場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較場效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件,，基極必須取一定的電流。因此,，在信號源額定電流極小的情況,，應(yīng)選用場效應(yīng)管。場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電,。由于少子的濃度對溫度,、輻射等外界條件很敏感,，因此，對于環(huán)境變化較大的場合,，采用場效應(yīng)管比較合適,。場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用,。場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的,，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù),。因此,，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活。 場效應(yīng)管有三種類型：增強(qiáng)型,、耗盡型和開關(guān)型,。臺州固電場效應(yīng)管參數(shù)

結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號,，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡,，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū),，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時,，如果柵極電壓越負(fù),，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏,、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄,，漏極電流ID就愈小,；反之,，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬,，ID變大,，所以用柵極電壓EG可以控制漏極電流ID的變化，就是說,，場效應(yīng)管是電壓控制元件,。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因為如此,，使得該電路不會因為兩管同時導(dǎo)通而造成電源短路,。 蘇州N溝道場效應(yīng)管原理場效應(yīng)管被普遍用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。

場效應(yīng)管在過渡層由于沒有電子,、空穴的自由移動,，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動,。但是此時漏極-源極間的電場,，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層,。因漂移電場的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象,。其次，VGS向負(fù)的方向變化,，讓VGS=VGS(off),，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,，將電子拉向漂移方向的電場,，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通,。

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管,。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）,。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小,、功耗低、動態(tài)范圍大,、易于集成,、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者,。 在振蕩器中，場效應(yīng)管可以用于產(chǎn)生高頻信號,。在電壓控制器中,，F(xiàn)ET可以用于控制電壓的變化。

場效應(yīng)管的檢測方法:（1）準(zhǔn)備工作測量之前,，先把人體對地短路后,，才能摸觸MOSFET的管腳。比較好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通,，使人體與大地保持等電位,。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線,。（2）判定電極將萬用表撥于R×100檔,，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大,，證明此腳就是柵極G,。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐,，其中阻值較小的那一次,，黑表筆接的為D極,，紅表筆接的是S極,。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通,，據(jù)此很容易確定S極,。（3）檢查放大能力（跨導(dǎo)）將G極懸空，黑表筆接D極,，紅表筆接S極,，然后用手指觸摸G極，表針應(yīng)有較大的偏轉(zhuǎn),。雙柵MOS場效應(yīng)管有兩個柵極G1,、G2。為區(qū)分之，可用手分別觸摸G1,、G2極,，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。 場效應(yīng)管工作原理用一句話說,，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID,。東莞絕緣柵型場效應(yīng)管供應(yīng)商

場效應(yīng)管可以用于電子開關(guān)和調(diào)節(jié)器件。臺州固電場效應(yīng)管參數(shù)

場效應(yīng)管和MOS管在主體,、特性和原理規(guī)則方面存在一些區(qū)別,。以下是具體的比較：1.主體：場效應(yīng)管是V型槽MOS場效應(yīng)管，繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率開關(guān)器件,。MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,，屬于絕緣柵型。2.特性：場效應(yīng)管不僅繼承了MOS場效應(yīng)管的優(yōu)良特性,，如輸入阻抗高（≥108W）和驅(qū)動電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（比較高可耐壓1200V）,、工作電流大（1.5A～100A）,、輸出功率高（1～250W）、跨導(dǎo)的線性好,、開關(guān)速度快等特性,。MOS管主要特點是金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（比較高可達(dá)1015Ω）,。3.原理規(guī)則：場效應(yīng)管將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍）、功率放大器,、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用,。而MOS管在VGS=0時處于截止?fàn)顟B(tài)，加入正確的VGS后,，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，形成導(dǎo)電溝道。臺州固電場效應(yīng)管參數(shù)