本發(fā)明屬于光電催化技術(shù)領(lǐng)域,，具體涉及一種sr摻雜batio3/znte光陰極材料的制備方法,，可以實現(xiàn)znte光生載流子的定向分離，并加速界面co2還原反應(yīng)的活性,。背景技術(shù)：能源危機(jī)和溫室效應(yīng)是人類目前急需解決的關(guān)鍵科學(xué)難題,，以太陽能驅(qū)動的co2還原為解決這些問題提供了一個理想的途徑，該反應(yīng)綠色,、**,，條件溫和，吸引了多國和科研人員的目光,。光電催化反應(yīng)技術(shù)整合光催化和電催化技術(shù)的優(yōu)勢,從而實現(xiàn)對co2還原更高的效率和更理想的選擇性。目前,，光電催化co2還原的效率依然很低,，太陽能到化學(xué)能的轉(zhuǎn)化效率遠(yuǎn)低于工業(yè)應(yīng)用所需的10％效率，根本原因在于載流子復(fù)合嚴(yán)重,，界面反應(yīng)動力學(xué)緩慢,。為了推進(jìn)光電催化co2還原技術(shù)的實際應(yīng)用，關(guān)鍵是開發(fā)**載流子分離的光陰極材料,。znte是一種可見光響應(yīng)的p型半導(dǎo)體(),，其導(dǎo)帶邊電勢()遠(yuǎn)負(fù)于其它半導(dǎo)體，能克服co2還原的熱力學(xué)勢壘,，是目前光(電)催化co2還原的理想材料,。但是，單一znte光電極材料依然無法**分離光生載流子,，大部分載流子在界面反應(yīng)發(fā)生之前復(fù)合損失,。構(gòu)建半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié)是分離光生載流子的通用途徑，但該方法往往需要兩個半導(dǎo)體之間的能帶匹配,，且兩相界面需有利于載流子傳輸,。這樣，很大地限制了半導(dǎo)體材料的選擇。因此,。硅光電二極管陣列 選擇世華高,。中山硅光硅光電二極管廠家

深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳,，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作,。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地，負(fù)責(zé)光電器件的制造,。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管,、光電三極管、紅外線接收頭,、發(fā)射管,、發(fā)光二極管、硅光電池,、霍爾元件,、光電開關(guān)、光電編碼器,、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等,。經(jīng)過十余年的發(fā)展，世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商,。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個銷售機(jī)構(gòu),，分布在中國、印度,、泰國,、伊朗、香港等多個國家和地區(qū),?？字睆綖?5um，孔間距35um,；也可以為同心環(huán)結(jié)構(gòu),，該同心環(huán)中心與金屬電極106中心重合，個環(huán)直徑與金屬電極106直徑相同,，相鄰環(huán)間距10um,，環(huán)中心距35um；正面金屬電極106下方的高反層需要刻蝕掉,，以增大同流能力,，降低擴(kuò)散電阻，提高響應(yīng)速度,。進(jìn)一步的,，參見圖5-1～圖5-7,。本發(fā)明還提出一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管的制備方法，包括以下操作：1)在襯底107上濺射生成高反層109,；2)高反層109開設(shè)刻蝕孔,；3)高反層109上通過淀積的方法生長外延層101；4)在外延層101上通過離子注入分別形成保護(hù)環(huán)102和有源區(qū)103,；5)在保護(hù)環(huán)102和有源區(qū)103上生成sio2層104,，然后在sio2層上方生成si3n4層105。中山硅光硅光電二極管廠家世華高硅光電二極管帶你體驗智能系統(tǒng),。

具體實施方式下面結(jié)合實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述,，所述是對本發(fā)明的解釋而不是限定，一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管,，包括背面設(shè)有背面電極108的襯底107,；襯底107正面依次設(shè)有高反層(109、外延層101,、注入層,、氧化硅層、氮化硅層和正面金屬電極106,；所述的高反層109上開設(shè)有用于形成電流路徑的刻蝕孔,，以及與正面金屬電極106相對應(yīng)的刻蝕區(qū)；所述的注入層包括保護(hù)環(huán)102以及設(shè)在其內(nèi)的有源區(qū)103,；所述的正面金屬電極106還貫穿氧化硅層,、氮化硅層與有源區(qū)103相連接。進(jìn)一步的,，所述的襯底107為電阻率20～100為ohm·cm的硅基襯底,，襯底背面直接做金屬化處理形成背面電極108。所述的外延層101淀積在高反層109上,；在外延層101上分別以n型離子注入形成保護(hù)環(huán)102,，以p型離子注入形成有源區(qū)103,；所述的氧化硅層為熱氧化生成sio2層104,，所述的氮化硅層為淀積生長的si3n4層105；所述的正面金屬電極106是在濺射后經(jīng)刻蝕成形,。參見圖2所示的光電二極管等效電路示意圖,，rsh為光電二極管關(guān)斷阻抗，rsh＝∞,，rs為光電二極管串聯(lián)電阻,。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年，總部設(shè)在深圳,，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作,。

水熱時間為2-12h,。地，步驟3所述氮氣保護(hù)條件下的煅燒溫度為200-400℃,，煅燒時間為1-6h,。本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明創(chuàng)造性地利用靜電紡絲技術(shù)制備了sr摻雜batio3納米纖維電極，該方法制備過程簡單,，便于規(guī)?；a(chǎn)。且所制備的sr摻雜batio3鐵電材料自發(fā)極化能力強(qiáng),，在外場環(huán)境下產(chǎn)生較強(qiáng)的表面電場,，能夠有效的分離znte電極的光生載流子，極大地提高了znte載流子的分離效率,，降低了光生載流子的復(fù)合速度,，從而為**co2還原反應(yīng)奠定了堅實的基礎(chǔ)。附圖說明圖1為實施例一中制備的sr摻雜batio3納米纖維的掃描電鏡圖,。圖2為實施例一中制備的sr摻雜batio3/znte電極的掃描電鏡圖,；圖3為實施例二中制備的sr摻雜batio3和sr摻雜batio3/znte電極的線性掃描伏安曲線圖；圖4為實施例三中制備的sr摻雜batio3和sr摻雜batio3/znte電極在,。具體實施方式為了更好的理解本發(fā)明,，下面結(jié)合實施例和附圖進(jìn)一步闡明本發(fā)明的內(nèi)容，但本發(fā)明的內(nèi)容不局限于下面的實施例,。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年,，總部設(shè)在深圳，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作,。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,，負(fù)責(zé)光電器件的制造。專業(yè)硅光電二極管生產(chǎn)廠家就找深圳世華高,。

結(jié)構(gòu)簡單易于實現(xiàn),，不改變原有設(shè)備的主要結(jié)構(gòu)，只增加少量部件和對控制程序的改造,，改造費(fèi)用增加很少,，以很少的設(shè)備投資，既減少了產(chǎn)品生產(chǎn)過程中氮氣使用成本,，又提高了系統(tǒng)的可靠性,；本真空焊接系統(tǒng)通過電磁鐵和磁環(huán)進(jìn)行磁性連接，可有效提升石英玻璃罩與下固定板之間的密封性能,，以保證生產(chǎn)產(chǎn)品的品質(zhì),，從而提高真空焊接系統(tǒng)的實用性。附圖說明圖1為本實用新型正面結(jié)構(gòu)示意圖,。圖2為本實用新型下固定板的結(jié)構(gòu)示意圖,。圖3為本實用新型模塊圖,。圖中：1、石英玻璃罩,；2,、上密封圈；3,、上固定板,；4、plc控制器,；5,、下密封圈；6,、電磁鐵,；7、下固定板,；8,、耐高溫傳輸管道；9,、真空電磁閥,；10、微型真空泵,；11,、氮氣電磁閥；12,、氮氣充氣泵,；13、溫度檢測儀,；14,、熔深檢測儀；15,、卡槽,；16、感應(yīng)線圈,；17,、磁環(huán),。具體實施方式下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,，顯然,，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例,，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍,。請參閱圖1-3,。硅光電二極管電路圖就找世華高！重慶硅光電硅光電二極管電池

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硅光二極管的響應(yīng)時間也是其性能的重要指標(biāo)之一。在高速光通信系統(tǒng)中,，需要選擇具有快速響應(yīng)時間的硅光二極管,，以確保信號的準(zhǔn)確傳輸和處理。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,，硅光二極管的響應(yīng)時間已經(jīng)越來越短,，為高速光通信技術(shù)的發(fā)展提供了有力保障。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司（SIVAGO）成立于2004年,，總部設(shè)在深圳,，主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,，負(fù)責(zé)光電器件的制造,。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管,、紅外線接收頭,、發(fā)射管、發(fā)光二極管,、硅光電池,、霍爾元件、光電開關(guān),、光電編碼器,、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商,。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個銷售機(jī)構(gòu),，分布在中國、印度,、泰國,、伊朗、香港等多個國家和地區(qū),。隨著生產(chǎn)規(guī)模的不斷擴(kuò)大和產(chǎn)品種類的豐富,，公司的銷售業(yè)績穩(wěn)步提升,。中山硅光硅光電二極管廠家