面說(shuō)說(shuō)三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么最大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無(wú)限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：Ib*β〉Ic.進(jìn)入飽和狀態(tài)之后,三極管的集電極跟發(fā)射極之間的電壓將很小,可以理解為 一個(gè)開(kāi)關(guān)閉合了.這樣我們就可以拿三極管來(lái)當(dāng)作開(kāi)關(guān)使用：當(dāng)基極電流為0時(shí),三極管集電極電流為0(這叫做三極管截止),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi);當(dāng)基極電流很 大,以至于三極管飽和時(shí),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合.如果三極管主要工作在截止和飽和狀態(tài),那么這樣的三極管我們一般把它叫做開(kāi)關(guān)管。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)包括低噪聲,、高輸入阻抗,、低功耗、高頻率響應(yīng)等,。佛山N型場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨

場(chǎng)效應(yīng)管傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極,、源極和漏極較大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng),。VMOS管則不同,，其兩大結(jié)構(gòu)特點(diǎn):點(diǎn)，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu),；具有垂直導(dǎo)電性,。由于漏極是從芯片的背面引出,，所以ID不是沿芯片水平流動(dòng)，而是自重?fù)诫sN+區(qū)（源極S）出發(fā),，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),，垂直向下到達(dá)漏極D。因?yàn)榱魍ń孛娣e增大,，所以能通過(guò)大電流,。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場(chǎng)效應(yīng)管,。 東莞常用場(chǎng)效應(yīng)管接線(xiàn)圖場(chǎng)效應(yīng)管的尺寸小,，適合集成電路應(yīng)用。

現(xiàn)行有兩種命名方法,。第一種命名方法與雙極型三極管相同,，第三位字母J代結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O代絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,。第二位字母代材料,，D是P型硅，反型層是N溝道,；C是N型硅P溝道,。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,。第二種命名方法是CS××#,，CS代場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代型號(hào)的序號(hào),，#用字母代同一型號(hào)中的不同規(guī)格,。例如CS14A、CS45G等,。場(chǎng)效應(yīng)管的作用：場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器,。場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻,。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān),。

場(chǎng)效應(yīng)管（FieldEffectTransistor,，簡(jiǎn)稱(chēng)FET）是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件，用于放大和電流。與三極管相比,，場(chǎng)效應(yīng)管具有更高的輸入阻抗,、更低的功耗和更好的高頻特性。場(chǎng)效應(yīng)管有三種常見(jiàn)的類(lèi)型：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）,、JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）和IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）,。其中，MOSFET是常見(jiàn)和廣泛應(yīng)用的一種,。MOSFET是由金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成的,。它包括源極（Source）、柵極（Gate）和漏極三個(gè)電極,。柵極與源極之間通過(guò)氧化層隔離,，形成了一個(gè)電容結(jié)構(gòu)。柵極與源極之間的電壓可以漏極電流的大小,，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的放大和,。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。

   MOS場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管雙極性三極管是電流控制器件,，其輸入電阻不夠高,，在許多場(chǎng)合下不能滿(mǎn)足人們的要求，經(jīng)過(guò)不斷的探索和實(shí)踐,，人們研制出一種仍具有PN結(jié),，但工作機(jī)理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場(chǎng)效應(yīng)管(FET)。

場(chǎng)效應(yīng)三極管用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流,，故此命名,，它的特點(diǎn)是輸入阻抗高、噪音低,、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強(qiáng)，在工藝上便于集成,，因此得到廣的應(yīng)用根據(jù)結(jié)構(gòu)和原理的不同,，場(chǎng)效應(yīng)三極管可分為以下兩大類(lèi)。
①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管(JFET)②絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管(MOS管)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例,，以一塊N型(多子為電子)半導(dǎo)體作基片,，在它的兩側(cè)各光刻出一塊區(qū)域，進(jìn)行高濃度P+擴(kuò)散(三價(jià)的硼),，在兩側(cè)形成兩個(gè)PN結(jié),。兩個(gè)P+區(qū)的引出線(xiàn)連在一起，作為一個(gè)電極,，稱(chēng)之為柵極G,。在N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個(gè)電極，分別叫源極S和漏極D。3個(gè)電極G,、S,、D的作用，可以近似地認(rèn)為分別相當(dāng)于半導(dǎo)體三極管的基極B,、射極E和集電極C,。
兩個(gè)PN結(jié)之間的區(qū)域，稱(chēng)為導(dǎo)電溝道,，當(dāng)在漏極和源極間加上電壓,，這個(gè)區(qū)域就是載流子流過(guò)的渠道，也就是電流的通道,。由于這里的導(dǎo)電通道是N型半導(dǎo)體,，所以這種管子叫N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管. 場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。嘉興J型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

場(chǎng)效應(yīng)管的電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),。佛山N型場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成，其中硅是目前常見(jiàn)的,。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成,。特殊的基體材料包括非晶硅、多晶硅,、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管,、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET)。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成,。這種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用各種材料制造,，例如碳化硅(SiC)、砷化鎵(GaAs),、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs),。2011年6月，IBM宣布已成功地將石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中,。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz,，比標(biāo)準(zhǔn)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管高得多。 佛山N型場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)貨