場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型,、絕緣柵型兩大類(lèi)。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名,。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用非常為多方面的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管,，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）,；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管,，以及非常近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管,、VMOS功率模塊等。效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型,；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi),。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）的分類(lèi)：絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型,。深圳中低壓場(chǎng)效應(yīng)管出廠價(jià)

    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別：場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極,，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極,。將萬(wàn)用表置于R×1k檔,，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻,。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正,、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時(shí),，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換）,，余下的一個(gè)管腳即為柵極G。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,，另外一極是屏蔽極（使用中接地）,。用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極,。若兩次測(cè)出的阻值都很小,，說(shuō)明均是正向電阻，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱(chēng)的，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分。源極與漏極間的電阻約為幾千歐,。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小,，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞,。 惠州中壓場(chǎng)效應(yīng)管銷(xiāo)售廠做家電方案的mos管廠家,。

膩流暢的磁性聲，彈性十足震撼人心的低頻轟炸聲,，別有一番霸道氣勢(shì),。在一般的設(shè)計(jì)中場(chǎng)效應(yīng)管特長(zhǎng)沒(méi)有得到充分發(fā)揮，甚至認(rèn)為聲音偏冷,、偏暗,，其實(shí)這不是場(chǎng)效應(yīng)管的原因,。其聲音不好，一方面是人們使用它直接代換晶體管,，晶體管的線路是不能發(fā)揮出場(chǎng)效應(yīng)管的特性的,；另一方面，這些電路通常使用AB類(lèi)的偏置,。根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性,，在低偏置時(shí)具有嚴(yán)重的非線性，帶來(lái)嚴(yán)重的失真,，解決的辦法是讓其工作在A類(lèi)狀態(tài),，特別是單端A類(lèi)，瞬態(tài)特性較好,，音質(zhì)純美,，偶次諧波豐富，音色悅耳動(dòng)聽(tīng),，更具有電子管的醇美音色,。

由于甲類(lèi)功放在信號(hào)放大過(guò)程中，不存在交越失真,，音樂(lè)味濃郁．深受音響發(fā)燒友推崇而制約甲類(lèi)功放普及的一個(gè)重要因素是幾乎所有的單端甲類(lèi)機(jī)器都需要輸出變壓器,；另外甲類(lèi)機(jī)器功耗較大．機(jī)器的穩(wěn)定性也受到影響。一般家用的甲類(lèi)功放,，具有的6W的功率輸出．足以滿足音樂(lè)欣賞的要求．前提是聽(tīng)音面積不能太大．另外音箱要有較好的靈敏度,，從降低功率作成本、減小功耗,、提高可靠性的角度考慮．需要選擇一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,，功耗相對(duì)較低的線路。mos管代工盟科電子做得很不錯(cuò),。,。

    場(chǎng)效應(yīng)管可以分成兩大類(lèi)，一類(lèi)是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）,，另一類(lèi)是絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）,。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中文全稱(chēng)是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,，所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,，英文簡(jiǎn)稱(chēng)是MOSFET，一般也簡(jiǎn)稱(chēng)為MOS管,。MOSFET的輸入電阻很高,，高達(dá)109Ω以上，從導(dǎo)電溝道來(lái)分，可以分為N溝道和P溝道兩種,，無(wú)論是N溝道還是P溝道,，又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。N溝道的MOS管通常也簡(jiǎn)稱(chēng)為NMOS,，P溝道的MOS管簡(jiǎn)稱(chēng)為PMOS,。MOS管共有3個(gè)腳，柵極G,，漏極D,，源極S，通常情況下,，MOS管的襯底是跟S極在管子內(nèi)部是連接在一起的,，而且,，MOS管的D極和S極之間一般會(huì)有一個(gè)寄生二極管,，所以，你見(jiàn)到的MOS管的符號(hào)通常是畫(huà)成下面這樣的,。 場(chǎng)效應(yīng)管按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型,。大23場(chǎng)效應(yīng)管品牌

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柵極電壓（UGs）對(duì)漏極電流（ID）的控制作用稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性,，反映這兩者之間關(guān)系的曲線稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性曲線,。下圖1-60所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵極電壓UGs取不同的電壓值時(shí),，漏極電流ID將隨之改變,。當(dāng)ID=0時(shí), UGS的值為場(chǎng)效應(yīng)管的夾斷電壓Uq；當(dāng)UGs=0時(shí),，ID的值為場(chǎng)效應(yīng)管的飽和漏極電流Idss,。在Ugs一定時(shí)，反映ID與Uds之間的關(guān)系曲線為輸出特性曲線,，也稱(chēng)為漏極特性曲線,。上圖1-61所示為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線。由圖可見(jiàn),，它分為三個(gè)區(qū)：飽和區(qū),、擊穿區(qū)和非飽和區(qū)。起放大作用時(shí),，應(yīng)工作在飽和區(qū)（這一點(diǎn)與前面講的普通三極管不同）,。注意，此處的“飽和區(qū)”對(duì)應(yīng)普通三極管的“放大區(qū)”,。深圳中低壓場(chǎng)效應(yīng)管出廠價(jià)

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