場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻基本是無(wú)窮大,，但是GS之間存在一個(gè)電容,，而且場(chǎng)效應(yīng)管能承受電流越大，Cgs一般也越大,，在高速開(kāi)關(guān)時(shí),，MOS會(huì)在突然導(dǎo)通與突然關(guān)斷之間切換,，那么前級(jí)的推動(dòng)電路就需要對(duì)MOS的輸入電容進(jìn)行充放電，如果不要驅(qū)動(dòng)電路,，推動(dòng)電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動(dòng)輸出電阻越大,，MOS的Vgs上升或下降越慢），這樣就使得MOS在相當(dāng)一部分時(shí)間內(nèi)工作在線性區(qū)域,，從而導(dǎo)致開(kāi)關(guān)效率降低,！例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導(dǎo)將萬(wàn)用表置于R×1k（或R×100）檔,，紅表筆接S極，黑表筆接D極,，手持螺絲刀去碰觸柵極,，表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn)，偏轉(zhuǎn)愈大,，管子的跨導(dǎo)愈高,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極，它們是：柵極,；漏極,；源極。溫州P溝增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流,。因此,，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,。場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度,、輻射等外界條件很敏感,，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合,，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適,。場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開(kāi)關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用,。場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱(chēng)的,，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此,，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活,。臺(tái)州P溝增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管多少錢(qián)場(chǎng)效應(yīng)管輸出為輸入的2次冪函數(shù)。

場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制元件,，這一點(diǎn)類(lèi)似于電子管的三極管,，但它的構(gòu)造與工作原理和電子管是截然不同的，與雙極型晶體管相比,，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有如下特點(diǎn)：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過(guò)UGS來(lái)控制ID；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；（6）由于不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低,。

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET工作原理：場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理用一句話說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,，利用柵極與溝道間的PN結(jié)形成的反偏的柵極點(diǎn)壓控制ID,。”更正確地說(shuō),，ID流經(jīng)通路的寬度（溝道橫截面面積）,，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故,。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng),，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng),。從門(mén)極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,，ID飽和。將這種狀態(tài)稱(chēng)為夾斷,。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋,，并不是電流被切斷。場(chǎng)效應(yīng)管由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低,。

場(chǎng)效應(yīng)管大功率電路：(1)為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值.(2)各類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接人電路中,要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性.如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓。(3)MOS場(chǎng)效應(yīng)管由于輸人阻抗極高,所以在運(yùn)輸,、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場(chǎng)效應(yīng)管放人塑料盒子內(nèi),保存時(shí)比較好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮.場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常比雙極結(jié)型晶體管 (BJT)產(chǎn)生更少的噪聲,，因此可應(yīng)用于噪聲敏感電子器件。江蘇氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管用途

場(chǎng)效應(yīng)管布局走線合理,，整機(jī)穩(wěn)定性高,，信噪比佳，音樂(lè)細(xì)節(jié)有很好表現(xiàn) ,。溫州P溝增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單,。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開(kāi)路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng),；其次MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較迅速,，能夠以較高的速度工作，因?yàn)闆](méi)有電荷存儲(chǔ)效應(yīng),；另外MOSFET沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理,，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng)，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低,，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能,。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用，在消費(fèi)電子,、工業(yè)產(chǎn)品,、機(jī)電設(shè)備、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見(jiàn),。溫州P溝增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商

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