繼電器并聯(lián)快恢復(fù)二極管電路形式見圖1，其作用主要是為了保護(hù)晶體管等驅(qū)動(dòng)元器件,。流經(jīng)線圈的電流變化時(shí)，線圈會(huì)產(chǎn)生自激電壓來抑制電流的變化,，當(dāng)線圈中的電流變化越快時(shí),，所產(chǎn)生的電壓越高。在繼電器開通到關(guān)斷的瞬間,，由于線圈有電感的性質(zhì),，所以瞬間會(huì)在繼電器的線圈的低電壓端產(chǎn)生一個(gè)瞬間電壓尖峰,通常能高達(dá)數(shù)十倍的線圈額定工作電壓。當(dāng)圖中晶體管VT由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí),，流經(jīng)繼電器線圈的電流將迅速減小,，這時(shí)線圈會(huì)產(chǎn)生很高的自感電動(dòng)勢與電源電壓疊加后加在VT的c、e兩極間,，會(huì)使晶體管擊穿,，并聯(lián)上快恢復(fù)二極管后，即可將線圈的自感電動(dòng)勢鉗位于快恢復(fù)二極管的正向?qū)妷?，此值硅管約,，鍺管約，從而避免擊穿晶體管等驅(qū)動(dòng)元器件,。并聯(lián)快恢復(fù)二極管時(shí)一定要注意快恢復(fù)二極管的極性不可接反,，否則容易損壞晶體管等驅(qū)動(dòng)元器件。繼電器線圈斷電瞬間,，線圈上可產(chǎn)生高于線圈額定工作電壓值30倍以上的反峰電壓,，對(duì)電子線路有極大的危害，通常采用并聯(lián)瞬態(tài)抑制（又叫削峰）快恢復(fù)二極管或電阻的方法加以抑制,，使反峰電壓不超過50V,，但并聯(lián)快恢復(fù)二極管會(huì)延長繼電器的釋放時(shí)間3~5倍,。 MUR1620CT二極管的主要參數(shù)。安徽快恢復(fù)二極管MURB2060CT

    二極管的軟度可以獲取更進(jìn)一步操縱,。圖3SONIC軟恢復(fù)二極管的壽命控制該二極管回復(fù)波形異常的平滑從未振蕩,，所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復(fù)二極管不僅引致開關(guān)損失縮減,，而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器,。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。電力電子學(xué)中的功率開關(guān)器件（IGBT,、MOSFET、BJT,、GTO）總是和迅速二極管相并聯(lián),，在增加開關(guān)頻率時(shí)，除傳導(dǎo)損耗以外,，功率開關(guān)的固有的功用和效率均由二極管的反向恢復(fù)屬性決定（由圖2的Qrr,IRM和Irr特點(diǎn)表示）,。所以對(duì)二極管要求正向瞬態(tài)壓降小，反向回復(fù)時(shí)間斷,，反向回復(fù)電荷少,，并且具備軟恢復(fù)特點(diǎn)。反向峰值電流IRM是另一個(gè)十分關(guān)鍵的屬性,。反向電流衰變的斜率dirr/dt由芯片的工藝技術(shù)和擴(kuò)散參數(shù)決定,。在電路中，這個(gè)電流斜率與寄生電感有關(guān),，例如連接引線,，引起過電壓尖峰和高頻干擾電壓。dirr/dt越高（“硬回復(fù)”屬性）,，二極管和并聯(lián)的開關(guān)上產(chǎn)生的附加電壓越高,。反向電流的緩慢衰減（“軟恢復(fù)”特點(diǎn)）是令人令人滿意的屬性。所有的FRED二極管都使用了“軟恢復(fù)”特點(diǎn),，SONIC二極管的恢復(fù)屬性更“軟”,，它們的阻斷電壓范圍寬，使這些迅速軟恢復(fù)二極管能夠作為開關(guān)電源(SMPS)的輸出整流器,。重慶快恢復(fù)二極管MURB2060CTMUR3020CT是快恢復(fù)二極管嗎,？

    是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件,。1．性能特點(diǎn)1）反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間tr的概念是：電流通過零點(diǎn)由正向變換到規(guī)定低值的時(shí)間間距,。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的主要技術(shù)指標(biāo)。反向回復(fù)電流的波形如圖1所示,。IF為正向電流,，IRM為反向回復(fù)電流,。Irr為反向回復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=,。當(dāng)t≤t0時(shí),，正向電流I=IF。當(dāng)t＞t0時(shí),，由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷?，因此正向電流很快下降，在t=t1時(shí)刻,，I=0,。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR日漸增大,；在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值,。此后受正向電壓的效用，反向電流日趨減少,，并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr,。從t2到t3的反向恢復(fù)過程與電容器放電過程有相像之處。2）快回復(fù),、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與平常二極管不同,，它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I,，組成P-I-N硅片,。由于基區(qū)很薄，反向回復(fù)電荷很小,，減少了trr值,，還下降了瞬態(tài)正向壓降，使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓,?？旎貜?fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為,，正向電流是幾安培至幾千安培,，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進(jìn)一步減少,，使其trr可低至幾十納秒,。

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前,，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）,。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下,。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,，冷卻后形成玻璃層,。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機(jī)械的方法分開,。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié),，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面,。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對(duì)比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,，當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí)，冷熱沖擊,，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,，由于保護(hù)膠和硅片不貼合，會(huì)產(chǎn)生漏氣,，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,，可靠性很高,，在150度的HTRB時(shí)，表現(xiàn)仍然很出色,；而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HTRB,。MURF2060CT是什么類型的管子？

    迅速軟恢復(fù)二極管模塊化技術(shù)與應(yīng)用著者：海飛樂技術(shù)時(shí)間：2018-05-2320:43摘要在高頻應(yīng)用中為了減小電路損耗和防范過電壓尖峰對(duì)器件的損壞,，需迅速軟恢復(fù)二極管,。硬開關(guān)過程中存在二極管反向回復(fù)電流（Irm）增加了開關(guān)器件開通損耗率和過電壓尖峰，并且在迅速di/dt開關(guān)時(shí)能夠產(chǎn)生電磁干擾,。本文介紹了使用特別工藝設(shè)計(jì)的迅速軟恢復(fù)二極管,。該二極管是為高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，在高頻應(yīng)用方面有著平穩(wěn)的開關(guān)屬性,。本文還介紹了用該二極管制造的200A絕緣型和非絕緣型迅速軟恢復(fù)二極管模塊及其應(yīng)用,。1．快速軟恢復(fù)二極管介紹大功率快速軟恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在高頻電力電子電路中，它與主回路中的晶閘管或IGBT等新型電力半導(dǎo)體開關(guān)器件相并聯(lián),，開關(guān)器件反向時(shí),，流過負(fù)載中的無功電流，減少電容的充電時(shí)間,，同時(shí)抑止因負(fù)載電流瞬時(shí)反向而感應(yīng)的過電壓尖峰,。為了提高開關(guān)器件及電力電子線路的可靠性和穩(wěn)定性，須要采用迅速軟恢復(fù)二極管,?？焖佘浕謴?fù)二極管可以減小高頻電路的損耗,。在硬開關(guān)過程中存在的主要疑問是：二極管反向回復(fù)電流（Irm）增加了開關(guān)器件開通損耗率，并且在迅速di/dt開關(guān)時(shí)能夠產(chǎn)生電磁干擾,。如果反向回復(fù)電流迅速返回零點(diǎn),，就會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓和電磁干擾。MUR2060CTR是什么類型的管子,？陜西快恢復(fù)二極管MUR1640CTR

MURB1560是什么類型的管子,？安徽快恢復(fù)二極管MURB2060CT

    快恢復(fù)二極管的總功率損耗與正向通態(tài)壓降VF，通態(tài)電流IF,，反向電壓VR,反向漏電流IR,，正向過沖電壓Vfp，反向恢復(fù)漏電流峰值Irp,。以及反向電流下降時(shí)間tb等有關(guān),。盡管如此，對(duì)于給定的快恢復(fù)二極管應(yīng)用,，通態(tài)電流和反向電壓通常應(yīng)用電路決定的,，只要不超過額定使用條件即可。然而在給定的IF和VR條件下的VF,，IR,，Vrp，Irp和tb等二極管的特性卻是由所使用的快恢復(fù)二極管本身的性能決定的,。我們能通過算式5清楚地看到,，上述任何一個(gè)參數(shù)的升高都將導(dǎo)致功率損耗的増加。相反地,，如果我們能夠降低其中的某些參數(shù)值,，則可以降低功率損耗，在所有的功率損耗中,，通態(tài)損耗所占比例,，因此降低通態(tài)損耗是降低總功率損耗的主要路徑和方法。而對(duì)于通態(tài)損耗來講,，正向電流由應(yīng)用條件和額定決定,，為恒定值，占空比也由應(yīng)用條件決定,，由算式1可以清楚地看到降低正向壓降是降低功率損耗的主要途徑,。而正向壓降正是快恢復(fù)二極管本身的性能能力決定的。所以選擇低功耗二極管主要的要看在同等條件下的正向壓降,。壓降越低的,，其功耗也越低。 安徽快恢復(fù)二極管MURB2060CT