主板上用的場(chǎng)效應(yīng)管的屬性：1,、工作條件：Ｄ極要有供電,，Ｇ極要有控制電壓2,、主板上的場(chǎng)管Ｎ溝道多,，Ｇ極電壓越高，Ｓ極輸出電壓越高3,、主板上的場(chǎng)管Ｇ極電壓達(dá)到12Ｖ時(shí),，ＤＳ全然導(dǎo)通，個(gè)別主板上5Ｖ導(dǎo)通4,、場(chǎng)管的ＤＳ機(jī)能可對(duì)調(diào)Ｎ溝道場(chǎng)管的導(dǎo)通截止電壓：導(dǎo)通條件：ＶＧ>ＶＳ,，ＶＧＳ=Ｖ時(shí)，處于導(dǎo)通狀況,，且ＶＧＳ越大,，ＩＤ越大截止條件：ＶＧＳ，ＩＤ并未電流或有很小的電流1,、測(cè)量極性及管型判斷紅筆接Ｓ,、黑筆接Ｄ值為（300-800）為Ｎ溝道紅筆接Ｄ、黑筆接Ｓ值為（300-800）為ｐ溝道如果先沒(méi)Ｇ,、Ｄ再?zèng)]Ｓ,、Ｄ會(huì)長(zhǎng)響，表筆放在Ｇ和短腳相接放電,，如果再長(zhǎng)響為擊穿貼片場(chǎng)管與三極管難以區(qū)別,，先按三極管沒(méi)，如果不是按場(chǎng)管測(cè)場(chǎng)管測(cè)量時(shí),，取下去測(cè),，在主板上測(cè)量會(huì)不準(zhǔn)2、好壞判斷測(cè)Ｄ,、Ｓ兩腳值為（300-800）為正常,，如果顯示“０”且長(zhǎng)響，場(chǎng)管擊穿,；如果顯示“１”,，場(chǎng)管為開(kāi)路軟擊穿(測(cè)量是好的，換到主板上是壞的）,，場(chǎng)管輸出不受G極控制,。 場(chǎng)效應(yīng)管的靜態(tài)功耗較低,。浙江J型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商

場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn),，因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí),，與三極管一樣，根據(jù)輸入,、輸出回路公共端選擇不同,，將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏,、共柵三種狀態(tài),，如下圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻,，將Rs壓降加至柵極,；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓,，并影響放大倍數(shù)Au,；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓,；C3是旁路電容，消除Rs對(duì)交流信號(hào)的衰減,。由于場(chǎng)效應(yīng)管是電壓型控制器件,，它的柵極幾乎不取電流，輸入阻抗非常高,，其實(shí)要想獲得較大恒流輸出,，并且精度提高可以采取基準(zhǔn)源與比較器結(jié)合方法來(lái)獲得所需要的效果。 中山手動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管原理場(chǎng)效應(yīng)管具有高輸入電阻,、低噪聲,、低功耗、寬動(dòng)態(tài)范圍,、易于集成,、無(wú)二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),。

場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET運(yùn)用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數(shù)字電路中,，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于：首先驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用電路電路比較簡(jiǎn)單,。MOSFET需要的驅(qū)動(dòng)電流比 BJT則小得多,，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開(kāi)路TTL驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng),；其次MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較迅速,，能夠以較高的速度工作,，因?yàn)闆](méi)有電荷存儲(chǔ)效應(yīng)；另外MOSFET沒(méi)有二次擊穿失效機(jī)理,，它在溫度越高時(shí)往往耐力越強(qiáng),，而且發(fā)生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內(nèi)提供較好的性 能,。MOSFET已經(jīng)得到了大量應(yīng)用,，在消費(fèi)電子、工業(yè)產(chǎn)品,、機(jī)電設(shè)備,、智能手機(jī)以及其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見(jiàn)。

場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件,。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管FET之分,。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET,。MOS場(chǎng)效應(yīng)管有增強(qiáng)型（EnhancementMOS或EMOS）和耗盡型(MOS或DMOS）兩大類，每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型,。場(chǎng)效應(yīng)管有三個(gè)電極：D(Drain)稱為漏極,，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極,，相當(dāng)于雙極型三極管的基極,；S(Source)稱為源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極,。增強(qiáng)型MOS(EMOS)場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對(duì)稱的拓?fù)錁?gòu)造,，它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層，然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個(gè)高摻雜的N型區(qū),，從N型區(qū)引出電極,，一個(gè)是漏極D，一個(gè)是源極S,。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G,。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat)，用符號(hào)B表示,。工作原理1．溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時(shí),，漏源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管，在D,、S之間加上電壓,，不會(huì)在D、S間構(gòu)成電流。當(dāng)柵極加有電壓時(shí),，若0＜Vgs＜Vgs(th)時(shí)（VGS(th)稱為開(kāi)啟電壓）,，經(jīng)過(guò)柵極和襯底間的電容作用，將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠,。 在開(kāi)關(guān)控制電路中,，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓變化可以控制漏極和源極之間的電流開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

現(xiàn)行有兩種命名方法,。第一種命名方法與雙極型三極管相同,，第三位字母J代結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，O代絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,。第二位字母代材料,，D是P型硅，反型層是N溝道,；C是N型硅P溝道,。例如,3DJ6D是結(jié)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管，3DO6C是絕緣柵型N溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管,。第二種命名方法是CS××#,，CS代場(chǎng)效應(yīng)管，××以數(shù)字代型號(hào)的序號(hào),，#用字母代同一型號(hào)中的不同規(guī)格,。例如CS14A、CS45G等,。場(chǎng)效應(yīng)管的作用：場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大,。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小,，不必使用電解電容器。場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換,。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開(kāi)關(guān),。 由于場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗高，可以減少電路中的信號(hào)損失,，因此在放大低電平信號(hào)時(shí)非常有用,。上海MOS場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)

ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積,，它是由pn結(jié)反偏的變化,，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。浙江J型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商

三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件,，可控硅不單單是流控型器件,，稍微復(fù)雜一點(diǎn)。分別介紹,。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件,，可以用作開(kāi)關(guān)，也可以用作信號(hào)放大,。三極管分為NPN型和PNP型,，當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后，三極管導(dǎo)通,。對(duì)于NPN三極管而言：在基極是高電平時(shí),，三極管導(dǎo)通；在基極是低電平時(shí),，三極管截至,。對(duì)于PNP三極管而言：在基極是高電平時(shí)，三極管截至,；在基極是低電平時(shí),，三極管導(dǎo)通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件,，與三極管相比較,，其過(guò)電流能力會(huì)更大。MOS管分為NMOS管和PMOS管,。其導(dǎo)通條件不一樣,。NMOS管，在Vgs>0時(shí)導(dǎo)通,，Vgs<><0時(shí)導(dǎo)通,，vgs>0截至；可控硅的控制方式可控硅的控制方式稍微復(fù)雜一點(diǎn),，可控硅共有四個(gè)工作象限,，而且可控硅一旦導(dǎo)通，移除門(mén)極觸發(fā)信號(hào)后,，依然導(dǎo)通不會(huì)關(guān)斷,。可控硅的導(dǎo)通條件：門(mén)極存在滿足條件的觸發(fā)電流,，T1和T2存在大于管壓降的電壓,。可控硅的截至條件：門(mén)極觸發(fā)信號(hào)移除,，T1和T2之間的電流小于維持電流,。 浙江J型場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商