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中山場效應(yīng)管性能

來源: 發(fā)布時間:2021-11-13

    電子產(chǎn)品失效故障中,虛焊焊點失效占很大比重,,據(jù)統(tǒng)計數(shù)字表明,,在電子整機(jī)產(chǎn)品故障中,,有將近一半是由于焊接不良引起的,幾乎超過電子元器件失效的概率,,它使電子產(chǎn)品可靠性降低,,輕則噪聲增加技術(shù)指標(biāo)劣化,重則電路板無法完成設(shè)計功能,,更為嚴(yán)重的是導(dǎo)致整個系統(tǒng)在未有任何前兆的情況下突然崩潰,,造成重大的經(jīng)濟(jì)損失和信譽(yù)損失。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)的測試環(huán)節(jié)以及售后維修環(huán)節(jié),,虛焊造成的故障讓技術(shù)人員在時間,、精力上造成極大的浪費,有時為找一個虛焊點,,用上一整天的時間的情況并不鮮見,。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程及維修過程中,即使從各方面努力,,也無法杜絕虛焊現(xiàn)象,,因此,虛焊一直是困擾電子行業(yè)的焦點問題,。筆者長期從事電子產(chǎn)品裝聯(lián),、電子電路測試、電子產(chǎn)品優(yōu)化和電子產(chǎn)品系統(tǒng)維修,,淺談《電子產(chǎn)品生產(chǎn)中虛焊分析及預(yù)防》,,旨在減少虛焊的危害,提高電子產(chǎn)品質(zhì)量,,也是拋磚引玉,,以引起大家對虛焊的注。虛焊:在電子產(chǎn)品裝聯(lián)過程中所產(chǎn)生的不良焊點之一,,焊點的焊接界面上未形成良好的金屬間化合物(IMC),它使元器件與基板間形成不可靠連接,。(這里定義的虛焊指PCBA上的焊點虛焊。)產(chǎn)生原因:基板可焊面和電子元件可焊面被氧化或污染,。 中壓mos管深圳哪家廠做的好,?中山場效應(yīng)管性能

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    PCB變形一般有兩種情況:一是來料變形,把好進(jìn)料關(guān),,對PCB按標(biāo)準(zhǔn)驗收,。PCB板翹曲度標(biāo)準(zhǔn)請參考IPC-A-600G第平整度標(biāo)準(zhǔn):對于表面安裝元件(如SMT貼裝)的印制板其扭曲和弓曲標(biāo)準(zhǔn)為不大于.測試方法參考,其可焊性指標(biāo)也不盡相同,,倘若可焊性指標(biāo)不合格,,也是造成虛焊的一大原因。部分PCB在回流焊接中高溫時段發(fā)生翹曲變形,降溫后回復(fù)平整,,造成虛焊,,并且造成較大應(yīng)力,焊點后期失效的可能性很大,。3助焊劑,、焊料因素引起的虛焊及其預(yù)防助焊劑原因引起虛焊及預(yù)防在THT或SMT、THT混裝工藝中,,波峰焊前要進(jìn)行助焊劑涂覆,,助焊劑性能不良將不能有效去除元件焊面與PCB插裝孔、焊盤上的氧化物,,導(dǎo)致焊點虛焊,。這在更換助焊劑廠家或型號時,應(yīng)加以特別注意,。特別是采用新型號助焊劑時,,應(yīng)做焊接試驗。助焊劑要常檢查濃度,,要按工藝規(guī)程更新,。焊料因素引起的虛焊及其預(yù)防在波峰焊工序中,錫鉛焊料在250℃高溫下不斷氧化,,使焊料的含錫量不斷下降,,偏離共晶點,導(dǎo)致焊料流動性差,,出現(xiàn)虛焊和焊點強(qiáng)度不夠,。可采用下面的方法來解決,。添加氧化還原劑,,使已氧化的SnO還原成Sn,減小錫渣的產(chǎn)生,;不斷除去焊料浮渣,;每次焊接前添加一定量的錫;采用含有抗氧化磷的焊料,。采用氮氣保護(hù)焊接,。開關(guān)場效應(yīng)管哪里買在現(xiàn)用電器件上,一般都用場效應(yīng)管做開關(guān)來用,,他的效率是比較高的,。

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    讓氮氣把焊料與空氣隔絕開來,這樣就大為減少浮渣的產(chǎn)生,。目前較好的方法是在氮氣保護(hù)下使用含磷的焊料,可將浮渣率控制在**低的程度,焊接缺陷**少,。在SMT工藝中回流焊工序,,焊膏在使用中也會不斷氧化,其中的金屬含量越來越低,,或者其中的助焊劑變少,,也會造成虛焊。合理選用回流溫度曲線,,可降低虛焊的產(chǎn)生,。焊料與PCB金屬層,焊料與元件腳金屬層之間的匹配不當(dāng),,也會造成虛焊,。有鉛焊料與無鉛焊端混用時,如果采用有鉛焊料的溫度曲線,,有鉛焊料先熔,,而無鉛焊端不能完全熔化,使元件一側(cè)的界面不能生成良好的金屬間合金層,,因此有鉛焊料與無鉛焊端混用時焊接質(zhì)量**差,。在這種情況下,可提高焊接溫度,,一般提高到230~235℃就可以了,。4其他因素造成虛焊及其預(yù)防1)波峰焊和回流焊焊料降溫凝固的過程中,PCBA抖動產(chǎn)生擾動的焊點,,其強(qiáng)度低,,在客戶使用中焊點極易開路出現(xiàn)故障,電子裝聯(lián)中,,也常把這種情況歸在虛焊的范疇,。2)當(dāng)PCBA存在較大的彎曲時,產(chǎn)品裝配中,,將其固定在機(jī)箱的底座上,,PCBA被強(qiáng)制平整,產(chǎn)生應(yīng)力,,焊點隨時間將產(chǎn)生裂紋,,導(dǎo)致開路。(嚴(yán)格講,,這應(yīng)該是焊點后期失效,,屬廣義的虛焊了)。預(yù)防的方法是采用平整度合格的PCB,。

    三極管是流控型器件,,MOS管是壓控型器件,可控硅不單單是流控型器件,稍微復(fù)雜一點,。分別介紹,。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件,可以用作開關(guān),,也可以用作信號放大,。三極管分為NPN型和PNP型,當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后,,三極管導(dǎo)通,。對于NPN三極管而言:在基極是高電平時,三極管導(dǎo)通,;在基極是低電平時,,三極管截至。對于PNP三極管而言:在基極是高電平時,,三極管截至,;在基極是低電平時,三極管導(dǎo)通,。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件,,與三極管相比較,其過電流能力會更大,。MOS管分為NMOS管和PMOS管,。其導(dǎo)通條件不一樣。NMOS管,,在Vgs>0時導(dǎo)通,,Vgs<><0時導(dǎo)通,vgs>0截至,;可控硅的控制方式可控硅的控制方式稍微復(fù)雜一點,,可控硅共有四個工作象限,而且可控硅一旦導(dǎo)通,,移除門極觸發(fā)信號后,,依然導(dǎo)通不會關(guān)斷??煽毓璧膶?dǎo)通條件:門極存在滿足條件的觸發(fā)電流,,T1和T2存在大于管壓降的電壓??煽毓璧慕刂翖l件:門極觸發(fā)信號移除,,T1和T2之間的電流小于維持電流。盟科MK6409參數(shù)是可以替代萬代AO6409的參數(shù),。

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    MOS場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管雙極性三極管是電流控制器件,,其輸入電阻不夠高,,在許多場合下不能滿足人們的要求,經(jīng)過不斷的探索和實踐,,人們研制出一種仍具有PN結(jié),,但工作機(jī)理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場效應(yīng)管(FET),。場效應(yīng)三極管用電場效應(yīng)來控制電流,,故此命名,它的特點是輸入阻抗高,、噪音低,、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強(qiáng),在工藝上便于集成,,因此得到廣的應(yīng)用根據(jù)結(jié)構(gòu)和原理的不同,,場效應(yīng)三極管可分為以下兩大類。①結(jié)型場效應(yīng)三極管(JFET)②絕緣柵型場效應(yīng)三極管(MOS管)結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例,,以一塊N型(多子為電子)半導(dǎo)體作基片,,在它的兩側(cè)各光刻出一塊區(qū)域,進(jìn)行高濃度P+擴(kuò)散(三價的硼),,在兩側(cè)形成兩個PN結(jié),。兩個P+區(qū)的引出線連在一起,作為一個電極,,稱之為柵極G,。在N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個電極,分別叫源極S和漏極D,。3個電極G,、S、D的作用,,可以近似地認(rèn)為分別相當(dāng)于半導(dǎo)體三極管的基極B,、射極E和集電極C。兩個PN結(jié)之間的區(qū)域,,稱為導(dǎo)電溝道,,當(dāng)在漏極和源極間加上電壓,這個區(qū)域就是載流子流過的渠道,,也就是電流的通道,。由于這里的導(dǎo)電通道是N型半導(dǎo)體,所以這種管子叫N溝道結(jié)型場效應(yīng)管,,它的為符號如圖所示,。箭頭的方向。盟科電子場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源,。貼片場效應(yīng)管生產(chǎn)過程

中低壓場效應(yīng)管選擇盟科電子,。中山場效應(yīng)管性能

    場效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電,,用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件,。有結(jié)型場效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場效應(yīng)三極管FET之分,。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極管MOSFET。MOS場效應(yīng)管有增強(qiáng)型(EnhancementMOS或EMOS)和耗盡型(MOS或DMOS)兩大類,,每一類有N溝道和P溝道兩種導(dǎo)電類型,。場效應(yīng)管有三個電極:D(Drain)稱為漏極,相當(dāng)雙極型三極管的集電極,;G(Gate)稱為柵極,,相當(dāng)于雙極型三極管的基極;S(Source)稱為源極,,相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極,。增強(qiáng)型MOS(EMOS)場效應(yīng)管MOSFET根本上是一種左右對稱的拓?fù)錁?gòu)造,它是在P型半導(dǎo)體上生成一層SiO2薄膜絕緣層,,然后用光刻工藝擴(kuò)散兩個高摻雜的N型區(qū),,從N型區(qū)引出電極,一個是漏極D,,一個是源極S,。在源極和漏極之間的絕緣層上鍍一層金屬鋁作為柵極G。P型半導(dǎo)體稱為襯底(substrat),,用符號B表示,。工作原理1.溝道構(gòu)成原理當(dāng)Vgs=0V時,漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管,,在D,、S之間加上電壓,不會在D,、S間構(gòu)成電流,。當(dāng)柵極加有電壓時,若0<Vgs<Vgs(th)時(VGS(th)稱為開啟電壓),,經(jīng)過柵極和襯底間的電容作用,,將靠近柵極下方的P型半導(dǎo)體中的空穴向下方排擠。中山場效應(yīng)管性能

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