結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別：場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極,。將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正,、反向電阻,。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等,，均為數(shù)KΩ時(shí),，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)管腳即為柵極G,。對(duì)于有4個(gè)管腳的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。用萬用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極,。若兩次測(cè)出的阻值都很小，說明均是正向電阻,，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，黑表筆接的也是柵極。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,，可以互換使用,，并不影響電路的正常工作，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐,。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小,，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞,。盟科MK3401參數(shù)是可以替代萬代AO3401的參數(shù),。東莞插件場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家

由于耗盡型N溝道MOS管在SiO2絕緣層中摻有大量的Na+或K+正離子（制造P溝道耗盡型MOS管時(shí)摻入負(fù)離子），當(dāng)VGS=0時(shí),，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)能在P型襯底中感應(yīng)出足夠的電子,，形成N型導(dǎo)電溝道；當(dāng)VGS>0時(shí),，將產(chǎn)生較大的ID（漏極電流）,；如果使VGS<0，則它將削弱正離子所形成的電場(chǎng),，使N溝道變窄,，從而使ID減小。這些特性使得耗盡型MOS管在實(shí)際應(yīng)用中,，當(dāng)設(shè)備開機(jī)時(shí)可能會(huì)誤觸發(fā)MOS管,，導(dǎo)致整機(jī)失效；不易被控制,，使得其應(yīng)用極少,。因此，日常我們看到的NMOS,、PMOS多為增強(qiáng)型MOS管,；其中，PMOS可以很方便地用作驅(qū)動(dòng),。不過PMOS由于存在導(dǎo)通電阻大,、價(jià)格貴、替換種類少等問題,，在驅(qū)動(dòng)中,，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無論是應(yīng)用還是產(chǎn)品種類,，增強(qiáng)型NMOS管**非常為常見的重要原因,，尤其在開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS管,。中山雙N場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)格盟科電子支持定制化服務(wù),。

普通三極管參與導(dǎo)電的，既有多數(shù)載流子,，又有少數(shù)載流子,，故稱為雙極型三極管,；而在場(chǎng)效應(yīng)管中只是多子參與導(dǎo)電，故又稱為單極型三極管,。因少子濃度受溫度,、輻射等因素影響較大，所以場(chǎng)效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好,、抗輻射能力強(qiáng),、噪聲系數(shù)很小。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,。三極管是電流控制器件,，通過控制基極電流到達(dá)控制輸出電流的目的。因此,，基極總有一定的電流,，故三極管的輸人電阻較低；場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，其輸出電流決定于柵源極之間的電壓,，柵極基本上不取電流，因此,，它的輸入電阻很高,，可達(dá)109～1014Ω。高輸入電阻是場(chǎng)效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn),。場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極可以互換（某些）,，耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負(fù)，靈活性比三極管強(qiáng),。但要注意，分立的場(chǎng)效應(yīng)管,，有時(shí)已經(jīng)將襯底和源極在管內(nèi)短接,，源極和漏極就不能互換使用了。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,。主要有兩種類型（juncTIonFET—JFET）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET,，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高噪聲小,、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,，并以此命名,。MK3401場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（縮寫FET）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）,、噪聲小、功耗低,、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）,；場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻很大。它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,，所以噪聲相對(duì)會(huì)比較低,。一般可應(yīng)用于遙控玩具。能替代SI的國產(chǎn)品牌有哪些,？惠州功率場(chǎng)效應(yīng)管銷售廠

盟科MK3404參數(shù)是可以替代萬代AO3404的參數(shù),。東莞插件場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家

耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別詳解耗盡型與增強(qiáng)型MOS管的區(qū)別主要在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有在開啟后,，才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正,、零,、負(fù)電壓控制導(dǎo)通，而增強(qiáng)型MOS管必須使得VGS>VGS（th）（柵極閾值電壓）才行,。耗盡型與增強(qiáng)型MOS管簡(jiǎn)述場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類,。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型,，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型,，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的,，也有增強(qiáng)型的。東莞插件場(chǎng)效應(yīng)管推薦廠家

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