場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng):結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存,，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí),，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路,，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞,。焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線,，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子,。對(duì)于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接,。特別在焊接絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管時(shí),，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接,。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件,。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用,，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值,，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作,。 場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝簡(jiǎn)單，有利于大規(guī)模集成,。P溝增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成,，其中硅是目前常見(jiàn)的。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成,。特殊的基體材料包括非晶硅,、多晶硅、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管,、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET),。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成。這種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用各種材料制造,，例如碳化硅(SiC),、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs),。2011年6月,，IBM宣布已成功地將石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz,，比標(biāo)準(zhǔn)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管高得多,。 中山大功率場(chǎng)效應(yīng)管廠家場(chǎng)效應(yīng)管的尺寸小,，適合集成電路應(yīng)用。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管,。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET,，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,，也稱為單極型晶體管,。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）,、噪聲小,、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大,、易于集成,、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者,。

根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極,。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1k檔上，任選兩個(gè)電極,，分別測(cè)出其正,、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正,、反向電阻值相等,，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S,。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言,，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ,。也可以將萬(wàn)用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個(gè)電極,，另一只表筆依次去接觸其余的兩個(gè)電極，測(cè)其電阻值,。當(dāng)出現(xiàn)兩次測(cè)得的電阻值近似相等時(shí),，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極,。若兩次測(cè)出的電阻值均很大,，說(shuō)明是ＰＮ結(jié)的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場(chǎng)效應(yīng)管,，且黑表筆接的是柵極,；若兩次測(cè)出的電阻值均很小，說(shuō)明是正向ＰＮ結(jié),，即是正向電阻,，判定為Ｐ溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆接的也是柵極,。若不出現(xiàn)上述情況,，可以調(diào)換黑、紅表筆按上述方法進(jìn)行測(cè)試,，直到判別出柵極為止,。 場(chǎng)效應(yīng)管的工作溫度范圍較寬。

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件,，柵極基本不取電流,，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流,。因此,，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管,。場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電,，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度,、輻射等外界條件很敏感，因此,，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合,，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開(kāi)關(guān)外,，還可作壓控可變線性電阻使用,。場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用,，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù),。因此，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活,。 場(chǎng)效應(yīng)管可以用于放大音頻和射頻信號(hào),。臺(tái)州MOS場(chǎng)效應(yīng)管多少錢(qián)

場(chǎng)效應(yīng)管可以用于功率放大器設(shè)計(jì)。P溝增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

盟科MK3004N大功率MOS用于榨汁機(jī),，手持咖啡機(jī),，破壁機(jī)等家電產(chǎn)品，其內(nèi)阻可以做到4毫歐以為,，芯片面積大,，EAS雪崩能力強(qiáng),，可達(dá)40A，電流可達(dá)100A,，電壓為30V,，N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，封裝形式為貼片TO-252,，產(chǎn)品穩(wěn)定,，可以提供樣品測(cè)試，技術(shù)支持,，深圳盟科電子科技有限公司坐落于深圳市寶安區(qū),，成立于2010年，主要專注場(chǎng)效應(yīng)管的研發(fā),，制造還有應(yīng)用,，同時(shí)還有三極管，二極管,，穩(wěn)壓管,，LDO等產(chǎn)品，主要領(lǐng)域?yàn)橄M(fèi)類市場(chǎng),，歡迎客戶洽談合作,。 P溝增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)