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無錫半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-17

太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝),、制絨設(shè)備(Topcon工藝),、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝)、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝),、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝),、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝),、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等,;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC,、TOPCON,、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu),、功能,、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,,從而提升電池的質(zhì)量和效率,。電池濕法制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)可配套無金屬化制程設(shè)備,提高設(shè)備潔凈度,。無錫半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商

無錫半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商,濕法

光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝),、制絨設(shè)備(Topcon工藝)、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝),、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝),、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝)、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝),、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝),、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等;釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC,、TOPCON,、HPBC等相匹配,在設(shè)備結(jié)構(gòu),、功能,、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理,,從而提升電池的質(zhì)量和效率,。上海工業(yè)濕法設(shè)備HJT工藝電池濕法制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,槽內(nèi)控溫精度誤差<±1℃,。

無錫半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商,濕法

光伏電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加,。太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)、制絨設(shè)備(Topcon工藝),、濕法刻蝕設(shè)備(Perc 工藝),、RCA槽式清洗設(shè)備(Topcon工藝)、電池濕法背拋清洗設(shè)備(Topcon工藝),、濕法制絨設(shè)備(HJT工藝),、電池濕法背拋清洗設(shè)備(XBC工藝)、制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)等

電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,,增加硅片對太陽光的吸收,,降低反射率l增加硅片表面積,,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進(jìn)口PLC控制,,兼容MES,,UPS和RFID功能。機(jī)械手分配合理,,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí),。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?,槽?nèi)控溫精度誤差<±1℃,。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),避免材料雜質(zhì)析出,;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,,保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),,有效提升脫水能力,,匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù),,保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性,。光伏電池濕法制絨清洗設(shè)備(XBC工藝)使硅片正面絨面產(chǎn)生,背面區(qū)域打開,。

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電池濕法設(shè)備的安全性是非常高的,,因?yàn)樗鼈儾捎昧硕喾N安全措施來確保操作人員和設(shè)備的安全,。首先,,電池濕法設(shè)備通常采用密閉式操作,以避免有害氣體泄漏,。其次,,設(shè)備通常配備了氣體檢測器和報(bào)警器,以便在有害氣體泄漏時(shí)及時(shí)發(fā)出警報(bào),。此外,,設(shè)備還配備了消防設(shè)備和緊急停機(jī)按鈕,以便在緊急情況下迅速采取措施,。除此之外,,操作人員通常接受專業(yè)的培訓(xùn),以了解設(shè)備的操作和安全規(guī)程,,并且必須遵守嚴(yán)格的安全程序和標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程,。總之,,電池濕法設(shè)備的安全性非常高,,只要操作人員遵守安全規(guī)程和標(biāo)準(zhǔn)操作規(guī)程,,就可以確保設(shè)備的安全運(yùn)行。光伏電池濕法制絨設(shè)備(Perc 工藝)采用機(jī)械臂慢提方式,,設(shè)備滿足干濕分離,,匹配高效電池發(fā)展趨勢。深圳硅片濕法設(shè)備XBC工藝

太陽能光伏電池濕法制絨設(shè)備(Topcon工藝)使用強(qiáng)堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結(jié)構(gòu),。無錫半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商

光伏電池濕法設(shè)備濕法制絨設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面,,增加硅片對太陽光的吸收,降低反射率l增加硅片表面積,,進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加,。設(shè)備優(yōu)勢是進(jìn)口PLC控制,兼容MES,,UPS和RFID功能,。機(jī)械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時(shí),。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式,,能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差<±1℃,。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì),,避免材料雜質(zhì)析出;引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝,,保證硅片表面的潔凈度,。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu),有效提升脫水能力,,匹配高效電池發(fā)展趨勢,。采用低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性,。無錫半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商