結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例),，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈?。环粗?，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬,，ID變大，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化,，就是說，場效應(yīng)管是電壓控制元件,。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同,。也正因?yàn)槿绱耍沟迷撾娐凡粫驗(yàn)閮晒芡瑫r導(dǎo)通而造成電源短路,。 柵極(G),，調(diào)制溝道電導(dǎo)率的電極,。通過向柵極施加電壓，可以控制ID,。江蘇V型槽場效應(yīng)管作用

用測電阻法判別無標(biāo)志的場效應(yīng)管：首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳,，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個腳為點(diǎn)柵極G1和柵極G2,。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻值記下來，對調(diào)表筆再測量一次,，把其測得電阻值記下來，兩次測得阻值較大的一次,，黑表筆所接的電極為漏極Ｄ,；紅表筆所接的為源極Ｓ。用這種方法判別出來的Ｓ,、Ｄ極,，還可以用估測其管的放大能力的方法進(jìn)行驗(yàn)證，即放大能力大的黑表筆所接的是Ｄ極,；紅表筆所接地是８極,，兩種方法檢測結(jié)果均應(yīng)一樣。當(dāng)確定了漏極Ｄ,、源極Ｓ的位置后,，按Ｄ、Ｓ的對應(yīng)位置裝人電路,，一般G1,、G2也會依次對準(zhǔn)位置，這就確定了兩個柵極G1,、G2的位置，從而就確定了Ｄ,、S,、G1、G2管腳的順序,。 中山氮化鎵場效應(yīng)管生產(chǎn)結(jié)型場效應(yīng)管可以被用來做恒流集成二極管或者定值電阻,。

場效應(yīng)管電極：所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）,、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）,、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外,，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）,、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）,。這個第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行,；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用,，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個集成電路的時候，它的存在就是重要的,。在圖中柵極的長度（length）L，是指源和漏的距離,。寬度（width）是指晶體管的范圍,，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長度大得多,。長度1微米的柵極限制較高頻率約為5GHz,，0.2微米則是約30GHz。

MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（較高可達(dá)1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型,、耗盡型,。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后,，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子,，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指,，當(dāng)VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時,，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子,，使管子轉(zhuǎn)向截止,。 場效應(yīng)管場效應(yīng)管更好的熱穩(wěn)定性，抗輻射性和較低噪聲 ,。

場效應(yīng)管的檢測方法：（1）判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極,，因?yàn)樗土硗鈨蓚€管腳是絕緣的。（2）判定源極S,、漏極D在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正,、反向電阻存在差異,，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極,，紅表筆接D極。（3）測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路,，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極,，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。由于測試條件不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。 在開關(guān)電路中,，場效應(yīng)管可以用于控制電流的開關(guān)狀態(tài),，例如在電源管理電路中控制電源的開關(guān),。溫州P溝增強(qiáng)型場效應(yīng)管分類

場效應(yīng)管的低功耗和高頻率響應(yīng)使其在高速數(shù)字電路和無線通信系統(tǒng)中得到大范圍應(yīng)用,。江蘇V型槽場效應(yīng)管作用

場效應(yīng)管MOSFET分類MOSFET分為兩大類：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,，MOSFET起到的作用相當(dāng)于一個開關(guān),。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通,。導(dǎo)通時,，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極,。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻,，稱為導(dǎo)通電阻RDS（ON）,。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端,，因此，總 是要在柵極加上一個電壓,。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作,，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r刻導(dǎo)通或關(guān)閉,，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時,，開關(guān)關(guān)閉,，而電流停止通過器件。雖然這時器件已經(jīng)關(guān)閉,，但仍然有微小電流存在,，這稱之為漏電流,，即IDSS。 江蘇V型槽場效應(yīng)管作用

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