場效應(yīng)管電阻法測好壞:測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極,、柵極與源極,、柵極與漏極、柵極G1與柵極G2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞,。具體方法：首先將萬用表置于R×10或R×100檔，測量源極S與漏極D之間的電阻,，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知,，各種不同型號的管，其電阻值是各不相同的）,，如果測得阻值大于正常值,，可能是由于內(nèi)部接觸不良；如果測得阻值是無窮大,，可能是內(nèi)部斷極,。然后把萬用表置于R×10k檔，再測柵極G1與G2之間,、柵極與源極,、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測得其各項(xiàng)電阻值均為無窮大,，則說明管是正常的,；若測得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說明管是壞的,。要注意,，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測,。 場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。東莞N型場效應(yīng)管現(xiàn)貨

場效應(yīng)管判斷跨導(dǎo)的大小:測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對VMOSV溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源極S,、黑表筆接漏極D,，這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓,。此時(shí)柵極是開路的,，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔,，此時(shí)表內(nèi)電壓較高,。當(dāng)用手接觸柵極G時(shí),，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大,，說明管的跨導(dǎo)值越高,；如果被測管的跨導(dǎo)很小，用此法測時(shí),，反向阻值變化不大,。 東莞IC保護(hù)場效應(yīng)管銷售廠在場效應(yīng)晶體管中，當(dāng)以線性模式工作時(shí),，電子可以沿任意方向流過溝道,。

取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應(yīng)用金屬盤來盛放待用器件,。焊接用的電烙鐵須要不錯(cuò)接地,。在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分離,。MOS器件各引腳的焊接依次是漏極,、源極、柵極,。拆機(jī)時(shí)依次相反,。電路板在裝機(jī)之前，要用接地的線夾子去碰一下機(jī)械的各接線端子,，再把電路板接上來,。MOS場效應(yīng)晶體管的柵極在容許條件下，接入保護(hù)二極管,。在檢修電路時(shí)應(yīng)留意查明原來的保護(hù)二極管是不是損壞,。JK9610A型功率場效應(yīng)管測試儀：是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場效應(yīng)管參數(shù)測試設(shè)備，可用于標(biāo)稱電流約在2-85A,，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場效應(yīng)管主要參數(shù)的測試,。場效應(yīng)管測試儀它可以精確測量擊穿電壓VDSS,、柵極打開電壓VGS(th)和放大特點(diǎn)參數(shù)跨導(dǎo)Gfs,，更是是跨導(dǎo)Gfs的測試電流可以達(dá)到50A，由于使用脈沖電流測試法,，即使在大電流測試時(shí)也不會對被測器件導(dǎo)致任何損壞,，更可以在大電流狀況下對場效應(yīng)管開展參數(shù)一致性的測試(配對)；儀器全然可用于同等電流等級的IGBT參數(shù)的測量,；儀器還是一臺性能甚為優(yōu)于的電子元器件耐壓測試裝置,，其測試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA,、25uA三擋可以選項(xiàng),。

場效應(yīng)管估測放大能力:將萬用表撥到R×100檔,，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D,，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,。這時(shí)表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上,。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發(fā)生變化,，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時(shí)表針擺動很小,，說明管子的放大能力較弱,；若表針不動，說明管子已經(jīng)損壞,。由于人體感應(yīng)的50Hz交流電壓較高,，而不同的場效應(yīng)管用電阻檔測量時(shí)的工作點(diǎn)可能不同，因此用手捏柵極時(shí)表針可能向右擺動,，也可能向左擺動,。少數(shù)的管子RDS減小，使表針向右擺動,，多數(shù)管子的RDS增大,，表針向左擺動。無論表針的擺動方向如何,，只要能有明顯地?cái)[動,，就說明管子具有放大能力。 1960年Dawan Kahng發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,。

VMOS場效應(yīng)管:VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管,，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效,、功率開關(guān)器件,。它不光繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動電流?。ㄗ笥?.1μA左右）,，還具有耐壓高（較高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5A～100A）,、輸出功率高（1～250W）,、跨導(dǎo)的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性,。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身,，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）,、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得普遍應(yīng)用,。 場效應(yīng)管場效應(yīng)管更好的熱穩(wěn)定性,，抗輻射性和較低噪聲 。SMD場效應(yīng)管出廠價(jià)

場效應(yīng)管具有噪聲小,、功耗低,、動態(tài)范圍大、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象,。東莞N型場效應(yīng)管現(xiàn)貨

場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個(gè)開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo)通,。導(dǎo)通時(shí),，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）,。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此,，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí),，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流，即IDSS,。 東莞N型場效應(yīng)管現(xiàn)貨

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