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行預(yù)充電時(shí)間（tRP,，Row Precharge Time）：行預(yù)充電時(shí)間指的是執(zhí)行下一個(gè)行操作之前需要在當(dāng)前行操作之后等待的時(shí)間,。它表示內(nèi)存模塊關(guān)閉當(dāng)前行并預(yù)充電以準(zhǔn)備接收新的行指令的速度。常見的行預(yù)充電時(shí)間參數(shù)包括tRP 16,、tRP 15,、tRP 1...

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了,。 重復(fù)以上操作,，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號(hào),；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK...

DDR3信號(hào)質(zhì)量問題及仿真解決案例隨著DDR信號(hào)速率的升高,，信號(hào)電平降低，信號(hào)質(zhì)量問題也會(huì)變得突出,。比如DDR1的數(shù)據(jù)信號(hào)通常用在源端加上匹配電阻來改善波形質(zhì)量,；DDR2/3/4會(huì)將外部電阻變成內(nèi)部ODT；對(duì)于多負(fù)載的控制命令信號(hào),，DDR1/2/3可以在末端添...

走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有,，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101,、U102,、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件,。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device ...

至此,，DDR3控制器端各信號(hào)間的總線關(guān)系創(chuàng)建完畢,。單擊OK按鈕，在彈出的提示窗 口中選擇Copy,這會(huì)將以上總線設(shè)置信息作為SystemSI能識(shí)別的注釋,，連同原始IBIS文件 保存為一個(gè)新的IBIS文件,。如果不希望生成新的IBIS文件，則也可以選擇Upda...

· 工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn),，Specification：如果所設(shè)計(jì)的功能模塊要實(shí)現(xiàn)某種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)接口或者協(xié)議,，那一定要找到相關(guān)的工業(yè)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，讀懂規(guī)范之后,，才能開始設(shè)計(jì),。 因此，為實(shí)現(xiàn)本設(shè)計(jì)實(shí)例中的 DDR 模塊,，需要的技術(shù)資料和文檔,。 由于我們要設(shè)計(jì) D...

重復(fù)以上步驟，分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系,，置完其中一個(gè),，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕，將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊,。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)...

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字,，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。 重復(fù)以上操作,，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15,、DM1信號(hào)；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK...

重復(fù)以上步驟,，分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系,，置完其中一個(gè)，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕,，將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊,。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102,、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件,。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device ...

使用了一個(gè) DDR 的設(shè)計(jì)實(shí)例,，來講解如何規(guī)劃并設(shè)計(jì)一個(gè) DDR 存儲(chǔ)系統(tǒng),，包括從系統(tǒng)性能分析，資料準(zhǔn)備和整理,，仿真模型的驗(yàn)證和使用,，布局布線約束規(guī)則的生成和復(fù)用,，一直到的 PCB 布線完成，一整套設(shè)計(jì)方法和流程,。其目的是幫助讀者掌握 DDR 系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思...

重復(fù)以上步驟,，分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系，置完其中一個(gè),，單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕,，將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊。 3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型：第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)...

DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性 眾所周知,，對(duì)于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì),，首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?hào)，也就是驅(qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號(hào),，接收器能接受和判別什么樣的信號(hào),，用術(shù)語講，就是信號(hào)的DC和AC特性要求,。 在DDR規(guī)范文件JED...

使用SystemSI進(jìn)行DDR3信號(hào)仿真和時(shí)序分析實(shí)例 SystemSI是Cadence Allegro的一款系統(tǒng)級(jí)信號(hào)完整性仿真工具,，它集成了 Sigrity強(qiáng)大的 電路板、封裝等互連模型及電源分布網(wǎng)絡(luò)模型的提取功能,。目前SystemSI提供并行總...

單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網(wǎng)絡(luò)走線的阻抗彩圖,。雙擊彩圖 上的任何線段,，對(duì)應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示,。 單擊Impedance Table,可以詳細(xì)查看各個(gè)網(wǎng)絡(luò)每根走線詳細(xì)的阻抗相關(guān)...

· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊(cè)，ApplicationNote：在這個(gè)文檔中,，廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議,，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊(cè)的一部分出現(xiàn)在器件手冊(cè)文檔中,。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中,，要注意這些信息是否齊備。 · 參考設(shè)計(jì),，Referenc...

有其特殊含義的,，也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是,，在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計(jì)人員中,，很多人還不能夠說清楚這兩個(gè)圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時(shí)序圖中,，所有信號(hào)都是DDR控制器輸出的,，而DQS和DQ信號(hào)相差90°相位，因此DDR芯片才能夠在DQS...

走線阻抗/耦合檢查 走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有,，流程也是一樣的,。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動(dòng) Trace Impedance/Coupling Check,自動(dòng)調(diào)用 PowerSI 的流程...

以太網(wǎng)交換機(jī)工作原理工作原理： 以太網(wǎng)交換機(jī)工作于OSI網(wǎng)絡(luò)參考模型的第二層（即數(shù)據(jù)鏈路層）,，是一種基于MAC（MediaAccessControl，介質(zhì)訪問控制）地址識(shí)別,、完成以太網(wǎng)數(shù)據(jù)幀轉(zhuǎn)發(fā)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,。 交換機(jī)上用于鏈接計(jì)算機(jī)或其他設(shè)備的插...

閉賦模型窗口，在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項(xiàng) 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù),，如圖1?125所示,。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說當(dāng)耦合...

容量與組織：DDR規(guī)范還涵蓋了內(nèi)存模塊的容量和組織方式。DDR內(nèi)存模塊的容量可以根據(jù)規(guī)范支持不同的大小,，如1GB,、2GB、4GB等,。DDR內(nèi)存模塊通常以多個(gè)內(nèi)存芯片排列組成,，其中每個(gè)內(nèi)存芯片被稱為一個(gè)芯粒（die），多個(gè)芯?？梢越M成密集的內(nèi)存模塊,。電氣特性：D...

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了,。 重復(fù)以上操作,，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號(hào),；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK...

共享式以太網(wǎng) 共享式以太網(wǎng)的典型是使用10Base2/10Base5的總線型網(wǎng)絡(luò)和以集線器（集線 器）為的星型網(wǎng)絡(luò),。在使用集線器的以太網(wǎng)中，集線器將很多以太網(wǎng)設(shè)備集中到一臺(tái)中心設(shè)備上,，這些設(shè)備都連接到集線器中的同一物理總線結(jié)構(gòu)中,。從本質(zhì)上講，以集線...

MIPI D-PHY物理層自動(dòng)一致性測(cè)試 對(duì)低功耗高清顯示器的需求,，正推動(dòng)著對(duì)高速串行總線的采用,，特別是移動(dòng)設(shè)備。MIPI D-PHY是一種標(biāo)準(zhǔn)總線,，是為在應(yīng)用處理器,、攝像機(jī)和顯示器之間傳送數(shù)據(jù)而設(shè)計(jì)的。該標(biāo)準(zhǔn)得到了MIPI聯(lián)盟的支持,，MIPI聯(lián)盟是...

傳輸速率測(cè)試在USB 3.0測(cè)試中具有重要的必要性,，它用于驗(yàn)證USB 3.0設(shè)備在數(shù)據(jù)傳輸方面的性能是否符合規(guī)范要求。以下是傳輸速率測(cè)試的必要性和步驟的解釋： 必要性： 確保設(shè)備性能達(dá)標(biāo)：傳輸速率是衡量USB 3.0設(shè)備性能的重要指標(biāo)之一,。通過...

在USB 3.0設(shè)備中,，充電功能通常遵循以下幾種標(biāo)準(zhǔn)： Battery Charging Specification (BC)：此規(guī)范定義了一系列充電策略和協(xié)議，用于智能設(shè)備和USB 3.0充電器之間的通信和充電協(xié)商。根據(jù)不同的版本,，BC規(guī)范可以支持...

當(dāng)今居于主導(dǎo)地位的局域網(wǎng)技術(shù)－以太網(wǎng),。以太網(wǎng)是建立在CSMA/CD機(jī)制上的廣播型網(wǎng)絡(luò)。沖出的產(chǎn)生是限制以太網(wǎng)性能的重要因素,，早期的以太網(wǎng)設(shè)備如集線器是物理層設(shè)備,，不能隔絕沖出擴(kuò)散，限制了網(wǎng)絡(luò)性能的提高,。而交換機(jī)（網(wǎng)橋）做為一種能隔絕沖出的二層網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,，極大的提...

按照測(cè)試規(guī)范的要求，在發(fā)送信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試中,，只要有1個(gè)Preset值下能夠通過信 號(hào)質(zhì)量測(cè)試就算過關(guān),；但是在Preset的測(cè)試中，則需要依次遍歷所有的Preset,并依次保存 波形進(jìn)行分析,。對(duì)于PCIe3.0和PCIe4.0的速率來說,，由于采用128b/130...

DDRhDDRl釆用SSTL_2接口，1/0 口工作電壓為2.5V,；時(shí)鐘信號(hào)頻率為100?200MHz,； 數(shù)據(jù)信號(hào)速率為200?400 Mbps,通過單端選通信號(hào)雙邊沿釆樣；地址/命令/控制信號(hào)速率為 100?200Mbps,通過時(shí)鐘信號(hào)上升沿采樣,；信號(hào)走...