20世紀80年代初,，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場效應管(P0WERM0SFET)的研制成功,，并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化，這不僅對電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅實的器件基礎,，同時,，為用電設備高頻化(20kHz以上)和高頻設備固態(tài)化，為高效,、節(jié)電,、節(jié)材，實現機電體化,，小型輕量化和智能化提供了重要的技術基礎,。與此同時，給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的,、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展,。因為,，隨著裝置工作開關頻率的提高，若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關器件作續(xù)流,、吸收,、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器,。那么IGBT,、功率MOSFET、IGCT等開關器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨特作用,，這是由于FRED的關斷特性參數(反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr,，反向峰值電流IRM)的作用所致,，合適參數的FRED與高頻開關器件的協調工作。使高頻逆變電路內因開關器件換相所引起的過電壓尖峰,，高頻干擾電壓以及EMI降低,，使開關器件的功能得到充分發(fā)揮，FRED模塊現已批量在大功率開關電源,、高頻逆變電焊機,、高頻逆變開關型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調速裝置等場合使用,，結果非常令人滿意,。本文將簡要介紹該FRED模塊的工藝結構，技術參數,。MUR3020CS是什么類型的管子,？TO220封裝的快恢復二極管MURB1660

    模塊化構造提高了產品的密集性、安全性和可靠性,，同時也可下降設備的生產成本,，縮短新產品進入市場的周期，提高企業(yè)的市場競爭力,。由于電路的聯線已在模塊內部完成,，因此，縮短了電子器件之間的連線,，可實現優(yōu)化布線和對稱性構造的設計,，使設備線路的寄生電感和電容參數下降，有利實現設備的高頻化,。此外,，模塊化構造與同容量分立器件構造相比之下，還兼具體積小,、重量輕,、構造連貫,、外接線簡便、便于維護和安裝等優(yōu)點,，因而縮小了設備的何種,，減低設備的重量和成本，且模塊的主電極端子,、操縱端子和輔助端子與銅底板之間具備2．5kV以上有效值的絕緣耐壓,，使之能與設備內各種模塊一同安裝在一個接地的散熱器上，有利設備體積的更進一步縮小,，簡化設備的構造設計,。常州瑞華電力電子器件有限公司根據市場需要，充分利用公司近二十年來專業(yè)生產各類電力半導體模塊的工藝制造技術,，設計能力,，工藝和測試裝置以及生產制造經驗，于2006年開發(fā)出了能滿足VVVF變頻器,、高頻逆變焊機,、大功率開關電源、不停電電源,、高頻感應加熱電源和伺服電機傳動放大器所需的“三相整流二極管整流橋開關模塊”(其型號為MDST)的基本上,，近期又開發(fā)出了“三相超快恢復分公司極管整流橋開關模塊”?？旎謴投O管MUR1060CAMUR3060CT是什么類型的管子,？

    緩沖電路的形式很多，如圖1所示的電路是基本的也是行之有效的一種緩沖保護電路,。緩沖電路由電感LS,、電容CS、電阻RS和二極管VDS組成,。其中LS是串聯電感,。用來限制晶體管VT開通時的電流上升率，由CS,、RS,、VDS構成并聯緩沖電路，主要用來在VT關斷時限制集電極電壓Uce上升率,，使大功率晶體管的工作點軌跡遠離安全工作區(qū)的為界,。當晶體管VT開通時，直流電動機由電源經晶體管供電,，其左端為正,，右端為負，電動機正向旋轉,；當晶體管VT關斷時,由于電樞電感的影響,，電樞電流不能突變,，電動機將產生感生電動勢，其左端為負,，右端為正,，如果沒有續(xù)流二極管VD，此電動勢將與電源電壓US相加,，一起加在晶體管VT的C,、E兩端，而整個回路的電阻很大,，因此晶體管兩端的端電壓Uce也很高,。晶體管必然被擊穿。當電路并聯有續(xù)流二極管VD(如圖1所示),在晶體管VT導通時,，二極管VD左端為止,，右端為負，VD截止;當晶體管截止時,。電動機產生感生電動勢。左負右正,，VD正向導通,，給電動機提供--個續(xù)流回路，不但可以保護晶體管,，同時讓電動機電流連續(xù),、轉矩穩(wěn)定。

    但由于環(huán)境的影響,，特別是在濕度大或帶粉塵的環(huán)境下,，往往會使觸頭毀損，另外接觸器接通和斷開時產生電弧,，導致接觸器壽命縮短而毀壞,，從而嚴重影響變頻器的安定精確工作。為了化解上述存在的疑問,，常州瑞華電力電子器件有限公司使用FRED替代平常整流二極管,，使用晶閘管替代機器接觸器，制成如圖1所示的“三相FRED整流橋開關模塊”,，這種模塊用以變頻器后,，能使變頻器性能提高、體積縮小,、重量減輕,、工作安定確實。本公司生產的“三相FRED整流橋開關模塊”(型號為MFST)的主要參數見表1,。4結束語2006年常州瑞華電力電子器件有限公司研發(fā)成功的“三相整流二極管整流橋開關模塊”(型號為MDST)是由六個平常整流二極管和一個晶閘管構成,，其內部電連接原理圖如圖1所示,，它已普遍用以VVVT、SMPS,、UPS,、逆變焊機以及伺服電機驅動放大器等具直流環(huán)節(jié)的變頻設備，并已獲取很大成效,。用超快恢復二極管(FRED)替代一般而言整流管所組成的“三相FRED整流橋開關模塊”(型號為MFST)亦可用于上述各種電壓型變頻器,，但可大幅度下降變頻器噪聲達15dB，這一效應將直接影響到變頻器的EMI濾波電路內電容器和電感器的設計,，并使它們的大小縮小,，從而下降設備的成本和縮小設備的體積。MUR2040CT是快恢復二極管嗎,？

    電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路,，它是電力電子器件的一種重要的保護電路，不僅用于半控型器件的保護,，而且在全控型器件(如GTR,、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應用技術中起著重要的作用,。晶閘管開通時,，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個扼流電感,，以限制過大的di/dt,，串聯電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯緩沖電路,。晶閘管關斷時,，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率,，以防止晶閘管內部流過過大的結電容電流而誤觸發(fā),，需要在晶閘管的兩端并聯一個RC網絡，構成關斷緩沖電路,，或稱并聯緩沖電路,。IGBT的緩沖電路功能更側重于開關過程中過電壓的吸收與抑制，這是由于IGBT的工作頻率可以高達30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt,，從而產生過電壓,，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關斷和開通中的uCE和iC波形,。在iC下降過程中IGBT上出現了過電壓,，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復的二極管，電容必須是高頻,、損耗小,，頻率特性好的薄膜電容。這樣才能取得好的吸收效果,。 MUR2060CT二極管的主要參數,。福建快恢復二極管MUR2040CTR

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二極管質量的好壞取決于芯片工藝,。目前,，行業(yè)內使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結構,，其芯片P-N結是在鈍化玻璃的保護之下,。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結熔化，冷卻后形成玻璃層,。這玻璃層和芯片熔為一體,，無法用機械的方法分開。而二極管的OJ工藝結構,，其芯片P-N結是在涂膠的保護之下,。采用涂膠保護結，然后在200度左右溫度進行固化,，保護P-N結獲得電壓,。OJ的保護膠是覆蓋在P-N結的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結構的不同,，當有外力產生時，冷熱沖擊,，OJ工藝結構的二極管,，由于保護膠和硅片不貼合，會產生漏氣,，導致器件出現一定比率的失效,。GPP工藝結構的TVS二極管，可靠性很高,，在150度的HTRB時,，表現仍然很出色；而OJ工藝的產品能夠承受100度左右的HTRB,。TO220封裝的快恢復二極管MURB1660