肖特基二極管是一種特殊類型的二極管，其好的特點(diǎn)是由金屬與半導(dǎo)體直接接觸形成的非對稱結(jié)構(gòu),，因此其正向電壓低于常規(guī)PN結(jié)二極管。這種特殊結(jié)構(gòu)使得肖特基二極管具有快速開關(guān)速度和較低的逆向恢復(fù)時間,，也使其在高頻和功率電路中具有廣泛應(yīng)用,。肖特基二極管的是肖特基結(jié),，這是由金屬與半導(dǎo)體材料直接接觸而形成的勢壘結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了一些獨(dú)特的電學(xué)特性,，如快速的載流子注入和較小的少子內(nèi)建電場,，這樣就降低了開關(guān)時的載流子注入和少子收集時間，從而實(shí)現(xiàn)了快速的開關(guān)速度和低逆向電流,。常州市國潤電子有限公司力于提供肖特基二極管 ,，歡迎您的來電！重慶TO247封裝的肖特基二極管

肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管",，是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的,。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,，變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小,，其值為幾十皮法到幾百皮法，區(qū)容與電容之比約為5:1,。它主要在高頻電路中用作自動調(diào)諧,、調(diào)頻、調(diào)相等,、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容,。當(dāng)外加順向偏壓時，有大量電流產(chǎn)生,，PN（正負(fù)極）結(jié)的耗盡區(qū)變窄,，電容變大，產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng),；當(dāng)外加反向偏壓時,，則會產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生,，所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓,。肖特基二極管應(yīng)用SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場合用作高頻整流,，在非常高的頻率下（如X波段,、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻,，在高速邏輯電路中用作箝位,。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為TTL電路的主流,，在高速計(jì)算機(jī)中被采用,。除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時對指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）,、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數(shù)等,。浙江肖特基二極管MBR10150CT肖特基二極管 ，就選常州市國潤電子有限公司,，有想法的可以來電咨詢,！

   肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD），它屬一種低功耗,、超高速半導(dǎo)體器件,。特點(diǎn)為反向恢復(fù)時間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航悼梢缘椭?。其多用作高頻,、低壓、大電流整流二極管,、續(xù)流二極管,、保護(hù)二極管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二極管又稱肖特基勢壘二極管（簡稱SBD）,，它屬一種低功耗,、超高速半導(dǎo)體器件。在通訊電源,、變頻器等中比較常見,。供參考。電路中作整流二極管,、小信號檢波二極管使用,。在通訊電源、變頻器等中比較常見,。肖特基（Schottky）二極管的特點(diǎn)是正向壓降VF比較小,。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多,。另外它的恢復(fù)時間短,。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低,，漏電流稍大些,。選用時要細(xì)致考慮。

一是來自肖特基勢壘的注入,；二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴(kuò)散電流,。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過程是：半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點(diǎn)電流密度的增加,，導(dǎo)致這些薄弱點(diǎn)上的溫度增加引起這些薄弱點(diǎn)上的電流密度越來越大,，溫度也越來越高，如此惡性循環(huán)引起過熱點(diǎn)半導(dǎo)體材料的晶體熔化。此時在兩電極之間形成較低阻的電流通道,，電流密度驟增，導(dǎo)致肖特基二極管還未達(dá)到擊穿電壓值就已經(jīng)損壞,。因此二次擊穿是不可逆的,，是破壞性的。流經(jīng)二極管的平均電流并未達(dá)到二次擊穿的擊穿電壓值,，但是功率二極管還是會產(chǎn)生二次擊穿,。[2]參考資料1.孫子茭．4H_SiC肖特基二極管的研究：電子科技大學(xué)，20132.苗志坤．4H_SiC結(jié)勢壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究：哈爾濱工程大學(xué),，2013詞條標(biāo)簽：科學(xué)百科數(shù)理科學(xué)分類,。常州市國潤電子有限公司為您提供肖特基二極管 ，期待為您服務(wù),！

   肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片,、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層,。由于電子遷移率比空穴高,，采用N型Si、SiC或GaAs為材料,，以獲得良好的頻率特性,，肖特基接觸金屬一般選用金、鉬,、鎳,、鋁等。金屬-半導(dǎo)體器件和PiN結(jié)二極管類似,，由于兩者費(fèi)米能級不同,，金屬與半導(dǎo)體材料交界處要形成空間電荷區(qū)和自建電場。在外加電壓為零時,，載流子的擴(kuò)散運(yùn)動與反向的漂移運(yùn)動達(dá)到動態(tài)平衡，這時金屬與N型4H-SiC半導(dǎo)體交界處形成一個接觸勢壘,，這就是肖特基勢壘,。肖特基二極管就是依據(jù)此原理制作而成。[2]碳化硅肖特基二極管肖特基接觸金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)不同,，電荷越過金屬/半導(dǎo)體界面遷移,，產(chǎn)生界面電場，半導(dǎo)體表面的能帶發(fā)生彎曲,，從而形成肖特基勢壘，這就是肖特基接觸。金屬與半導(dǎo)體接觸形成的整流特性有兩種形式,，一種是金屬與N型半導(dǎo)體接觸，且N型半導(dǎo)體的功函數(shù)小于金屬的功函數(shù),；另一種是金屬與P型半導(dǎo)體接觸,，且P型半導(dǎo)體的功函數(shù)大于金屬的功函數(shù),。金屬與N型4H-SiC半導(dǎo)體體內(nèi)含有大量的導(dǎo)電載流子,。金屬與4H-SiC半導(dǎo)體材料的接觸有原子大小的數(shù)量級間距時，4H-SiC半導(dǎo)體的費(fèi)米能級大于金屬的費(fèi)米能級,。常州市國潤電子有限公司為您提供肖特基二極管 ，期待您的光臨,！重慶肖特基二極管MBR30150CT

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第2種輸運(yùn)方式又分成兩個狀況,，隨著4H-SiC半導(dǎo)體摻雜濃度的增加，耗盡層逐漸變薄,，肖特基勢壘也逐漸降低,，4H-SiC半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的載流子由隧穿效應(yīng)進(jìn)入到金屬的幾率變大。一種是4H-SiC半導(dǎo)體的摻雜濃度非常大時,，肖特基勢壘變得很低,，N型4H-SiC半導(dǎo)體的載流子能量和半導(dǎo)體費(fèi)米能級相近時的載流子以隧道越過勢壘區(qū)，稱為場發(fā)射,。另一種是載流子在4H-SiC半導(dǎo)體導(dǎo)帶的底部隧道穿過勢壘區(qū)較難,，而且也不用穿過勢壘，載流子獲得較大的能量時,，載流子碰見一個相對較薄且能量較小的勢壘時,，載流子的隧道越過勢壘的幾率快速增加，這稱為熱電子場發(fā)射,。[2]反向截止特性肖特基二極管的反向阻斷特性較差,，是受肖特基勢壘變低的影響。為了獲得高擊穿電壓,，漂移區(qū)的摻雜濃度很低,，因此勢壘形成并不求助于減小PN結(jié)之間的間距。調(diào)整肖特基間距獲得與PiN擊穿電壓接近的JBS,，但是JBS的高溫漏電流大于PiN,，這是來源于肖特基區(qū),。JBS反向偏置時，PN結(jié)形成的耗盡區(qū)將會向溝道區(qū)擴(kuò)散和交疊,，從而在溝道區(qū)形成一個勢壘,，使耗盡層隨著反向偏壓的增加向襯底擴(kuò)展。這個耗盡層將肖特基界面屏蔽于高場之外,，避免了肖特基勢壘降低效應(yīng),，使反向漏電流密度大幅度減小。此時JBS重慶TO247封裝的肖特基二極管