電解拋光腐蝕儀利用電化學原理進行金相樣品的制備,,該設(shè)備工作電壓、電流范圍大,,功能齊全,,既可用于金相試樣的拋光,也可用于金相試樣的腐蝕,,具備制樣快,、重復(fù)性好等優(yōu)點,是鋼鐵,,尤其是不銹鋼及有色金屬試樣制備的理想設(shè)備,,用戶的計算機可直接讀取所有歷史數(shù)據(jù),,可對所有數(shù)據(jù)進行分析、存檔,、打印處理,。電壓、電流范圍大,,可同時滿足各種材料的拋光和腐蝕,,主要用于各大中院校、環(huán)保,、科研、衛(wèi)生,、防疫,、石油、治金,、化工,、醫(yī)療等設(shè)備,本儀器性能好,,無噪聲,。低倍組織熱酸蝕腐蝕,有排液閥門,,方便排放腐蝕廢液,。天津陽極覆膜腐蝕經(jīng)濟實用
電解拋光腐蝕,電解浸蝕參考資料
試驗材料 |
浸蝕液配比 |
電解參數(shù) |
時間 |
陰極材料 |
備注 |
鋁和鋁合金 |
蒸餾水 90ml磷酸(1.71) 10ml |
1~8V |
5~10秒 |
不銹鋼 |
純鋁,,鋁一銅,,鋁一?鋁一,?硅合金 |
銅 |
正磷酸/蒸餾水=2:1 |
0.8V 24,。C |
30秒 |
銅 |
除錫青銅外的合金 |
黃銅 |
正磷酸/水=3:5 |
0.01A/cm2 16~27。C |
幾秒 |
銅 |
α黃銅,,β黃銅 |
黃銅 |
正磷酸/水=4:6 |
0.08~0.012A/cm2 24,。C |
幾秒 |
銅 |
α黃銅 |
黃銅 |
正磷酸/硫酸(濃)/蒸餾水=67:10:23 |
0.8V 24。C |
30秒 |
銅 |
含Sn≤6%的青銅 |
青銅 |
正磷酸/硫酸(濃)/蒸餾水=47:20:33 |
0.8V 24,。C |
30秒 |
銅 |
含Sn≤6%的青銅 |
低倍組織熱腐蝕,,在耐酸的封閉塑料容器里通過耐酸加熱器加熱,,酸液不易揮發(fā)且不會產(chǎn)生安全隱患;容器體積可按需求改變,,有利益工作效率提高,;控制主機與酸蝕容器分離不易被腐蝕,;采用觸摸屏和軟件智能控制溫度、時間的精細控制樣品不會被過蝕,。觸摸屏操作操作簡單和直觀,,更能輕易實現(xiàn)自動化控制;不需要工作人員看守,,工作完成有聲音提示,;控制簡易,操作不安全且較繁瑣不可靠,,難易控制實驗效果,,自動化控制程度不高;未考慮操作人員安全保護,。目的:結(jié)合現(xiàn)場實驗操作人員探討,,使該裝置操作方便可靠,著實考慮操作人員安全,,同時能實現(xiàn)實驗的準確性,、穩(wěn)定性及提高生產(chǎn)效率。
低倍組織熱腐蝕,,測試目的:通過宏觀檢驗發(fā)現(xiàn)鋼中的缺陷及不均勻性,,如:疏松、氣泡,、白點,、翻皮、偏析,、殘余縮孔等,。這些缺陷及不均勻性的存在將會導(dǎo)致鋼材的機械性能、物理性能的降低,,所以低倍檢查在產(chǎn)品驗收,、新品試制、工藝調(diào)整與控制方面占有十分重要的地位,。項目介紹:低倍組織檢驗是用肉眼或放大適當?shù)谋稊?shù)來觀察試樣浸蝕面的宏觀組織缺陷及斷口形貌的一種檢測方法,。低倍檢驗常用的方法有酸蝕、斷口形貌,、硫印,、塔形發(fā)紋等,其中酸蝕又包括熱酸腐蝕法,、冷酸腐蝕法及電解腐蝕法,,如需仲裁是推薦使用熱酸腐蝕法。低倍檢驗所需設(shè)備簡單,,操作簡便迅速結(jié)果直觀,,易于掌握,。晶間腐蝕,有漏電和短路保護,。
電解拋光腐蝕安全規(guī)程:使用含高氯酸電解液時,,必須通循環(huán)水冷卻,配制溫度低于15,。C,,使用溫度應(yīng)低于200C注意安全,防止燃燒,;使用電壓超過60V時,,要注意安全,應(yīng)先放好試樣,,再調(diào)電壓到所需值,,后進行電解拋光,結(jié)束后將電壓調(diào)到零位再取試樣,;當電源接通后,直流檔無論有無負載,,要嚴防短路,,尤其使用外電解浸蝕時更應(yīng)注意;接通負載后(即拋光或腐蝕進行時),,嚴禁轉(zhuǎn)換電壓調(diào)整器,。每次拋光后,應(yīng)關(guān)閉電源防止過熱,;拋光結(jié)束后,,將電解液倒入其它容器中,用水清洗電解槽及冷卻循環(huán)系統(tǒng),。低倍組織熱酸蝕腐蝕采用三層樣品隔離放置方式,,樣品取放方便且增加了工作空間,改善腐蝕性,。杭州鋼的檢驗腐蝕制樣設(shè)備廠家
晶間腐蝕,,是一種很危險的腐蝕。本儀器是用于評價材料的晶間腐蝕性能的儀器,。天津陽極覆膜腐蝕經(jīng)濟實用
晶間腐蝕是什么,?以晶間腐蝕為起源,在應(yīng)力和介質(zhì)的共同作用下,,可使不銹鋼,、鋁合金等誘發(fā)晶間應(yīng)力腐蝕,所以晶間腐蝕有時是應(yīng)力腐蝕的先導(dǎo),,在通常腐蝕條件下,,鈍化合金組織中的晶界活性不大,,但當它具有晶間腐蝕的敏感性時,晶間活性很大,,即晶格粒與晶界之間存在著一定的電位差,,這主要是合金在受熱不當時,組織發(fā)生改變而引起的,。所以晶間腐蝕是一種由組織電化學不均勻性引起的局部腐蝕蝕,。此外晶界存在雜質(zhì)時,在一定介質(zhì)也也會引起晶間腐蝕,。天津陽極覆膜腐蝕經(jīng)濟實用