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4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷。晶體閘流管工作過(guò)程編輯晶閘管是四層三端器件,，它有J1,、J2,、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,，可以把它中間的NP分成兩部分，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)...

二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了,，早在***次世界大戰(zhàn)末期就已出現(xiàn)晶體檢波器,，從1930年開(kāi)始，半導(dǎo)體整流器開(kāi)始投入市場(chǎng),。二極管模塊分為：快恢復(fù)二極管模塊,，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊,、光伏防反二極管模塊等,。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同,。二級(jí)管一般指電流,、電壓、功率比較小的單管,，一般電流在幾個(gè)安培以內(nèi),，電壓比較高1000多V,，但是反向恢復(fù)素很快，只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns,，用在小功率開(kāi)關(guān)電源做輸出整流,，或需要頻繁開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合，其封裝一般是塑封,、玻璃封裝,、陶瓷封裝等。二極管模塊指封裝成模塊的二極管,，功率較大,，幾十、幾百安培,，主要用于整流,，在大功率設(shè)備上使用，如電焊...

這要由具體的應(yīng)用和所使用的功率管決定,。比較大柵極充電電流是±15A,充電電流由外接的柵極電阻限定,。如果將25腳G通過(guò)電阻直接與IGBT:G相連,IGBT的驅(qū)動(dòng)波形上升沿較大,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較快,如圖2所示;圖2IGD515EI輸出端不加MOS管時(shí)IGBT的驅(qū)動(dòng)波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)如果在25腳與IGBT:G中間串入一只MOS管,進(jìn)行電流放大,可有效地減小IGBT驅(qū)動(dòng)波形的上升沿,縮短IGBT的導(dǎo)通過(guò)程,減小IGBT離散性造成的導(dǎo)通不一致性,減小動(dòng)態(tài)均壓電路的壓力,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較慢,其波形如圖3所示。圖3IGD515EI輸出端加MOS管時(shí)IGB...

下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖,。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法,、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1,、蓋板2、銅底板3,、形成于所述蓋板2上的***接頭4,、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管...

從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行,。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí)，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼...

用戶自備時(shí)按以下原則選?。?、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s,；2,、必須能保證模塊正常工作時(shí)散熱底板溫度不大于80℃；3,、模塊負(fù)載較輕時(shí),，可減小散熱器的大小或采用自然冷卻；4,、采用自然方式冷卻時(shí)散熱器周圍的空氣能實(shí)現(xiàn)對(duì)流并適當(dāng)增大散熱器面積,；5、所有緊固模塊的螺釘必須擰緊,，壓線端子連接牢固，以減少次生熱量的產(chǎn)生,，模塊底板和散熱器之間必須要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,，以達(dá)到**佳散熱效果。8,、模塊的安裝與維護(hù)（1）在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器表面各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,，然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上，固定螺釘不要一次擰緊,，幾個(gè)螺釘要依次固定,，用力要均勻，反復(fù)幾次,，直至牢...

不*使設(shè)備的體積重量增大,，而且會(huì)降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲,?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn),，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開(kāi)關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低,。GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力,?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào),。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷...

晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,，又可稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅,；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上***晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個(gè)極：陽(yáng)極,，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,；其派生器件有：快速晶閘管,，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管,，光控晶閘管等,。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”,、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）,。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓,、大電流條件下工作,，且其工作過(guò)程可以控制、被***應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無(wú)...

因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱電壓值不*會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一電流時(shí),，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂,；因此必須限定通流容量。漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測(cè)得的流過(guò)壓敏電阻的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低，抑制過(guò)電壓能力強(qiáng),；平時(shí)漏電流小,，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多,，便于用戶選擇,；伏安特性是對(duì)稱的，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣。2,、過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小,、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,，否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶...

IGBT模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢,？答：當(dāng)PWM波輸出的時(shí)候,，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的,。我在說(shuō)明變頻器逆變?cè)淼臅r(shí)候，用的一個(gè)電阻做負(fù)載,。電阻做負(fù)載,，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷,，上圖所示的原理沒(méi)有問(wèn)題。但變頻器實(shí)際是要驅(qū)動(dòng)電機(jī)的,，接在電機(jī)的定子上面，定子是一組線圈繞成的,，就是“電感”。電感有一個(gè)特點(diǎn)：它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變,。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時(shí)，加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的,，這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會(huì)“斷斷續(xù)續(xù)”的,，這就給電機(jī)帶來(lái)嚴(yán)重的后果：由于電感斷流時(shí),，會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)電動(dòng)勢(shì)加在IGBT上面,，對(duì)IGBT會(huì)有損害。解決的辦法：在IGB...

智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫(xiě),，是一種先進(jìn)的功率開(kāi)關(guān)器件,，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗,、高開(kāi)關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯,、控制,、檢測(cè)和保護(hù)電路,，使用起來(lái)方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開(kāi)發(fā)時(shí)間，也**增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性,，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC),，在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越***的應(yīng)用,。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進(jìn)的功率開(kāi)關(guān)器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結(jié)...

閉環(huán)控制在一定的負(fù)載和電網(wǎng)范圍內(nèi)能保持輸出電流或者電壓穩(wěn)定,?？刂菩盘?hào)與輸出電流、電壓是線性關(guān)系,；7、模塊內(nèi)有無(wú)保護(hù)功能智能模塊內(nèi)部一般不帶保護(hù),，穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊帶有過(guò)流、缺相等保護(hù)功能,。8,、模塊內(nèi)晶閘管觸發(fā)脈沖形式晶閘管觸發(fā)采用的是寬脈沖觸發(fā),，觸發(fā)脈沖寬度大于5ms（毫秒）。以上就是使用晶閘管模塊的八大常識(shí),，希望對(duì)您有所幫助,。上一個(gè)：直流控制交流可以用可控硅模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)嗎？下一個(gè)：用可控硅模塊三相異步電動(dòng)機(jī)速度的方法返回列表相關(guān)新聞2019-07-20晶閘管模塊串聯(lián)時(shí)對(duì)于數(shù)量有什么要求以及注意事項(xiàng)2019-03-16使用可控硅模塊的**準(zhǔn)則2018-09-15正高講晶閘管模塊值得注意的事...

4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷,。晶體閘流管工作過(guò)程編輯晶閘管是四層三端器件，它有J1,、J2、J3三個(gè)PN結(jié)圖1,，可以把它中間的NP分成兩部分,，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí)，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通,。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設(shè)...

使用晶閘管模塊的的八大常識(shí)來(lái)源：日期：2019年06月12日點(diǎn)擊數(shù)：載入中...晶閘管模塊是使用范圍非常廣,，在使用的過(guò)程中需要注意很多細(xì)節(jié)，還有一些使用常識(shí),，下面正高電氣來(lái)介紹下使用晶閘管模塊的八大常識(shí)。1,、模塊在手動(dòng)控制時(shí),，對(duì)所用電位器有何要求,？電位器的功率大于，阻值范圍—100K,。2,、模塊電流選型原則是什么,？當(dāng)模塊導(dǎo)通角大于100度時(shí)，可以按如下原則選取電流：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的2倍,。感性負(fù)或：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的3倍,。3,、模塊正常工作的條件一個(gè)+12V直流穩(wěn)壓電源（模塊內(nèi)部的工作電源）；一個(gè)0~10V控制信號(hào)（0~5V,、0~10mA,、4~20...

3.輕松啟動(dòng)一臺(tái)3700W的水泵,，水泵工作正常。4.測(cè)試了帶感性負(fù)載情況下的短路保護(hù),，保護(hù)正常,。5.母線電壓366V情況下,，空載電流24MA，其中包括輔助電源部分13MA,。6.效率：4400W輸出時(shí),，效率,。發(fā)點(diǎn)測(cè)試的圖這是空載的輸入電壓和輸出電壓這個(gè)是帶11根小太陽(yáng)的輸入電壓和輸出電壓和輸出電流，鉗流表的電流不太準(zhǔn)電感熱不熱你450V電解電容10KW要多放個(gè)電感風(fēng)冷的情況下滿載10KW溫度可以接受,，不開(kāi)風(fēng)扇電感只能在5KW以內(nèi)不熱,，電感是用6平方的沙包線4個(gè)77110A疊在一起繞的電感,。電容是小點(diǎn)現(xiàn)在是一個(gè)3300UF的再加一個(gè)就足夠了,，我的母線是28塊100AH的電瓶串聯(lián)起來(lái)的這...

不需要具體計(jì)算IAT,、IG之值，只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),，即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值,。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯（1）在檢查大功率GTO器件時(shí),，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流,，使GTO可靠地導(dǎo)通,。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff,，必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè),。由于測(cè)試條件不同,，測(cè)量結(jié)果*供參考,，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管,。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài),。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具...

匯流箱的溫升自然就小。②光伏**防反二極管模塊具有熱阻?。ū容^大熱阻結(jié)至模塊底板）,，而普通二極管模塊（比較大熱阻結(jié)至模塊底板達(dá)到）,。熱阻越小，模塊底板到芯片的溫差越小,，模塊工作更可靠,。③光伏**防反二極管模塊具有熱循環(huán)能力強(qiáng)（熱循環(huán)次數(shù)達(dá)到1萬(wàn)次以上）,，而普通二極管模塊受到內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)的影響（冷熱循環(huán)次數(shù)只有2000次，甚至更低）,。熱循環(huán)次數(shù)越多,，模塊越穩(wěn)定，使用壽命更長(zhǎng),。光伏**防反二極管模塊應(yīng)用于匯流箱的主要型號(hào)有：兩路**GJM10-16,，GJM20-16；兩路匯一路GJMK26-16,，GJMK55-16,；單路GJMD26-16,，GJMD55-16。而對(duì)于不太講究設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定...

晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,，又可稱做可控硅整流器,，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅,；1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上***晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極,，陰極和門極,；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管,，逆導(dǎo)晶閘管,，光控晶閘管等,。它是一種大功率開(kāi)關(guān)型半導(dǎo)體器件，在電路中用文字符號(hào)為“V”,、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性,，能在高電壓、大電流條件下工作,，且其工作過(guò)程可以控制,、被***應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓、無(wú)...

使用晶閘管模塊的的八大常識(shí)來(lái)源：日期：2019年06月12日點(diǎn)擊數(shù)：載入中...晶閘管模塊是使用范圍非常廣,，在使用的過(guò)程中需要注意很多細(xì)節(jié)，還有一些使用常識(shí),，下面正高電氣來(lái)介紹下使用晶閘管模塊的八大常識(shí),。1,、模塊在手動(dòng)控制時(shí)，對(duì)所用電位器有何要求,？電位器的功率大于,，阻值范圍—100K。2,、模塊電流選型原則是什么,？當(dāng)模塊導(dǎo)通角大于100度時(shí)，可以按如下原則選取電流：阻性負(fù)載：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的2倍,。感性負(fù)或：模塊標(biāo)稱電流應(yīng)大于負(fù)載額定電流的3倍,。3,、模塊正常工作的條件一個(gè)+12V直流穩(wěn)壓電源（模塊內(nèi)部的工作電源）；一個(gè)0~10V控制信號(hào)（0~5V,、0~10mA,、4~20...

直流儀表一般顯示平均值,，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值小）,，但是輸出電流的有效值很大,，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,，模塊應(yīng)選擇在**大導(dǎo)通角的65％以上工作,，及控制電壓應(yīng)在5V以上。7,、模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流，存在導(dǎo)通角的問(wèn)題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素,，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I>K×I負(fù)載×U**大?MU實(shí)際K：安全系數(shù),，阻性負(fù)載K=，感性負(fù)載K=2,；I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的**大電流；U實(shí)際：負(fù)載上的**小電壓,；U**大：模...

它具有很強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時(shí)過(guò)電壓承受能力,，因而被應(yīng)用于高壓直流輸電(HVDC)、靜止無(wú)功功率補(bǔ)償(SVC)等領(lǐng)域,。其研制水平大約為8000V/3600A,。逆變晶閘因具有較短的關(guān)斷時(shí)間(10～15s)而主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中,，它已讓位于GTR、GTO,、IGBT等新器件,。目前，其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范圍之內(nèi),。5非對(duì)稱晶閘是一種正、反向電壓耐量不對(duì)稱的晶閘管,。而逆導(dǎo)晶閘管不過(guò)是非對(duì)稱晶閘管的一種特例,，是將晶閘管反并聯(lián)一個(gè)二極管制作在同一管芯上的功率集成器件,。與普通晶閘管相比，它具有關(guān)斷時(shí)間短,、...

智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫(xiě),，是一種先進(jìn)的功率開(kāi)關(guān)器件，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度,、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗、高開(kāi)關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn)。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯,、控制、檢測(cè)和保護(hù)電路,，使用起來(lái)方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開(kāi)發(fā)時(shí)間,，也**增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化,、復(fù)合化和功率集成電路(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越***的應(yīng)用,。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進(jìn)的功率開(kāi)關(guān)器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結(jié)...

為了實(shí)現(xiàn)所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11與銅底板3的固定連接，所述銅底板3上涂覆有硅凝膠,，所述硅凝膠對(duì)所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11進(jìn)行包覆固定,。從而,，所述銅底板3通過(guò)所述硅凝膠實(shí)現(xiàn)對(duì)位于其上的***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11進(jìn)行固定,。所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊12、第二門極壓接式組件13,、第三導(dǎo)電片14,、鉬片15、銀片16,、鋁片17,。其中,，所述第二壓塊12設(shè)置于所述第二門極壓接式組件13上，并通過(guò)所述第二門極壓接式組件13對(duì)所述第三導(dǎo)電片14,、鉬片15,、銀片16、鋁片17施加壓合作用力,，所述第三導(dǎo)電片14、鉬片15,、銀片16,、鋁片17依次設(shè)...

5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高,、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電,，抑制過(guò)電壓的效果較差,。因此，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電...

IOTIOT+關(guān)注IoT是InternetofThings的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”,。物聯(lián)網(wǎng)（InternetofThings）又稱傳感網(wǎng),，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸,。海思海思+關(guān)注UHDUHD+關(guān)注UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上**為普遍，目前已有不少?gòu)S商推出了UHD超高清電視,。74ls7474ls74+關(guān)注74LS74是雙D觸發(fā)器,。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài),、寄存器,、移位寄存器、振蕩器,、單穩(wěn)態(tài),、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理,，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容,。STC12C5...

智能功率模塊內(nèi)部功能機(jī)制編輯IPM內(nèi)置的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路使系統(tǒng)硬件電路簡(jiǎn)單,、可靠，縮短了系統(tǒng)開(kāi)發(fā)時(shí)間,，也提高了故障下的自保護(hù)能力。與普通的IGBT模塊相比,，IPM在系統(tǒng)性能及可靠性方面都有進(jìn)一步的提高,。保護(hù)電路可以實(shí)現(xiàn)控制電壓欠壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù),、過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù),。如果IPM模塊中有一種保護(hù)電路動(dòng)作，IGBT柵極驅(qū)動(dòng)單元就會(huì)關(guān)斷門極電流并輸出一個(gè)故障信號(hào)(FO),。各種保護(hù)功能具體如下:(1)控制電壓欠壓保護(hù)(UV):IPM使用單一的+15V供電,，若供電電壓低于12．5V，且時(shí)間超過(guò)toff=10ms,，發(fā)生欠壓保護(hù),，***門極驅(qū)動(dòng)電路,，輸出故障信號(hào)。(2)過(guò)溫保護(hù)(OT):在靠近IGB...

下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,，但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能,、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi),。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1,、蓋板2,、銅底板3、形成于所述蓋板2上的***接頭4,、第二接頭5和第三接頭6,、封裝于所述外殼1內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管...

但輸出基頻就不到50HZ了,，再把8010的18腳接高電平，也就是接成原60HZ的形式,，這時(shí)實(shí)際輸出就為50HZ了,。這個(gè)方法，得到了屹晶公司許工的認(rèn)可,。經(jīng)過(guò)和神八兄多次的策劃,，大約花了一個(gè)月左右的“空閑”時(shí)間,，我終于做出了***塊驅(qū)動(dòng)板,，見(jiàn)下面的圖片,，板子還是比較大的，長(zhǎng)16CM,，寬,。這塊驅(qū)動(dòng)板元器件特別多，有280個(gè)左右的元件,。所以,，畫(huà)PCB和裝樣板,，頗費(fèi)了一番周折。因?yàn)?，一般大功率的機(jī)器,，前級(jí)和后級(jí)可能是分離的,，對(duì)于后級(jí)來(lái)講,，一般是接入360V左右的高壓,，就要能工作,，所以,，這個(gè)驅(qū)動(dòng)卡的輔助電源是高壓輸入的,，我用了一塊PI公司的TNY277的IC,，電路比較簡(jiǎn)單，但輸出路數(shù)很多,，有5...

5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短,、峰值高,、能量大的過(guò)電壓來(lái)不及放電，抑制過(guò)電壓的效果較差,。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān),，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用，當(dāng)過(guò)電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電...

IGBT模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢,？答：當(dāng)PWM波輸出的時(shí)候,，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。我在說(shuō)明變頻器逆變?cè)淼臅r(shí)候,，用的一個(gè)電阻做負(fù)載,。電阻做負(fù)載,，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷,，上圖所示的原理沒(méi)有問(wèn)題。但變頻器實(shí)際是要驅(qū)動(dòng)電機(jī)的,，接在電機(jī)的定子上面,，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”,。電感有一個(gè)特點(diǎn)：它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變,。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時(shí)，加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的,，這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會(huì)“斷斷續(xù)續(xù)”的,，這就給電機(jī)帶來(lái)嚴(yán)重的后果：由于電感斷流時(shí)，會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì),，這個(gè)電動(dòng)勢(shì)加在IGBT上面,，對(duì)IGBT會(huì)有損害。解決的辦法：在IGB...