二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝,。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）,。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,，冷卻后形成玻璃層,。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機械的方法分開,。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié),，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面,。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,，當(dāng)有外力產(chǎn)生時，冷熱沖擊,，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,，由于保護(hù)膠和硅片不貼合，會產(chǎn)生漏氣,，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效,。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管，可靠性很高,，快恢復(fù)二極管如何測好壞,？上海快恢復(fù)二極管MURF2040CT

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝,。目前,，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下,。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,，冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,，無法用機械的方法分開,。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu)，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下,。采用涂膠保護(hù)結(jié),，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓,。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,，當(dāng)有外力產(chǎn)生時,，冷熱沖擊，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,，由于保護(hù)膠和硅片不貼合,，會產(chǎn)生漏氣，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效,。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管,，可靠性很高，在150度的HTRB時,，表現(xiàn)仍然很出色,；而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HT江蘇快恢復(fù)二極管MURB1660CTMUR2060CTR是什么類型的管子？

   快恢復(fù)二極管的總功率損耗與正向通態(tài)壓降VF,，通態(tài)電流IF,，反向電壓VR,反向漏電流IR，正向過沖電壓Vfp,，反向恢復(fù)漏電流峰值Irp,。以及反向電流下降時間tb等有關(guān)。盡管如此,，對于給定的快恢復(fù)二極管應(yīng)用,，通態(tài)電流和反向電壓通常應(yīng)用電路決定的，只要不超過額定使用條件即可,。然而在給定的IF和VR條件下的VF,，IR，Vrp,，Irp和tb等二極管的特性卻是由所使用的快恢復(fù)二極管本身的性能決定的,。我們能通過算式5清楚地看到，上述任何一個參數(shù)的升高都將導(dǎo)致功率損耗的増加,。相反地,，如果我們能夠降低其中的某些參數(shù)值,，則可以降低功率損耗，在所有的功率損耗中,，通態(tài)損耗所占比例,，因此降低通態(tài)損耗是降低總功率損耗的主要路徑和方法。而對于通態(tài)損耗來講,，正向電流由應(yīng)用條件和額定決定,，為恒定值，占空比也由應(yīng)用條件決定,，由算式1可以清楚地看到降低正向壓降是降低功率損耗的主要途徑,。而正向壓降正是快恢復(fù)二極管本身的性能能力決定的。所以選擇低功耗二極管主要的要看在同等條件下的正向壓降,。壓降越低的,，其功耗也越低。

   電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路,，它是電力電子器件的一種重要的保護(hù)電路,，不僅用于半控型器件的保護(hù)，而且在全控型器件(如GTR,、GTO,、功率MOSFET和IGBT等)的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用。晶閘管開通時,，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件,，往往在主電路中串入一個扼流電感，以限制過大的di/dt,，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路,，或稱串聯(lián)緩沖電路。晶閘管關(guān)斷時,，電源電壓突加在管子上,，為了抑制瞬時過電壓和過大的電壓上升率，以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結(jié)電容電流而誤觸發(fā),，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個RC網(wǎng)絡(luò),，構(gòu)成關(guān)斷緩沖電路，或稱并聯(lián)緩沖電路,。IGBT的緩沖電路功能更側(cè)重于開關(guān)過程中過電壓的吸收與抑制,，這是由于IGBT的工作頻率可以高達(dá)30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt，從而產(chǎn)生過電壓,，危及IGBT的安全,。PWM逆變器中IGBT在關(guān)斷和開通中的uCE和iC波形。在iC下降過程中IGBT上出現(xiàn)了過電壓,，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加,。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復(fù)的二極管,，電容必須是高頻、損耗小,，頻率特性好的薄膜電容,。這樣才能取得好的吸收效果MUR1040CT是快恢復(fù)二極管嗎？

   20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大都使用TO-220封裝形式,。從內(nèi)部構(gòu)造看,，可分為單管、對管（亦稱雙管）兩種,。對管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復(fù)二極管,，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管,、共陽對管之分,。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管（單管）的外形及內(nèi)部構(gòu)造,。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）,、MUR1680A型（共陽對管）超快恢復(fù)二極管的外形與結(jié)構(gòu)。它們均使用TO-220塑料封裝,，主要技術(shù)指標(biāo)見表1,。幾十安的快恢復(fù)二極管一般使用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則使用螺栓型或平板型封裝形式,。2．檢測方法1）測量反向恢復(fù)時間測量電路如圖3,。由直流電流源供規(guī)定的IF，脈沖發(fā)生器經(jīng)過隔直電容器C加脈沖信號,，運用電子示波器觀察到的trr值,，即是從I=0的日子到IR=Irr日子所經(jīng)歷的時間。設(shè)器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr,，有關(guān)系式trr≈2Qrr/IRM由式()可知,，當(dāng)IRM為一定時，反向回復(fù)電荷愈小,，反向回復(fù)時間就愈短,。2）常規(guī)檢測方式在業(yè)余條件下，運用萬用表能檢測快回復(fù),、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?，以及?nèi)部有無開路、短路故障,，并能測出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓,。實例：測量一只超快恢復(fù)二極管,，其主要參數(shù)為：trr=35ns,。MUR3060CT是快恢復(fù)二極管嗎？陜西快恢復(fù)二極管MUR1660CTR

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快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施,，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),，反向耐壓多在1200V以下,。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個等級。前者反向恢復(fù)時間為數(shù)百納秒或更長,，后者則在100納秒以下,。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),，具有正向壓降低(0.4--0.5V),、反向恢復(fù)時間很短(10-40納秒)，而且反向漏電流較大,，耐壓低,，一般低于150V，多用于低電壓場合,。 這兩種管子通常用于開關(guān)電源,。上海快恢復(fù)二極管MURF2040CT