展開傳遞熱能,散熱桿以及容納腔的內(nèi)部設(shè)有冰晶混合物,,冰晶混合物就會由固態(tài)漸漸轉(zhuǎn)變?yōu)橐簯B(tài),,此為吸熱過程,從而不停的開展散熱,,封裝外殼也是由金屬材質(zhì)制成,,可以為冰晶混合物與外界空氣換熱。附圖說明圖1為本實用新型的構(gòu)造示意圖,;圖2為本實用新型的絕緣涂層的構(gòu)造示意圖,。圖中:1、芯片本體,;2,、熱熔膠;3,、封裝外殼,;4、散熱桿,;5,、絕緣膜;6,、冰晶混合物,;7、容納腔,。封裝技術(shù)是功率半導(dǎo)體突破的關(guān)鍵,!

    這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品,當(dāng)模塊壓裝在散熱器上時,,能保證它們之間的充分接觸,,有利于熱傳導(dǎo),從而使模塊的接觸熱阻降低,,有利于模塊的出力和可靠性,。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上),因此,,必須在結(jié)構(gòu)設(shè)計要充分考慮消除寄生電感等問題,,為此,在電磁等原理基礎(chǔ)上,,充分考慮三個主電極形狀,、布局和走向,同時對鍵合鋁絲長短和走向也作了合適安排,。以減少模塊內(nèi)部的分布電感,,確保二單元的分布電感一致,,從而解決模塊的噪音和發(fā)熱問題,提高裝置效率,。3.主要技術(shù)參數(shù)圖3是FRED模塊導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖,,它顯示了FRED器件從正向?qū)ǖ椒聪蚧謴?fù)的全過程。其主要關(guān)斷特性參數(shù)為:反向恢復(fù)時間trr=ta+tb(ta為少數(shù)載流子存儲時間,,tb為少數(shù)載流子復(fù)合時間),;軟度因子S=(表示器件反向恢復(fù)曲線的軟度);反向恢復(fù)峰值電流:,;反向恢復(fù)電荷,。而導(dǎo)通參數(shù)為:反向重復(fù)峰值電壓URRM.;正向平均電流IF(AV),;正向峰值電壓UFM,;正向均方根電流IF(RMS)和正向浪涌電流IFSM等。圖2(a)預(yù)彎后的銅底板(b)銅底板與DBC基板焊接后的合格品圖3FRED導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖這里需要注意的是:trr隨所加反向電壓UR的增加而增加,,例如600V的FRED,。IGBT模塊中快恢復(fù)二極管的作用與選型。廣東快恢復(fù)二極管MUR3040CT

SF168CT是快恢復(fù)二極管嗎,?浙江快恢復(fù)二極管MUR2040CA

    我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時,,主要看它的正向?qū)▔航怠⒎聪蚰蛪?、反向漏電流等,。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓,、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,,在電路設(shè)計中知道這些關(guān)系對選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要,尤其是在功率電路中,。在快恢復(fù)二極管兩端加正向偏置電壓時,,其內(nèi)部電場區(qū)域變窄,可以有較大的正向擴散電流通過PN結(jié),。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,,鍺管約為,硅管約為)以后,,快恢復(fù)二極管才能真正導(dǎo)通。但快恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降是恒定不變的嗎,?它與正向擴散電流又存在什么樣的關(guān)系,?通過下圖1的測試電路在常溫下對型號為快恢復(fù)二極管進(jìn)行導(dǎo)通電流與導(dǎo)通壓降的關(guān)系測試,可得到如圖2所示的曲線關(guān)系:正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流成正比,,其浮動壓差為,。從輕載導(dǎo)通電流到額定導(dǎo)通電流的壓差雖為,,但對于功率快恢復(fù)二極管來說它影響效率也影響快恢復(fù)二極管的溫升,所以在價格條件允許下,,盡量選擇導(dǎo)通壓降小,、額定工作電流較實際電流高一倍的快恢復(fù)二極管。 浙江快恢復(fù)二極管MUR2040CA