三極管是流控型器件,，MOS管是壓控型器件,，可控硅不單單是流控型器件，稍微復(fù)雜一點(diǎn),。分別介紹,。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件，可以用作開關(guān)，也可以用作信號放大。三極管分為NPN型和PNP型,，當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后，三極管導(dǎo)通,。對于NPN三極管而言：在基極是高電平時，三極管導(dǎo)通,；在基極是低電平時,，三極管截至。對于PNP三極管而言：在基極是高電平時,，三極管截至,；在基極是低電平時，三極管導(dǎo)通,。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件,，與三極管相比較，其過電流能力會更大,。MOS管分為NMOS管和PMOS管,。其導(dǎo)通條件不一樣。NMOS管,，在Vgs>0時導(dǎo)通,，Vgs<><0時導(dǎo)通，vgs>0截至,；可控硅的控制方式可控硅的控制方式稍微復(fù)雜一點(diǎn),，可控硅共有四個工作象限，而且可控硅一旦導(dǎo)通,，移除門極觸發(fā)信號后,，依然導(dǎo)通不會關(guān)斷?？煽毓璧膶?dǎo)通條件：門極存在滿足條件的觸發(fā)電流,，T1和T2存在大于管壓降的電壓,。可控硅的截至條件：門極觸發(fā)信號移除,，T1和T2之間的電流小于維持電流,。 場效應(yīng)管轉(zhuǎn)換速率較高，高頻特性好,。東莞氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家現(xiàn)貨

場效應(yīng)管的測試判定:柵極用萬用表黑表筆碰觸管子的一個電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個電極。若兩次測出的阻值都很小,，說明均是正向電阻,，該管屬于N溝道場效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場效應(yīng)管的源極和漏極是對稱的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。  注意不能用此法判定絕緣柵型場效應(yīng)管的柵極,。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高,，柵源間的極間電容又很小，測量時只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓,，容易將管子損壞。 深圳小家電場效應(yīng)管推薦廠家結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管,。

用測電阻法判別場效應(yīng)管的好壞：測電阻法是用萬用表測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極,、柵極與漏極,、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔,，測量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻,，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊中可知，各種不同型號的管,，其電阻值是各不相同的）,，如果測得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良,；如果測得阻值是無窮大,，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬用表置于Ｒ×１０ｋ檔,，再測柵極Ｇ1與Ｇ2之間,、柵極與源極,、柵極與漏極之間的電阻值，當(dāng)測得其各項電阻值均為無窮大,，則說明管是正常的,；若測得上述各阻值太小或?yàn)橥罚瑒t說明管是壞的,。要注意,，若兩個柵極在管內(nèi)斷極，可用元件代換法進(jìn)行檢測,。

場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件,。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管FET之分,。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。MOS場效應(yīng)管有增強(qiáng)型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類,，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型,。場效應(yīng)管有三個電極：D(Drain)稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極,；G(Gate)稱為柵極,，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；S(Source)稱為源極,，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。增強(qiáng)型MOS(EMOS)場效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓?fù)錁?gòu)造,，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,，然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極,，一個是漏極D,，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G,。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat),，用符號B表示。工作原理1．溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時,，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管,，在D、S之間加上電壓,，不會在D,、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時,，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th)稱為開啟電壓）,，經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用,，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。 場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。

場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道,。在功率系統(tǒng)中，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時,，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）,。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此，總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空,，器件將不能按設(shè)計意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗,。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件,。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流,，即IDSS。 柵極(G),，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極,。通過向柵極施加電壓，可以控制ID,?；葜萦惺裁磮鲂?yīng)管產(chǎn)品介紹

場效應(yīng)管的失真多為偶次諧波失真，聽感好,。東莞氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家現(xiàn)貨

場效應(yīng)管的測試判定估測場效應(yīng)管的放大能力: 將萬用表撥到R×100檔,，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D,，相當(dāng)于給場效應(yīng)管加上1.5V的電源電壓,。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G,，將人體的感應(yīng)電壓作為輸入信號加到柵極上,。由于管子的放大作用,，UDS和ID都將發(fā)生變化，也相當(dāng)于D-S極間電阻發(fā)生變化,，可觀察到表針有較大幅度的擺動,。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱,；若表針不動,，說明管子已經(jīng)損壞。 東莞氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管廠家現(xiàn)貨

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