面說(shuō)說(shuō)三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么最大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無(wú)限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：Ib*β〉Ic.進(jìn)入飽和狀態(tài)之后,三極管的集電極跟發(fā)射極之間的電壓將很小,可以理解為 一個(gè)開(kāi)關(guān)閉合了.這樣我們就可以拿三極管來(lái)當(dāng)作開(kāi)關(guān)使用：當(dāng)基極電流為0時(shí),三極管集電極電流為0(這叫做三極管截止),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi);當(dāng)基極電流很 大,以至于三極管飽和時(shí),相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合.如果三極管主要工作在截止和飽和狀態(tài),那么這樣的三極管我們一般把它叫做開(kāi)關(guān)管,。場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、電源等,?；葜葜械蛪簣?chǎng)效應(yīng)管加工廠

用測(cè)電阻法判別場(chǎng)效應(yīng)管的好壞：測(cè)電阻法是用萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極,、柵極與漏極,、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場(chǎng)效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。具體方法：首先將萬(wàn)用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100檔,，測(cè)量源極Ｓ與漏極Ｄ之間的電阻,，通常在幾十歐到幾千歐范圍（在手冊(cè)中可知，各種不同型號(hào)的管,，其電阻值是各不相同的）,，如果測(cè)得阻值大于正常值，可能是由于內(nèi)部接觸不良,；如果測(cè)得阻值是無(wú)窮大,，可能是內(nèi)部斷極。然后把萬(wàn)用表置于Ｒ×１０ｋ檔,，再測(cè)柵極Ｇ1與Ｇ2之間,、柵極與源極、柵極與漏極之間的電阻值,，當(dāng)測(cè)得其各項(xiàng)電阻值均為無(wú)窮大,，則說(shuō)明管是正常的；若測(cè)得上述各阻值太小或?yàn)橥?，則說(shuō)明管是壞的,。要注意，若兩個(gè)柵極在管內(nèi)斷極,，可用元件代換法進(jìn)行檢測(cè),。中山場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管具有放大和開(kāi)關(guān)功能。

根據(jù)材料的不同,，場(chǎng)效應(yīng)管可以分為MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）和JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）兩種,。MOSFET是目前應(yīng)用*****的場(chǎng)效應(yīng)管，它由金屬柵極,、絕緣層和半導(dǎo)體構(gòu)成,。JFET則是由PN結(jié)構(gòu)構(gòu)成，柵極與半導(dǎo)體之間沒(méi)有絕緣層,。MOSFET具有輸入電容小,、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于高頻放大和開(kāi)關(guān)電路；而JFET具有輸入電容大,、噪聲低等特點(diǎn),，適用于低頻放大和調(diào)節(jié)電路。場(chǎng)效應(yīng)管具有許多獨(dú)特的特點(diǎn),，使其在電子器件中得到廣泛應(yīng)用,。首先，場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗高,，可以減小輸入信號(hào)源的負(fù)載效應(yīng),，提高電路的靈敏度。其次,，場(chǎng)效應(yīng)管的輸出阻抗低,，可以提供較大的輸出電流，適用于驅(qū)動(dòng)負(fù)載電路,。此外,，場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲低,，可以提高電路的信噪比,。此外，場(chǎng)效應(yīng)管還具有體積小,、功耗低,、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，適用于集成電路和便攜式設(shè)備,。

場(chǎng)效應(yīng)管的分類方式有多種,。按導(dǎo)電溝道的類型可分為N溝道和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。N溝道場(chǎng)效應(yīng)管在柵極電壓為正時(shí)導(dǎo)通,，而P溝道場(chǎng)效應(yīng)管則在柵極電壓為負(fù)時(shí)導(dǎo)通,。此外，還可以根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管,。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與溝道之間通過(guò)PN結(jié)連接,，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與溝道之間則由絕緣層隔開(kāi)。不同類型的場(chǎng)效應(yīng)管在性能和應(yīng)用上各有特點(diǎn),，工程師們可以根據(jù)具體的電路需求選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管,。在放大電路中，場(chǎng)效應(yīng)管表現(xiàn)出了出色的性能,。由于其高輸入阻抗,，對(duì)輸入信號(hào)的影響很小，可以有效地減少信號(hào)源的負(fù)載,。同時(shí),，場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)低，能夠提供更加清晰的放大信號(hào),。在共源極放大電路中,，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極作為輸入端口,，源極接地，漏極作為輸出端口,。通過(guò)調(diào)整柵極電壓,，可以控制漏極電流，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的放大,。這種放大方式具有較高的電壓增益和較低的輸出阻抗,，適用于各種信號(hào)放大應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管由源極,、漏極和柵極三個(gè)電極組成,，其中柵極與源極之間的電場(chǎng)可以控制漏極和源極之間的電流。

場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以由各種半導(dǎo)體制成,，其中硅是目前常見(jiàn)的,。大多數(shù)場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用傳統(tǒng)的批量半導(dǎo)體加工技術(shù)并由單晶半導(dǎo)體晶片作為有源區(qū)或溝道制造而成。特殊的基體材料包括非晶硅,、多晶硅,、其他非晶半導(dǎo)體以及薄膜晶體管、有機(jī)半導(dǎo)體基有機(jī)晶體管(OFET),。有機(jī)晶體管的柵極絕緣體和電極通常是由有機(jī)材料制成,。這種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管使用各種材料制造，例如碳化硅(SiC),、砷化鎵(GaAs),、氮化鎵(GaN)和砷化銦鎵(InGaAs)。2011年6月,，IBM宣布已成功地將石墨烯基場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用于集成電路中,。這些晶體管的頻率上限約為2.23 GHz，比標(biāo)準(zhǔn)硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管高得多,。在放大器中,，場(chǎng)效應(yīng)管可以用于放大音頻信號(hào)、射頻信號(hào)和微波信號(hào),。深圳氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管怎么樣

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō),，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID?；葜葜械蛪簣?chǎng)效應(yīng)管加工廠

1,、觀察場(chǎng)效應(yīng)管,，看待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管是否損壞，有無(wú)燒焦或引腳斷裂等情況。如果有,，則場(chǎng)效應(yīng)管損壞,。
2、如果待測(cè)場(chǎng)效應(yīng)管的外觀沒(méi)有問(wèn)題,，接著將場(chǎng)效應(yīng)管從主板中卸下,，并清潔場(chǎng)效應(yīng)管的引腳，去除引腳上的污物,，確保測(cè)量的準(zhǔn)確性,。清潔完成后，開(kāi)始準(zhǔn)備測(cè)量,。首先將數(shù)字萬(wàn)用表的功能旋鈕旋至二極管擋,，然后將場(chǎng)效應(yīng)管的3個(gè)引腳短接放電
3、接著將數(shù)字萬(wàn)用表的黑表筆任意接觸場(chǎng)效應(yīng)管的一個(gè)電極,，紅表筆依次接觸其余的兩個(gè)電極,，測(cè)其電阻值。
3,、接下來(lái)將紅表筆不動(dòng),，黑表筆移到另一個(gè)電極上，測(cè)量其電阻值,，測(cè)得的電阻值為“509”,。
4,、由于三次測(cè)量的阻值中,，有兩組電阻值為“1”，另一組電阻值為300—800Q,，因此可以判斷此場(chǎng)效應(yīng)管正常,。
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