快恢復(fù)二極管(簡稱FRD)是一種具有開關(guān)特性好,、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源,、PWM脈寬調(diào)制器,、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管,、續(xù)流二極管或阻尼二極管使用,。 快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同，它屬于PIN結(jié)型二極管,，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,，構(gòu)成PIN硅片。因基區(qū)很薄,，反向恢復(fù)電荷很小,，所以快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間較短，正向壓降較低,，反向擊穿電壓(耐壓值)較高,。采用TO–220或TO–3P封裝的大功率快恢復(fù)二極管,，有單管和雙管之分。雙管的管腳引出方式又分為共陽和共陰,。常州市國潤電子有限公司為您提供快恢復(fù)二極管 ,，歡迎您的來電哦！上?？旎謴?fù)二極管MUR3060CTR

二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝,。目前，行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種：玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）,。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,，冷卻后形成玻璃層,。這玻璃層和芯片熔為一體，無法用機(jī)械的方法分開,。而二極管的OJ工藝結(jié)構(gòu),，其芯片P-N結(jié)是在涂膠的保護(hù)之下。采用涂膠保護(hù)結(jié),，然后在200度左右溫度進(jìn)行固化,，保護(hù)P-N結(jié)獲得電壓。OJ的保護(hù)膠是覆蓋在P-N結(jié)的表面,。玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）特性對比玻璃鈍化（GPP）和酸洗（OJ）芯片工藝由于結(jié)構(gòu)的不同,，當(dāng)有外力產(chǎn)生時(shí)，冷熱沖擊,，OJ工藝結(jié)構(gòu)的二極管,，由于保護(hù)膠和硅片不貼合，會(huì)產(chǎn)生漏氣,，導(dǎo)致器件出現(xiàn)一定比率的失效,。GPP工藝結(jié)構(gòu)的TVS二極管，可靠性很高,，在150度的HTRB時(shí),，表現(xiàn)仍然很出色；而OJ工藝的產(chǎn)品能夠承受100度左右的HT湖北快恢復(fù)二極管MUR3040CTR常州市國潤電子有限公司力于提供快恢復(fù)二極管 ,，有想法可以來我司咨詢,。

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施,，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),，反向耐壓多在1200V以下,。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級,。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100納秒以下,。 肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管,，簡稱肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)，具有正向壓降低(0.4--0.5V),、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒),，而且反向漏電流較大，耐壓低,，一般低于150V,，多用于低電壓場合。 這兩種管子通常用于開關(guān)電源,。

   我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時(shí),，主要看它的正向?qū)▔航怠⒎聪蚰蛪?、反向漏電流等,。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓,、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,，在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要，尤其是在功率電路中,。在快恢復(fù)二極管兩端加正向偏置電壓時(shí),，其內(nèi)部電場區(qū)域變窄，可以有較大的正向擴(kuò)散電流通過PN結(jié),。只有當(dāng)正向電壓達(dá)到某一數(shù)值（這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,，鍺管約為,，硅管約為）以后,，快恢復(fù)二極管才能真正導(dǎo)通。但快恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降是恒定不變的嗎,？它與正向擴(kuò)散電流又存在什么樣的關(guān)系,？通過下圖1的測試電路在常溫下對型號為快恢復(fù)二極管進(jìn)行導(dǎo)通電流與導(dǎo)通壓降的關(guān)系測試，可得到如圖2所示的曲線關(guān)系：正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流成正比,，其浮動(dòng)壓差為,。從輕載導(dǎo)通電流到額定導(dǎo)通電流的壓差雖為，但對于功率快恢復(fù)二極管來說它影響效率也影響快恢復(fù)二極管的溫升,，所以在價(jià)格條件允許下,，盡量選擇導(dǎo)通壓降小、額定工作電流較實(shí)際電流高一倍的快恢復(fù)二極管常州市國潤電子有限公司是一家專業(yè)提供快恢復(fù)二極管 的公司,，有想法可以來我司咨詢,！

   模塊化構(gòu)造提高了產(chǎn)品的密集性,、安全性和可靠性，同時(shí)也可下降設(shè)備的生產(chǎn)成本,，縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場的周期,，提高企業(yè)的市場競爭力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成,，因此,，縮短了電子器件之間的連線，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)化布線和對稱性構(gòu)造的設(shè)計(jì),，使設(shè)備線路的寄生電感和電容參數(shù)下降,，有利實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高頻化,。此外,，模塊化構(gòu)造與同容量分立器件構(gòu)造相比之下,，還兼具體積小,、重量輕,、構(gòu)造連貫,、外接線簡便,、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn),，因而縮小了設(shè)備的何種,，減低設(shè)備的重量和成本,，且模塊的主電極端子、操縱端子和輔助端子與銅底板之間具備2．5kV以上有效值的絕緣耐壓,，使之能與設(shè)備內(nèi)各種模塊一同安裝在一個(gè)接地的散熱器上,，有利設(shè)備體積的更進(jìn)一步縮小，簡化設(shè)備的構(gòu)造設(shè)計(jì),。常州瑞華電力電子器件有限公司根據(jù)市場需要,，充分利用公司近二十年來專業(yè)生產(chǎn)各類電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù)，設(shè)計(jì)能力,，工藝和測試裝置以及生產(chǎn)制造經(jīng)驗(yàn),，于2006年開發(fā)出了能滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機(jī),、大功率開關(guān)電源,、不停電電源、高頻感應(yīng)加熱電源和伺服電機(jī)傳動(dòng)放大器所需的“三相整流二極管整流橋開關(guān)模塊”(其型號為MDST)的基本上,，近期又開發(fā)出了“三相超快恢復(fù)分公司極管整流橋開關(guān)模塊”,。常州市國潤電子有限公司是一家專業(yè)提供快恢復(fù)二極管 的公司。福建快恢復(fù)二極管MUR1660CT

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   電力電子器件的緩沖電路(snubbercircuit)又稱吸收電路,，它是電力電子器件的一種重要的保護(hù)電路，不僅用于半控型器件的保護(hù),，而且在全控型器件(如GTR,、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的應(yīng)用技術(shù)中起著重要的作用,。晶閘管開通時(shí),，為了防止過大的電流上升率而燒壞器件，往往在主電路中串入一個(gè)扼流電感,，以限制過大的di/dt,，串聯(lián)電感及其配件組成了開通緩沖電路，或稱串聯(lián)緩沖電路,。晶閘管關(guān)斷時(shí),，電源電壓突加在管子上，為了抑制瞬時(shí)過電壓和過大的電壓上升率,，以防止晶閘管內(nèi)部流過過大的結(jié)電容電流而誤觸發(fā),，需要在晶閘管的兩端并聯(lián)一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)成關(guān)斷緩沖電路,，或稱并聯(lián)緩沖電路,。IGBT的緩沖電路功能更側(cè)重于開關(guān)過程中過電壓的吸收與抑制，這是由于IGBT的工作頻率可以高達(dá)30~50kHz;因此很小的電路電感就可能引起頗大的LdiC/dt,，從而產(chǎn)生過電壓,，危及IGBT的安全。PWM逆變器中IGBT在關(guān)斷和開通中的uCE和iC波形,。在iC下降過程中IGBT上出現(xiàn)了過電壓,，其值為電源電壓UCC和LdiC/dt兩者的疊加。IGBT緩沖電路中的二極管必須是快恢復(fù)的二極管,，電容必須是高頻,、損耗小，頻率特性好的薄膜電容,。這樣才能取得好的吸收效果上?？旎謴?fù)二極管MUR3060CTR