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浙江肖特基二極管MBRF30200CT

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-14

一是來(lái)自肖特基勢(shì)壘的注入;二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴(kuò)散電流,。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的,。二次擊穿的產(chǎn)生過(guò)程是:半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點(diǎn)電流密度的增加,,導(dǎo)致這些薄弱點(diǎn)上的溫度增加引起這些薄弱點(diǎn)上的電流密度越來(lái)越大,,溫度也越來(lái)越高,如此惡性循環(huán)引起過(guò)熱點(diǎn)半導(dǎo)體材料的晶體熔化,。此時(shí)在兩電極之間形成較低阻的電流通道,,電流密度驟增,導(dǎo)致肖特基二極管還未達(dá)到擊穿電壓值就已經(jīng)損壞,。因此二次擊穿是不可逆的,,是破壞性的。流經(jīng)二極管的平均電流并未達(dá)到二次擊穿的擊穿電壓值,,但是功率二極管還是會(huì)產(chǎn)生二次擊穿,。[2]參考資料1.孫子茭.4H_SiC肖特基二極管的研究:電子科技大學(xué),20132.苗志坤.4H_SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究:哈爾濱工程大學(xué),,2013詞條標(biāo)簽:科學(xué)百科數(shù)理科學(xué)分類(lèi),。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司為您提供肖特基二極管 ,有想法的可以來(lái)電咨詢(xún),!浙江肖特基二極管MBRF30200CT

   而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的,。因此,SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,,它是一種熱載流子二極管,。肖特基二極管是貴金屬(金、銀,、鋁,、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,,利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,,貴金屬中有極少量的自由電子,,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散,。顯然,金屬A中沒(méi)有空穴,,也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A,B表面電子濃度逐漸降低,,表面電中性被破壞,,于是就形成勢(shì)壘,其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A,。但在該電場(chǎng)作用之下,,A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng),從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng),。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后,,電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡,便形成了肖特基勢(shì)壘,。肖特基二極管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)別肖特基二極管不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,,SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,,它是一種熱載流子二極管。浙江肖特基二極管MBRF30200CT肖特基二極管 ,,就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司,。

   由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低),。肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。穩(wěn)壓二極管,,英文名稱(chēng)Zenerdiode,,又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),,其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。[1]此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件,。在這臨界擊穿點(diǎn)上,,反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,,穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來(lái)分檔的,,因?yàn)檫@種特性,穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用,。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來(lái)以便在較高的電壓上使用,,通過(guò)串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓,。穩(wěn)壓二極管與肖特基二極管的區(qū)別在于:肖特基二極管正向?qū)妷汉艿停挥?,反向在擊穿電壓之前不?huì)導(dǎo)通,,起到快速反應(yīng)開(kāi)關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀ǘ?jí)管一樣約為,,反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止,,在達(dá)到臨界電壓的條件下會(huì)處于導(dǎo)通的狀態(tài),電壓也不再升高,,所以用在重要元器件上,,起到穩(wěn)壓作用。

在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管,。碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場(chǎng)化的碳化硅電力電子器件,。美國(guó)Semisouth公司研制的SiCSBD(100A、600V,、300℃下工作)已經(jīng)用在美國(guó)空軍多電飛機(jī),。由碳化硅SBD構(gòu)成的功率模塊可在高溫、高壓,、強(qiáng)輻射等惡劣條件下使用,。目前反向阻斷電壓高達(dá)1200V的系列產(chǎn)品,其額定電流可達(dá)到20A,。碳化硅SBD的研發(fā)已經(jīng)達(dá)到高壓器件的水平,,其阻斷電壓超過(guò)10000V,大電流器件通態(tài)電流達(dá)130A的水平,。[1]SiCPiN的擊穿電壓很高,,開(kāi)關(guān)速度很快,重量很輕,,并且體積很小,,它在3KV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域更加具有優(yōu)勢(shì)。2000年Cree公司研制出KV的臺(tái)面PiN二極管,,同一時(shí)期日本的Sugawara研究室也研究出了12KV的臺(tái)面PiN二極管,。2005年Cree公司報(bào)道了10KV、V,、50A的SiCPiN二極管,,其10KV/20APiN二極管系列的合格率已經(jīng)達(dá)到40%。SiCMOSFET的比導(dǎo)通電阻很低,,工作頻率很高,。肖特基二極管 常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司值得用戶(hù)放心。

   肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng),。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,,SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管,。肖特基二極管的作用肖特基二極管的作用如下:肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,,又稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)SBD),它屬一種低功耗,、超高速半導(dǎo)體器件,。明顯的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航?。其多用作高頻,、低壓、大電流整流二極管,、續(xù)流二極管,、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等電路中作整流二極管,、小信號(hào)檢波二極管使用,。在通信電源、變頻器等中比較常見(jiàn),。一個(gè)典型的應(yīng)用,,是在雙極型晶體管BJT的開(kāi)關(guān)電路里面,通過(guò)在BJT上連接Shockley二極管來(lái)箝位,,使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài),,從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。這種方法是74LS,,74ALS,,74AS等典型數(shù)字IC的TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。肖特基(Schottky)二極管的特點(diǎn)是正向壓降VF比較小,。在同樣電流的情況下,,它的正向壓降要小許多。肖特基二極管 ,,就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司,,讓您滿(mǎn)意,期待您的光臨,!浙江肖特基二極管MBRF30200CT

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   在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi),同一時(shí)間只有兩個(gè)肖特基二極管進(jìn)行工作,,通過(guò)肖特基二極管的單向?qū)üδ?,把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。2,、肖特基二極管的作用及其接法-開(kāi)關(guān)肖特基二極管在正向電壓作用下電阻很小,,處于導(dǎo)通狀態(tài),相當(dāng)于一只接通的開(kāi)關(guān),;在反向電壓作用下,,電阻很大,處于截止?fàn)顟B(tài),,如同一只斷開(kāi)的開(kāi)關(guān),。利用肖特基二極管的開(kāi)關(guān)特性,可以組成各種邏輯電路,。由于肖特基二極管具有單向?qū)щ姷奶匦?,在正偏壓下PN結(jié)導(dǎo)通,在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻很小,,約為幾十至幾百歐,;在反向偏壓下,則呈截止?fàn)顟B(tài),,其電阻很大,,一般硅肖特基二極管在10ΜΩ以上,鍺管也有幾十千歐至幾百千歐,。利用這一特性,,肖特基二極管將在電路中起到控制電流接通或關(guān)斷的作用,成為一個(gè)理想的電子開(kāi)關(guān),?;镜拈_(kāi)關(guān)電路如圖所示,在這個(gè)電路中,,肖特基二極管的兩端分別通過(guò)電阻連接到Vcc和GND上,,肖特基二極管處于反向偏置的狀態(tài),不會(huì)導(dǎo)通,。通過(guò)C1點(diǎn)施加的交流電壓就無(wú)法通過(guò)肖特基二極管,,在C2后無(wú)法檢測(cè)到交流成分。在這張圖中,,肖特基二極管的接法與上圖相反,,處于正向?qū)顟B(tài)的肖特基二極管可以使得施加在C1點(diǎn)的交流信號(hào)通過(guò)肖特基二極管,并在C2的輸出出呈現(xiàn)出來(lái),。浙江肖特基二極管MBRF30200CT