主板上用的場效應(yīng)管的屬性：1,、工作條件：Ｄ極要有供電，Ｇ極要有控制電壓2,、主板上的場管Ｎ溝道多,，Ｇ極電壓越高，Ｓ極輸出電壓越高3,、主板上的場管Ｇ極電壓達到12Ｖ時,，ＤＳ全然導(dǎo)通,，個別主板上5Ｖ導(dǎo)通4、場管的ＤＳ機能可對調(diào)Ｎ溝道場管的導(dǎo)通截止電壓：導(dǎo)通條件：ＶＧ>ＶＳ,，ＶＧＳ=Ｖ時,，處于導(dǎo)通狀況，且ＶＧＳ越大,，ＩＤ越大截止條件：ＶＧＳ,，ＩＤ并未電流或有很小的電流1、測量極性及管型判斷紅筆接Ｓ,、黑筆接Ｄ值為（300-800）為Ｎ溝道紅筆接Ｄ,、黑筆接Ｓ值為（300-800）為ｐ溝道如果先沒Ｇ、Ｄ再沒Ｓ,、Ｄ會長響,，表筆放在Ｇ和短腳相接放電，如果再長響為擊穿貼片場管與三極管難以區(qū)別,，先按三極管沒,，如果不是按場管測場管測量時，取下去測,，在主板上測量會不準(zhǔn)2,、好壞判斷測Ｄ、Ｓ兩腳值為（300-800）為正常,，如果顯示“０”且長響,，場管擊穿；如果顯示“１”,，場管為開路軟擊穿(測量是好的,，換到主板上是壞的），場管輸出不受G極控制,。 場效應(yīng)管的靜態(tài)功耗較低,。浙江J型場效應(yīng)管供應(yīng)商

場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點,，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級,，與三極管一樣，根據(jù)輸入,、輸出回路公共端選擇不同,，將場效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏,、共柵三種狀態(tài),，如下圖是場效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極,；Rd是漏極電阻,，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au,；Rs是源極電阻,，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容,，消除Rs對交流信號的衰減,。由于場效應(yīng)管是電壓型控制器件，它的柵極幾乎不取電流,，輸入阻抗非常高,，其實要想獲得較大恒流輸出，并且精度提高可以采取基準(zhǔn)源與比較器結(jié)合方法來獲得所需要的效果,。 中山手動場效應(yīng)管原理場效應(yīng)管具有高輸入電阻,、低噪聲、低功耗,、寬動態(tài)范圍,、易于集成、無二次擊穿現(xiàn)象,、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,。

場效應(yīng)管MOSFET運用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分,。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動場效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡單,。MOSFET需要的驅(qū)動電流比 BJT則小得多，而且通?？梢灾苯佑蒀MOS或者集電極開路TTL驅(qū)動電路驅(qū)動,；其次MOSFET的開關(guān)速度比較迅速，能夠以較高的速度工作,，因為沒有電荷存儲效應(yīng)；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理,，它在溫度越高時往往耐力越強,，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能,。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,，在消費電子、工業(yè)產(chǎn)品,、機電設(shè)備,、智能手機以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見。

場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件,。有N溝道器件和P溝道器件,。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET,。MOS場效應(yīng)管有增強型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類,，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型。場效應(yīng)管有三個電極：D(Drain)稱為漏極,，相當(dāng)雙極型三極管的集電極,；G(Gate)稱為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極,；S(Source)稱為源極,，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。增強型MOS(EMOS)場效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓撲構(gòu)造,，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,，然后用光刻工藝擴散兩個高摻雜的N型區(qū)，從N型區(qū)引出電極,，一個是漏極D,，一個是源極S。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G,。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat),，用符號B表示。工作原理1．溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時,，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管,，在D、S之間加上電壓,，不會在D,、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時,，若0＜Vgs＜Vgs(th)時（VGS(th)稱為開啟電壓）,，經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠,。 在開關(guān)控制電路中,，場效應(yīng)管的柵極電壓變化可以控制漏極和源極之間的電流開關(guān)狀態(tài)。

現(xiàn)行有兩種命名方法,。第一種命名方法與雙極型三極管相同,，第三位字母J代結(jié)型場效應(yīng)管，O代絕緣柵場效應(yīng)管,。第二位字母代材料,，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道,。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場效應(yīng)三極管,，3DO6C是絕緣柵型N溝道場效應(yīng)三極管。第二種命名方法是CS××#,，CS代場效應(yīng)管,，××以數(shù)字代型號的序號，#用字母代同一型號中的不同規(guī)格,。例如CS14A,、CS45G等。場效應(yīng)管的作用：場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器,。場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應(yīng)管可以用作可變電阻,。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。 由于場效應(yīng)管的輸入阻抗高,，可以減少電路中的信號損失,，因此在放大低電平信號時非常有用。上海MOS場效應(yīng)管供應(yīng)

ID流經(jīng)通路的寬度,，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故,。浙江J型場效應(yīng)管供應(yīng)商

三極管是流控型器件,，MOS管是壓控型器件，可控硅不單單是流控型器件,，稍微復(fù)雜一點,。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件,，可以用作開關(guān),，也可以用作信號放大。三極管分為NPN型和PNP型,，當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后，三極管導(dǎo)通,。對于NPN三極管而言：在基極是高電平時,，三極管導(dǎo)通；在基極是低電平時，三極管截至,。對于PNP三極管而言：在基極是高電平時,，三極管截至；在基極是低電平時,，三極管導(dǎo)通,。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件，與三極管相比較,，其過電流能力會更大,。MOS管分為NMOS管和PMOS管。其導(dǎo)通條件不一樣,。NMOS管,，在Vgs>0時導(dǎo)通，Vgs<><0時導(dǎo)通,，vgs>0截至,；可控硅的控制方式可控硅的控制方式稍微復(fù)雜一點，可控硅共有四個工作象限,，而且可控硅一旦導(dǎo)通,，移除門極觸發(fā)信號后，依然導(dǎo)通不會關(guān)斷,?？煽毓璧膶?dǎo)通條件：門極存在滿足條件的觸發(fā)電流，T1和T2存在大于管壓降的電壓,?？煽毓璧慕刂翖l件：門極觸發(fā)信號移除，T1和T2之間的電流小于維持電流,。 浙江J型場效應(yīng)管供應(yīng)商