場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,。而三極管是電流控制元件,。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,。而在信號(hào)源電壓較低,，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)用三極管,。場(chǎng)效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電,，管中運(yùn)動(dòng)的只是一種極性的載流子；三極管既用多子,，又利用少子,。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場(chǎng)合,，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適,。場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場(chǎng)合,。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小，適用于低噪聲放大器的前置級(jí),。 場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝復(fù)雜,，費(fèi)用較高。珠海加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管推薦

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分,。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速,，能夠以較高的速度工作,，因?yàn)闆]有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機(jī)理,，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng),，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能,。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品,、機(jī)電設(shè)備,、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見,。 嘉興金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管推薦場(chǎng)效應(yīng)管的電壓放大倍數(shù)大。

場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法：（1）判定柵極G將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻,。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極,，因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的,。（2）判定源極S、漏極D在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正,、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極,。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時(shí)黑表筆的是S極,，紅表筆接D極,。（3）測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬(wàn)用表的R×1檔,，黑表筆接S極,，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐,。由于測(cè)試條件不同,，測(cè)出的RDS（on）值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小,、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,。 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過控制柵極電壓來控制電流。

與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn),。（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流）；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小,，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大,。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好,；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù),；（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲,，所以噪聲低,。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管可由溝道和柵極之間的絕緣方法來區(qū)分。臺(tái)州半自動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管

場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻,。珠海加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管推薦

場(chǎng)效應(yīng)管判定柵極:用萬(wàn)用表黑表筆碰觸管子的一個(gè)電極,，紅表筆分別碰觸另外兩個(gè)電極。若兩次測(cè)出的阻值都很大,，說明均是反向電阻,，該管屬于N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。制造工藝決定了場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,，可以互換使用，并不影響電路的正常工作,，所以不必加以區(qū)分,。源極與漏極間的電阻約為幾千歐。注意不能用此法判定絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,。因?yàn)檫@種管子的輸入電阻極高，柵源間的極間電容又很小,，測(cè)量時(shí)只要有少量的電荷,，就可在極間電容上形成很高的電壓，容易將管子損壞,。 珠海加強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管推薦

盟科電子,，2010-11-30正式啟動(dòng)，成立了MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管,，開關(guān)二極管,，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO,，集成電路IC 整流器等幾大市場(chǎng)布局,，應(yīng)對(duì)行業(yè)變化，順應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì)發(fā)展，在創(chuàng)新中尋求突破,，進(jìn)而提升盟科,MENGKE的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,，把握市場(chǎng)機(jī)遇，推動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步,。業(yè)務(wù)涵蓋了MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管,，開關(guān)二極管，三極管 ,，三端穩(wěn)壓管 LDO,，集成電路IC 整流器等諸多領(lǐng)域，尤其MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管,，開關(guān)二極管,，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO,，集成電路IC 整流器中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì),，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的電子元器件項(xiàng)目；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng),、科技創(chuàng)新,、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展。我們強(qiáng)化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同,，致力于MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管,，開關(guān)二極管，三極管 ,，三端穩(wěn)壓管 LDO,，集成電路IC 整流器等實(shí)現(xiàn)一體化，建立了成熟的MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管,，開關(guān)二極管,，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO,，集成電路IC 整流器運(yùn)營(yíng)及風(fēng)險(xiǎn)管理體系,，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)，擁有一大批專業(yè)人才,。盟科電子始終保持在電子元器件領(lǐng)域優(yōu)先的前提下,，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)。在MOSFETs,場(chǎng)效應(yīng)管,，開關(guān)二極管,，三極管 ，三端穩(wěn)壓管 LDO,，集成電路IC 整流器等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項(xiàng)目,，積極為更多電子元器件企業(yè)提供服務(wù),。