覆銅陶瓷基板（DBC基板）：主要由中間的陶瓷絕緣層以及上下兩面的覆銅層組成，類似于2層PCB電路板,，但中間的絕緣材料是陶瓷而非PCB常用的FR4,。它起到絕緣、導(dǎo)熱和機(jī)械支撐的作用,，既能保證IGBT芯片與散熱基板之間的電絕緣,，又能將IGBT芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量快速傳導(dǎo)出去,，同時(shí)為電路線路提供支撐和繪制的基礎(chǔ)，覆銅層上可刻蝕出各種圖形用于繪制電路線路,。鍵合線：用于實(shí)現(xiàn)IGBT模塊內(nèi)部的電氣互聯(lián),，連接IGBT芯片、二極管芯片,、焊點(diǎn)以及其他部件,，常見的有鋁線和銅線兩種。鋁線鍵合工藝成熟,、成本低,，但電學(xué)和熱力學(xué)性能較差，膨脹系數(shù)失配大,，會(huì)影響IGBT的使用壽命,；銅線鍵合工藝具有優(yōu)良的電學(xué)和熱力學(xué)性能，可靠性高,，適用于高功率密度和高效散熱的模塊,。IGBT模塊在新能源汽車領(lǐng)域是技術(shù)部件。寶山區(qū)標(biāo)準(zhǔn)一單元igbt模塊

柵極電壓觸發(fā)：當(dāng)在柵極施加一個(gè)正電壓時(shí),，MOSFET部分的導(dǎo)電通道被打開,，電流可以從集電極流到發(fā)射極。由于集電極和發(fā)射極之間有一個(gè)P型區(qū)域,，形成了一個(gè)PN結(jié),，電流在該區(qū)域中得到放大。電流通路形成：導(dǎo)通時(shí)電流路徑為集電極（P+）→ N-漂移區(qū)（低阻態(tài)）→ P基區(qū) → 柵極溝道 → 發(fā)射極（N+）,。此時(shí)IGBT等效為“MOSFET驅(qū)動(dòng)的BJT”,，MOSFET部分負(fù)責(zé)電壓控制，驅(qū)動(dòng)功率微瓦級(jí),；BJT部分負(fù)責(zé)大電流放大,，可實(shí)現(xiàn)600V~6500V高壓場(chǎng)景應(yīng)用。關(guān)鍵導(dǎo)通參數(shù)：導(dǎo)通壓降VCE(sat)典型值為1~3V（遠(yuǎn)低于BJT的5V）,，損耗更低,；開關(guān)頻率為1~20kHz，兼顧效率與穩(wěn)定性（優(yōu)于BJT的<1kHz,，低于MOSFET的100kHz+）,。奉賢區(qū)igbt模塊是什么IGBT模塊電極結(jié)構(gòu)采用彈簧結(jié)構(gòu)，緩解安裝過程中的基板開裂,。

新能源發(fā)電：風(fēng)力發(fā)電：風(fēng)力發(fā)電機(jī)捕獲風(fēng)能后,，產(chǎn)生的電能頻率和電壓不穩(wěn)定，IGBT模塊用于變流器中，將不穩(wěn)定的電能轉(zhuǎn)換為符合電網(wǎng)要求的交流電,。通過精確控制,，可實(shí)現(xiàn)最大功率追蹤，提高風(fēng)能利用率,，同時(shí)保障電力平穩(wěn)并入電網(wǎng),，減少對(duì)電網(wǎng)的沖擊。光伏發(fā)電：IGBT是光伏逆變器,、儲(chǔ)能逆變器的器件,。IGBT模塊占光伏逆變器價(jià)值量的15%至20%，不同的光伏電站需要的IGBT產(chǎn)品略有不同,，比如集中式光伏主要采用IGBT模塊,，而分布式光伏主要采用IGBT單管或模塊。

按封裝形式：

IGBT 單管：將單個(gè) IGBT 芯片與 FRD（快速恢復(fù)二極管）芯片以分立式晶體管的形式封裝在銅框架上,，封裝規(guī)模小,，電流較小，適用于消費(fèi)和工業(yè)家電等對(duì)功率要求不高的場(chǎng)景,。

IGBT 模塊：將多個(gè) IGBT 芯片與 FRD 芯片通過特定電路橋接而成的模塊化產(chǎn)品,，具有更高的集成度和散熱穩(wěn)定性，常用于對(duì)功率要求較高的場(chǎng)合,，如工業(yè)變頻器,、新能源汽車等,。

按內(nèi)部結(jié)構(gòu)：

穿通 IGBT（PT - IGBT）：發(fā)射極接觸處具有 N + 區(qū),，包括 N + 緩沖層，也叫非對(duì)稱 IGBT,，具有不對(duì)稱的電壓阻斷能力,，其特點(diǎn)是導(dǎo)通壓降較低，但關(guān)斷速度相對(duì)較慢,，適用于對(duì)導(dǎo)通損耗要求較高的應(yīng)用,，如低頻、大功率的變流器,。

非穿通 IGBT（NPT - IGBT）：沒有額外的 N + 區(qū)域,，結(jié)構(gòu)對(duì)稱性提供了對(duì)稱的擊穿電壓特性，關(guān)斷速度快,，開關(guān)損耗小,，但導(dǎo)通壓降相對(duì)較高，常用于高頻,、開關(guān)速度要求高的場(chǎng)合,，如開關(guān)電源、高頻逆變器等。 IGBT模塊作為開關(guān)元件,，控制輸配電,、變頻器等電源的通斷。

依據(jù)IGBT模塊特性參數(shù)匹配：IGBT的柵極電容,、閾值電壓,、比較大柵極電壓等參數(shù)決定了驅(qū)動(dòng)電路的輸出特性。例如,，對(duì)于柵極電容較大的IGBT,，需要驅(qū)動(dòng)電路能提供較大的充電和放電電流，以確保IGBT快速導(dǎo)通和關(guān)斷,，可選擇具有低輸出阻抗的驅(qū)動(dòng)芯片來滿足要求,。開關(guān)速度：若IGBT需要在高頻下工作，要求驅(qū)動(dòng)電路能夠提供快速的上升沿和下降沿,，以減少開關(guān)損耗,。一般可采用高速光耦或磁耦隔離的驅(qū)動(dòng)電路，它們能實(shí)現(xiàn)信號(hào)的快速傳輸,，使IGBT的開關(guān)速度達(dá)到比較好狀態(tài),。中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模巨大，但自給率不足,，國(guó)產(chǎn)替代空間廣闊,。廣東半導(dǎo)體igbt模塊

新材料的應(yīng)用將推動(dòng)IGBT模塊性能的提升和成本的降低。寶山區(qū)標(biāo)準(zhǔn)一單元igbt模塊

考慮IGBT模塊的性能參數(shù)開關(guān)特性：開關(guān)速度是IGBT模塊的重要性能指標(biāo)之一,，包括開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間,。較快的開關(guān)速度可以降低開關(guān)損耗，提高變頻器的效率,，但也可能會(huì)增加電磁干擾（EMI）,。因此，需要在開關(guān)速度和EMI之間進(jìn)行權(quán)衡,。一般來說,，對(duì)于高頻運(yùn)行的變頻器，應(yīng)選擇開關(guān)速度較快的IGBT模塊,；而對(duì)于對(duì)EMI要求較高的場(chǎng)合,，則需要適當(dāng)降低開關(guān)速度或采取相應(yīng)的EMI抑制措施。導(dǎo)通壓降：導(dǎo)通壓降越小,，IGBT模塊在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗就越小,，效率也就越高。在長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行的變頻器中,，選擇導(dǎo)通壓降小的IGBT模塊可以降低能耗,，提高系統(tǒng)的可靠性,。短路耐受能力：IGBT模塊應(yīng)具備一定的短路耐受時(shí)間，以應(yīng)對(duì)變頻器可能出現(xiàn)的短路故障,。一般要求IGBT模塊在短路時(shí)能夠承受數(shù)微秒到幾十微秒的短路電流而不損壞,，這樣可以為保護(hù)電路提供足夠的時(shí)間來切斷故障電流，避免IGBT模塊因短路而損壞,。寶山區(qū)標(biāo)準(zhǔn)一單元igbt模塊