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作為元件材料,，使用AlGaAs、InGaAlP,、InGaN,、ZnO等化合物半導體,，由于LSI及Tr、Di等使用的Si躍遷概率（電流轉變?yōu)楣獾母怕剩┹^差，因此不適用于激光二極管,。性能特點及應用激光二極管充分利用直進性,、微小光斑尺寸(數(shù)um～)、單色性,、高光密度,、相干性(coherent)這些特點，被用在各種應用上面,。**近,，運動傳感器、HDD熱輔助磁性記錄,、照明（投影儀,、前照燈）上也在使用。以下匯總了按激光二極管的功能分類的用途示例,。激光二極管在計算機上的光盤驅動器,，激光打印機中的打印頭，條形碼掃描儀,，激光測距,、激光醫(yī)療，光通訊,，激光指示等小功率光電設備中得到了***的應用,，在舞臺燈光、激光手術...

②閾值電流Ith：即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的電流,，對一般小功率激光管而言,，其值約在數(shù)十毫安，具有應變多量子阱結構的激光管閾值電流可低至10mA以下,。③工作電流Iop：即激光管達到額定輸出功率時的驅動電流,，此值對于設計調試激光驅動電路較重要。④工作電壓Vop：是發(fā)出規(guī)定的光輸出時需要的正向電壓,。⑤光輸出功率Po：比較大允許的瞬時光學功率輸出,。這適用于連續(xù)或脈沖操作模式。⑥暗電流Id：光電二極管反向偏置時的泄漏電流,。暗電流既取決于溫度又取決于電壓,，理想的二極管/光電二極管在相反的方向上沒有電流。⑦微分效率η：每單位驅動電流的光輸出的增加量,。表示在激光振蕩領域相對于正向電流的光輸出直線的傾斜度,。⑧垂...

產(chǎn)生激光的三個條件是：實現(xiàn)粒子數(shù)反轉、滿足閾值條件和諧振條件,。產(chǎn)生光的受激發(fā)射的首要條件是粒子數(shù)反轉,，在半導體中就是要把價帶內(nèi)的電子抽運到導帶。為了獲得離子數(shù)反轉，通常采用重摻雜的P型和N型材料構成PN結,，這樣,，在外加電壓作用下，在結區(qū)附近就出現(xiàn)了離子數(shù)反轉—在高費米能級EFC以下導帶中貯存著電子,，而在低費米能級EFV以上的價帶中貯存著空穴,。實現(xiàn)粒子數(shù)反轉是產(chǎn)生激光的必要條件，但不是充分條件,。要產(chǎn)生激光,，還要有損耗極小的諧振腔，諧振腔的主要部分是兩個互相平行的反射鏡,，***物質所發(fā)出的受激輻射光在兩個反射鏡之間來回反射,，不斷引起新的受激輻射，使其不斷被放大,。只有受激輻射放大的增益大于激光器內(nèi)的...

上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射,。當自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導體時，一旦經(jīng)過已發(fā)射的電子—空穴對附近,，就能激勵二者復合,，產(chǎn)生新光子，這種光子誘使已激發(fā)的載流子復合而發(fā)出新光子現(xiàn)象稱為受激輻射,。如果注入電流足夠大,，則會形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布，即粒子數(shù)反轉,。當有源層內(nèi)的載流子在大量反轉情況下,，少量自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子由于諧振腔兩端面往復反射而產(chǎn)生感應輻射，造成選頻諧振正反饋,，或者說對某一頻率具有增益,。當增益大于吸收損耗時，就可從PN結發(fā)出具有良好譜線的相干光——激光,，這就是激光二極管的簡單原理,。隨著技術和工藝的發(fā)展，目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構,。常...

主要種類編輯DFB-LDF-P(法布里-珀羅）腔LD已成為常規(guī)產(chǎn)品,，向高可靠低價化方向發(fā)展。DFB-LD的激射波長主要由器件內(nèi)部制備的微小折射光柵周期決定,，依賴沿整個有源層等間隔分布反射的皺褶波紋狀結構光柵進行工作,。DFB-LD兩邊為不同材料或不同組分的半導體晶層,，一般制作在量子阱QW有源層附近的光波導區(qū),。這種波紋狀結構使光波導區(qū)的折射率呈周期性分布，其作用就像一個諧振控，波長選擇機構是光柵,。利用QW材料尺寸效應和DFB光柵的選模作用,，所激射出的光的譜線很寬，在高速率調制下可動態(tài)單縱模輸出,。內(nèi)置調制器的DFB-LD滿足光發(fā)射機小型,、低功耗的要求。同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調制...

產(chǎn)生激光的三個條件是：實現(xiàn)粒子數(shù)反轉,、滿足閾值條件和諧振條件,。產(chǎn)生光的受激發(fā)射的首要條件是粒子數(shù)反轉，在半導體中就是要把價帶內(nèi)的電子抽運到導帶,。為了獲得離子數(shù)反轉,，通常采用重摻雜的P型和N型材料構成PN結，這樣,，在外加電壓作用下,，在結區(qū)附近就出現(xiàn)了離子數(shù)反轉—在高費米能級EFC以下導帶中貯存著電子，而在低費米能級EFV以上的價帶中貯存著空穴,。實現(xiàn)粒子數(shù)反轉是產(chǎn)生激光的必要條件,，但不是充分條件。要產(chǎn)生激光,，還要有損耗極小的諧振腔,，諧振腔的主要部分是兩個互相平行的反射鏡，***物質所發(fā)出的受激輻射光在兩個反射鏡之間來回反射,，不斷引起新的受激輻射,，使其不斷被放大。只有受激輻射放大的增益大于激光器內(nèi)的...

②閾值電流Ith：即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的電流,，對一般小功率激光管而言,，其值約在數(shù)十毫安，具有應變多量子阱結構的激光管閾值電流可低至10mA以下,。③工作電流Iop：即激光管達到額定輸出功率時的驅動電流,，此值對于設計調試激光驅動電路較重要。④工作電壓Vop：是發(fā)出規(guī)定的光輸出時需要的正向電壓,。⑤光輸出功率Po：比較大允許的瞬時光學功率輸出,。這適用于連續(xù)或脈沖操作模式。⑥暗電流Id：光電二極管反向偏置時的泄漏電流,。暗電流既取決于溫度又取決于電壓,，理想的二極管/光電二極管在相反的方向上沒有電流。⑦微分效率η：每單位驅動電流的光輸出的增加量,。表示在激光振蕩領域相對于正向電流的光輸出直線的傾斜度,。⑧垂...

半導體激光二極管的工作原理,，理論上與氣體激光器相同。常用參數(shù)⑴波長：即激光管工作波長,，目前可作光電開關用的激光管波長有635nm,、650nm、670nm,、690nm,、780nm、810nm,、860nm,、980nm等。⑵閾值電流Ith：即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的電流,，對一般小功率激光管而言,，其值約在數(shù)十毫安，具有應變多量子阱結構的激光管閾值電流可低至10mA以下,。⑶工作電流Iop：即激光管達到額定輸出功率時的驅動電流,，此值對于設計調試激光驅動電路較重要。⑷垂直發(fā)散角θ⊥：激光二極管的發(fā)光帶在垂直PN結方向張開的角度,，一般在15?~40?左右,。⑸水平發(fā)散角θ∥：激光二極管的發(fā)光帶在與PN結平行方向...

激光二極管包括單異質結（SH）、雙異質結（DH）和量子阱（QW）激光二極管,。量子阱激光二極管具有閾值電流低,，輸出功率高的優(yōu)點，是市場應用的主流產(chǎn)品,。同激光器相比,，激光二極管具有效率高、體積小,、壽命長的優(yōu)點,，但其輸出功率小，線性差,、單色性不太好,，使其在有線電視系統(tǒng)中的應用受到很大限制，不能傳輸多頻道,，高性能模擬信號,。在雙向光接收機的回傳模塊中，上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源,。單個激光發(fā)射器提供的功率輸出范圍可以從毫瓦到幾瓦,。每個激光發(fā)射器既可單獨使用，也能組合成激光二極管條,，用于固態(tài)激光器的光泵浦,，或集成到激光二極管模組中,，滿足各種應用需求。新特光電的分高功率激光二極管產(chǎn)品提供豐富的...

半導體激光二極管的工作原理,，理論上與氣體激光器相同。常用參數(shù)⑴波長：即激光管工作波長,，目前可作光電開關用的激光管波長有635nm,、650nm、670nm,、690nm,、780nm、810nm,、860nm,、980nm等。⑵閾值電流Ith：即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的電流,，對一般小功率激光管而言,，其值約在數(shù)十毫安，具有應變多量子阱結構的激光管閾值電流可低至10mA以下,。⑶工作電流Iop：即激光管達到額定輸出功率時的驅動電流,，此值對于設計調試激光驅動電路較重要。⑷垂直發(fā)散角θ⊥：激光二極管的發(fā)光帶在垂直PN結方向張開的角度,，一般在15?~40?左右,。⑸水平發(fā)散角θ∥：激光二極管的發(fā)光帶在與PN結平行方向...

產(chǎn)生激光的三個條件是：實現(xiàn)粒子數(shù)反轉、滿足閾值條件和諧振條件,。產(chǎn)生光的受激發(fā)射的首要條件是粒子數(shù)反轉,，在半導體中就是要把價帶內(nèi)的電子抽運到導帶。為了獲得離子數(shù)反轉,，通常采用重摻雜的P型和N型材料構成PN結,，這樣，在外加電壓作用下,，在結區(qū)附近就出現(xiàn)了離子數(shù)反轉—在高費米能級EFC以下導帶中貯存著電子,，而在低費米能級EFV以上的價帶中貯存著空穴。實現(xiàn)粒子數(shù)反轉是產(chǎn)生激光的必要條件,，但不是充分條件,。要產(chǎn)生激光，還要有損耗極小的諧振腔,，諧振腔的主要部分是兩個互相平行的反射鏡,，***物質所發(fā)出的受激輻射光在兩個反射鏡之間來回反射，不斷引起新的受激輻射,，使其不斷被放大,。只有受激輻射放大的增益大于激光器內(nèi)的...

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結,，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場,。當不存在外加電壓時,，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時,，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流,。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強,，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0,。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象,。其它類型LD...

發(fā)光二極管是一種特殊的二極管，發(fā)光二極管由半導體芯片組成,，這些半導體材料會預先通過注入或摻雜等工藝以產(chǎn)生pn結結構,。與其它二極管一樣，發(fā)光二極管中電流可以輕易地從p極（陽極）流向n極（負極）,，而相反方向則不能,。兩種不同的載流子：空穴和電子在不同的電極電壓作用下從電極流向pn結。當空穴和電子相遇而產(chǎn)生復合,，電子會跌落到較低的能階,，同時以光子的方式釋放出能量。它所發(fā)出的光的波長,，及其顏色,，是由組成pn結的半導體物料的禁帶能量所決定。由于硅和鍺是間接禁帶材料,，在這些材料中電子與空穴的復合是非輻射躍遷,，此類躍遷沒有釋出光子，所以硅和鍺二極管不能發(fā)光,。發(fā)光二極管所用的材料都是直接禁帶型的,，這些禁帶能量對...

上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導體時,，一旦經(jīng)過已發(fā)射的電子—空穴對附近,，就能激勵二者復合，產(chǎn)生新光子,，這種光子誘使已激發(fā)的載流子復合而發(fā)出新光子現(xiàn)象稱為受激輻射,。如果注入電流足夠大,，則會形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布，即粒子數(shù)反轉,。當有源層內(nèi)的載流子在大量反轉情況下,，少量自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子由于諧振腔兩端面往復反射而產(chǎn)生感應輻射，造成選頻諧振正反饋,，或者說對某一頻率具有增益,。當增益大于吸收損耗時，就可從PN結發(fā)出具有良好譜線的相干光——激光,，這就是激光二極管的簡單原理,。隨著技術和工藝的發(fā)展,，目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構,。常...

上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導體時,，一旦經(jīng)過已發(fā)射的電子—空穴對附近，就能激勵二者復合,，產(chǎn)生新光子,，這種光子誘使已激發(fā)的載流子復合而發(fā)出新光子現(xiàn)象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大,，則會形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布,，即粒子數(shù)反轉。當有源層內(nèi)的載流子在大量反轉情況下,，少量自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子由于諧振腔兩端面往復反射而產(chǎn)生感應輻射，造成選頻諧振正反饋,，或者說對某一頻率具有增益,。當增益大于吸收損耗時,，就可從PN結發(fā)出具有良好譜線的相干光——激光,，這就是激光二極管的簡單原理,。隨著技術和工藝的發(fā)展,，目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構。常...

激光的產(chǎn)生在講激光產(chǎn)生機理之前,，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程,，一是處于高能態(tài)的粒子自發(fā)向低能態(tài)躍遷,，稱之為自發(fā)輻射,；二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，稱之為受激輻射,；三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收,。自發(fā)輻射，即使是兩個同時從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子,，它們發(fā)出光的相位,、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同,，但受激輻射就不同,，當位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，發(fā)出在頻率,、相位,、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中,，發(fā)生的輻射就是受激輻射,，它發(fā)出的激光在頻率、相位,、偏振狀態(tài)等方面完全一樣,。任何的受激發(fā)光系統(tǒng)，即有...

激光二極管的結構隨著技術和工藝的發(fā)展,，目前實際使用的半導體激光二極管具有復雜的多層結構,。圖2為日本三洋公司的紅光半導體激光二極管的結構。圖3為小功率激光管剖視圖,，由圖可見,，激光芯片貼在用來散熱的熱沉上,，在管座上靠近激光芯片下部封有PIN光電二極管圖4為普通激光二極管的外形,，由圖可見，小功率激光管有三條引腳,，這是因為在管內(nèi)還封裝有一個光電二極管,，用于監(jiān)控激光管工作電流。3.半導體激光二極管的常用參數(shù)有:(1)波長:即激光管工作波長,目前可作光電開關用的激光管波長有635nm650nm70nm690nm,、780nm,、810nm、860nm,、980nm等(2)值電流Ith:即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的...

同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調制器的單芯片光源也在發(fā)展中,。研制成功的電吸收調制器集成光源，采用有源層與調制器吸收層共用多QW結構。調制器的作用如同一個高速開關,，把LD輸出變換成二進制的0和1,。在一塊芯片上形成40種不同的折射光柵，波長1530--1590nm的40路調制器集成光源,，信道間隔為200GHz,。其開發(fā)目標是集成100個發(fā)射波長的LD陣列，以進行9.5THz超大容量的通信,。VCESLVCESL（垂直腔面發(fā)射激光）二極管的特點如下：從其頂部發(fā)射出圓柱形射束,，射束無需進行不對稱矯正或散光矯正，即可調制成用途***的環(huán)形光束,，易與光纖耦合,；轉換效率非常高，功耗*為邊緣發(fā)射LD...

激光二極管本質上是一個半導體二極管,，按照PN結材料是否相同,，可以把激光二極管分為同質結、單異質結（SH）,、雙異質結（DH）和量子阱（QW）激光二極管,。量子阱激光二極管具有閾值電流低,，輸出功率高的優(yōu)點,，是目前市場應用的主流產(chǎn)品。同激光器相比,，激光二極管具有效率高,、體積小、壽命長的優(yōu)點,，但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW），線性差,、單色性不太好,，使其在有線電視系統(tǒng)中的應用受到很大限制，不能傳輸多頻道,，高性能模擬信號,。在雙向光接收機的回傳模塊中，上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源,。當激光二極管注入電流在臨界電流密度以下時,，發(fā)光機制主要是自發(fā)放射，光譜分散較廣,，頻寬大約在100到500埃之間,。原裝...

如果激光二極管通過放大得到的增益（Gain）高于內(nèi)部損耗和磁鏡損耗，則產(chǎn)生振蕩。即存在振蕩電流閾值,。比較大輸出受到扭折（電流-光輸出直線的折彎）,、COD（端面光破壞）、溫度引起的熱飽和等的限制,。測量激光二極管的光輸出時使用光功率計,。如下圖所示，設置受光面時,，使激光的所有光束都入射到光功率計的受光面上,。將受光面相對光軸傾斜5~20°，以避免來自光功率計受光面的反射光返回到激光二極管,。I-L特性表示正向電流 (IF) 和光輸出 (PO) 的關系,，可讀取閾值電流 (Ith) 和工作電流 (Iop) 。監(jiān)視電流 (Im) 是用內(nèi)置的光電二極管監(jiān)視從激光芯片后面射出的激光時的輸出電流,。激光二極管是上世紀...

主要種類編輯DFB-LDF-P(法布里-珀羅）腔LD已成為常規(guī)產(chǎn)品,，向高可靠低價化方向發(fā)展。DFB-LD的激射波長主要由器件內(nèi)部制備的微小折射光柵周期決定,，依賴沿整個有源層等間隔分布反射的皺褶波紋狀結構光柵進行工作,。DFB-LD兩邊為不同材料或不同組分的半導體晶層，一般制作在量子阱QW有源層附近的光波導區(qū),。這種波紋狀結構使光波導區(qū)的折射率呈周期性分布,，其作用就像一個諧振控，波長選擇機構是光柵,。利用QW材料尺寸效應和DFB光柵的選模作用,，所激射出的光的譜線很寬，在高速率調制下可動態(tài)單縱模輸出,。內(nèi)置調制器的DFB-LD滿足光發(fā)射機小型,、低功耗的要求。同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調制...