肖特基二極管是通過(guò)金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢(shì)壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件,。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片,、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層,。中文名碳化硅肖特基二極管外文名Schottkybarrierdiode目錄11碳化硅?碳化硅材料的發(fā)展和優(yōu)勢(shì)?碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀22碳化硅肖特基二極管?肖特基接觸?肖特基勢(shì)壘中載流子的輸運(yùn)機(jī)理碳化硅肖特基二極管1碳化硅碳化硅肖特基二極管碳化硅材料的發(fā)展和優(yōu)勢(shì)碳化硅早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了,，但因其制備時(shí)的工藝難度大，并且器件的成品率低,，導(dǎo)致了價(jià)格較高,，這影響了它的應(yīng)用。直到1955年,，生長(zhǎng)碳化硅的方法出現(xiàn)促進(jìn)了SiC材料的發(fā)展,，在航天、航空,、雷達(dá)和核能開(kāi)發(fā)的領(lǐng)域得到應(yīng)用,。1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng),，并應(yīng)用于石油地?zé)岬目碧?、變頻空調(diào)的開(kāi)發(fā)、平板電視的應(yīng)用以及太陽(yáng)能變換的領(lǐng)域,。碳化硅材料有很多優(yōu)點(diǎn),，如禁帶寬度很大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)很高,、熱導(dǎo)率很大,、飽和電子漂移速度很高和介電常數(shù)很低如表1-1。首先大的禁帶寬度,，如4H-SiC其禁帶寬度為eV,，是硅材料禁帶寬度的三倍多，這使得器件能耐高溫并且能發(fā)射藍(lán)光,；高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng),，碳化硅的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(2-4MV/cm)很高。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司力于提供肖特基二極管 ,，有需求可以來(lái)電咨詢！ITO220封裝的肖特基二極管MBR3060CT

   在高溫下能夠穩(wěn)定的工作,，它在功率器件領(lǐng)域很有應(yīng)用前景,。目前國(guó)際上報(bào)道的幾種結(jié)構(gòu)：UMOS、VDMOS,、LDMOS,、UMOSACCUFET,，以及SIAFET等。2008年報(bào)道的雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS,，具有1550V阻斷電壓.[1]碳化硅肖特基二極管2碳化硅肖特基二極管SBD在導(dǎo)通過(guò)程中沒(méi)有額外載流子的注入和儲(chǔ)存,，因而反向恢復(fù)電流小，關(guān)斷過(guò)程很快,，開(kāi)關(guān)損耗小,。傳統(tǒng)的硅肖特基二極管，由于所有金屬與硅的功函數(shù)差都不很大,，硅的肖特基勢(shì)壘較低,，硅SBD的反向漏電流偏大，阻斷電壓較低,，只能用于一二百伏的低電壓場(chǎng)合且不適合在150℃以上工作,。然而，碳化硅SBD彌補(bǔ)了硅SBD的不足,，許多金屬,，例如鎳、金,、鈀,、鈦、鈷等,，都可以與碳化硅形成肖特基勢(shì)壘高度1eV以上的肖特基接觸,。據(jù)報(bào)道，Au/4H-SiC接觸的勢(shì)壘高度可達(dá)到eV,，Ti/4H-SiC接觸的勢(shì)壘比較低,，但也可以達(dá)到eV。6H-SiC與各種金屬接觸之間的肖特基勢(shì)壘高度變化比較寬,，低至eV,，高可達(dá)eV。于是,，SBD成為人們開(kāi)發(fā)碳化硅電力電子器件首先關(guān)注的對(duì)象,。它是高壓快速與低功率損耗、耐高溫相結(jié)合的理想器件,。目前國(guó)際上相繼研制成功水平較高的多種類的碳化硅器件,。[1]SiC肖特基勢(shì)壘二極管在1985年問(wèn)世，是Yoshida制作在3C-SiC上四川肖特基二極管MBR2045CT常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司是一家專業(yè)提供肖特基二極管 的公司,，歡迎您的來(lái)電哦,！

   由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低）,。肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題,。穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode,，又叫齊納二極管,。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管,。［1］此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上,，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值,，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來(lái)分檔的,，因?yàn)檫@種特性,，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來(lái)以便在較高的電壓上使用,，通過(guò)串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓,。穩(wěn)壓二極管與肖特基二極管的區(qū)別在于：肖特基二極管正向?qū)妷汉艿停挥?，反向在擊穿電壓之前不?huì)導(dǎo)通,，起到快速反應(yīng)開(kāi)關(guān)的作用。而穩(wěn)壓二極管正向?qū)妷焊胀ǘ?jí)管一樣約為,，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止,，在達(dá)到臨界電壓的條件下會(huì)處于導(dǎo)通的狀態(tài)，電壓也不再升高,，所以用在重要元器件上,，起到穩(wěn)壓作用。

數(shù)字電路應(yīng)用：肖特基二極管還可以用于數(shù)字電路中的開(kāi)關(guān)功能,，特別是在功耗較低,、響應(yīng)速度要求高的場(chǎng)景中。由于其低功耗和快速開(kāi)關(guān)速度,，肖特基二極管在數(shù)字邏輯門和存儲(chǔ)器電路等領(lǐng)域有應(yīng)用潛力,。需要注意的是，盡管肖特基二極管具有許多優(yōu)點(diǎn),，但也存在一些限制,。例如，在高頻應(yīng)用中可能存在高頻阻抗不匹配問(wèn)題,，需要特殊的設(shè)計(jì)來(lái)克服,。此外，適當(dāng)?shù)碾娏骱碗妷合拗埔残枰鶕?jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)選擇，以確保肖特基二極管能夠正常工作和長(zhǎng)壽命運(yùn)行,。肖特基二極管 ，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司,，用戶的信賴之選,，有想法可以來(lái)我司咨詢！

   常用表面貼封裝肖特基二極管,。貼片肖特基二極管為何取名為"SS"?SCHOTTKY:取首字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的縮寫,，意為：表面貼裝器件，取首字母"S",上面兩個(gè)短語(yǔ)各取首字母,、即為SS,電流小的肖特基是BAT42（）,；BAT54、BAT54A,、BAT54C（）,；電流大的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超過(guò)440A的必然是模塊,。肖特基的高電壓是200V,也就是說(shuō),，肖特基的極限電壓是200V.超過(guò)200V電壓的也必然是模塊。電流越大,，電壓越低,。與可控硅元件不一樣。電流與電壓成反比（模塊除外）,。10A,、20A、30A標(biāo)準(zhǔn)的有做到200V電壓,。除此外,，都并未200V電壓標(biāo)準(zhǔn)。常見(jiàn)貼片封裝的肖特基型號(hào)BAT54,、BAT54A,、BAT54C、BAT54S:SOT-23—MBR0520L,、MBR0540:SOD-123—SS12,、SS14:DO-214AC（SMA）—1ASL12、SL14:DO-214AC（SMA）—1ASK22:SK24:DO-214AA（SMB）—2ASK32:SK34:DO-214AB（SMC）—3AMBRD320,、MBRD360:TO-252—3AMBRD620CT,、MBRD660CT:TO-252—6AMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）—10AMBRB4045CT:TO-263（D2PAK）—40A常見(jiàn)插件封裝的肖特基型號(hào)MBR150、MBR160:DO-41,軸向,，1A1N5817（1A/20V）,、1N5819（1A/40V），軸向,，DO-411N5820（3A/20V）,、1N5822（3A/40V）肖特基二極管 ,，就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司，讓您滿意,，歡迎您的來(lái)電,！ITO220封裝的肖特基二極管MBR3060CT

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碳化硅肖特基二極管碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀碳化硅器件的出現(xiàn)的改善了半導(dǎo)體器件的性能,，滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)和建設(shè)的需要，目前,，美國(guó),、德國(guó)、瑞典、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家正競(jìng)相投入巨資對(duì)碳化硅材料和器件進(jìn)行研究。美國(guó)部從20世紀(jì)90年代就開(kāi)始支持碳化硅功率器件的研究,，在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場(chǎng)化的碳化硅電力電子器件,。美國(guó)Semisouth公司研制的SiCSBD（100A、600V,、300℃下工作）已經(jīng)用在美國(guó)空軍多電飛機(jī),。由碳化硅SBD構(gòu)成的功率模塊可在高溫、高壓,、強(qiáng)輻射等惡劣條件下使用,。目前反向阻斷電壓高達(dá)1200V的系列產(chǎn)品，其額定電流可達(dá)到20A,。碳化硅SBD的研發(fā)已經(jīng)達(dá)到高壓器件的水平,，其阻斷電壓超過(guò)10000V，大電流器件通態(tài)電流達(dá)130A的水平,。[1]SiCPiN的擊穿電壓很高,，開(kāi)關(guān)速度很快，重量很輕,，并且體積很小,，它在3KV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域更加具有優(yōu)勢(shì)。2000年Cree公司研制出KV的臺(tái)面PiN二極管,，同一時(shí)期日本的Sugawara研究室也研究出了12KV的臺(tái)面PiN二極管,。2005年Cree公司報(bào)道了10KV、V,、50A的SiCPiN二極管,，其10KV/20APiN二極管系列的合格率已經(jīng)達(dá)到40%。SiCMOSFET的比導(dǎo)通電阻很低，工作頻率很高,。ITO220封裝的肖特基二極管MBR3060CT