鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì),，鋰電保護(hù)的GND接電池的B-,，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地,。②帶EPAD的芯片,，一般EPAD接芯片的GND（B-），請嚴(yán)格按照規(guī)格書中的典型原理圖來做,。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的,，VT腳通常可接芯片GND（B-）,，或者懸空,。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與,，濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩(wěn)定,，該電阻和電容缺一不可,，缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能，增加生產(chǎn)的不良率（XB5432不加電容）,。不同IC的電阻取值有差異,，請根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用,、LED照明應(yīng)用,、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等,，可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值,，如采用1K和、500Ω+1uF,、1K+1uF等,，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè),，可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級(jí)ESD,，增強(qiáng)對(duì)尖峰電壓等外部信號(hào)的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用,，減小內(nèi)阻,，增強(qiáng)持續(xù)電流，多芯片并聯(lián)使用時(shí),，芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò),，電阻可共用，但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容,。線性穩(wěn)壓器使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或 FET,，減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓,。北京2m1EAB賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

3串鋰電池保護(hù)芯片介紹,XBM3360  3串集成Sense/SOP8  保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù),，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能,，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：3串鋰電池的保護(hù)芯片電路的過電流保護(hù)閾值由開關(guān)MOS管決定,，如果覺得該閾值較小,，可以將多個(gè)開關(guān)MOS管進(jìn)行并聯(lián)操作，以增大過流電流,，將兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起,，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能東莞XBM3204DBA賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保適用范圍：適用于標(biāo)稱電壓3.7V,，充滿電壓4.2V的鋰電池,。2組電池的容量/內(nèi)阻越接近越好。

    深圳市點(diǎn)思半導(dǎo)體有限公司專注于智能電源技術(shù),，主要面向智能快充,，儲(chǔ)能和工業(yè)電源領(lǐng)域，提供高性能數(shù)?；旌闲酒a(chǎn)品,。公司成立于2023年，總部設(shè)立在深圳,，同時(shí)在成都設(shè)有研發(fā)中心,。**研發(fā)團(tuán)隊(duì)來自國內(nèi)外前列半導(dǎo)體公司，擁有多位海歸大廠技術(shù)骨干,，都擁有著10年以上的芯片開發(fā)經(jīng)驗(yàn),，擁有強(qiáng)大的研發(fā)創(chuàng)新能力。創(chuàng)立之初便推出了多款移動(dòng)電源SOC,，幫助客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品升級(jí),，受到客戶的高度認(rèn)可。移動(dòng)電源SOC具有高集成,、多協(xié)議雙向快充,，集成了同步開關(guān)升降壓變換器、電池充放電管理模塊,、電量計(jì)算模塊,、顯示模塊、協(xié)議模塊,，并提供輸入/輸出的過壓/欠壓,，電池過充/過放、NTC過溫,、放電過流,、輸出短路保護(hù)等保護(hù)功能，支持1-6節(jié)電池,，支持點(diǎn)思半導(dǎo)體秉承著為客戶提供質(zhì)量產(chǎn)品的理念,，立志成為國內(nèi)前列的數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)公司,。從業(yè)20年的***市場總監(jiān)帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)分析市場需求和發(fā)展趨勢,為公司產(chǎn)品研發(fā)指出方向,。

XBM3360   用于3串鋰電池的保護(hù)芯片，3串 集成Sense   芯片內(nèi)置高精度電壓檢測電路和電流檢測電路,，支持電池過充電,、過放電,、充電過電流、放電過電流和短路保護(hù)功能,，具備25mV過充電檢測精度,， 鋰電池具備電壓高、能量密度大,、循環(huán)壽命長等優(yōu)點(diǎn),，在各種需要儲(chǔ)能的場景都有廣泛應(yīng)用。但對(duì)于鋰電池而言,，過充,、過放、過壓,、過流等情況都會(huì)導(dǎo)致電池異常,，影響電池使用壽命。因此,，多串鋰電池需要保護(hù)IC來監(jiān)控和保護(hù)電池,，避免出現(xiàn)危險(xiǎn)狀況\多串鋰電池保護(hù)IC及其特點(diǎn)6串-7串 XBM5773 集成均衡/PWM、/NTC/Sense/SSOP24,。

    降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730數(shù)據(jù)手冊—降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了過壓/欠壓保護(hù),、過流保護(hù)、過溫保護(hù),、短路保護(hù)功能,。?過壓/欠壓保護(hù)：放電過程中，DS2730實(shí)時(shí)監(jiān)測輸入/輸出電壓,，并和預(yù)設(shè)的閾值電壓比較,。如果電壓高于過壓閾值或低于欠壓閾值，且維持時(shí)間達(dá)到一定長度時(shí),，芯片關(guān)閉放電通路,。?過流保護(hù)：放電過程中，利用內(nèi)部的高精度ADCADC,，實(shí)時(shí)監(jiān)測流經(jīng)采樣電阻的電流,。當(dāng)電流大于預(yù)設(shè)的過流閾值時(shí)，首先降低輸出功率,；如果降低功率后仍然持續(xù)過流,，則觸發(fā)過流保護(hù)，芯片自動(dòng)關(guān)閉放電通路,。?過溫保護(hù)：放電過程中，利用連接在TS管腳上的NTCNTC,，實(shí)時(shí)監(jiān)測芯片自身的溫度或應(yīng)用方案中關(guān)鍵元件的溫度（例如,，MOS管）,。當(dāng)溫度超出預(yù)設(shè)的保護(hù)門限時(shí)，降低放電功率,。?短路保護(hù)：放電過程中,，實(shí)時(shí)檢測VBUS的電壓和放電電流。發(fā)生VBUSBUS輸出短路時(shí),，自動(dòng)關(guān)閉放電通路,。 太陽能充電管理方案芯片。北京2m1EAB賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

高耐壓理電保護(hù)產(chǎn)品,、具有低功耗,、高過流精度、小封裝,、無管壓降等特點(diǎn),、支持4.2V~4.5V電芯平臺(tái)；北京2m1EAB賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保

    DS3056B集成了過壓/欠壓保護(hù),、過流保護(hù),、過溫保護(hù)、電池過充保護(hù)的功能,。過壓/欠壓保護(hù)：電池充電過程中,，DS3056B實(shí)時(shí)監(jiān)測輸入電壓，并和預(yù)設(shè)的閾值電壓比較,。如果電壓高于過壓閾值或低于欠壓閾值,，且維持時(shí)間達(dá)到一定長度時(shí)，芯片關(guān)閉充電通路,。過流保護(hù)：充電過程中,，利用內(nèi)部的高精度ADC，實(shí)時(shí)監(jiān)測流經(jīng)采樣電阻的電流,。當(dāng)電流大于預(yù)設(shè)的過流閾值時(shí),，觸發(fā)過流保護(hù)，芯片自動(dòng)關(guān)閉充電通路,。過溫保護(hù)：電池充放電過程中,，利用連接在TS管腳上的NTC，實(shí)時(shí)監(jiān)測電池溫度,。當(dāng)溫度超出預(yù)設(shè)的保護(hù)門限時(shí),，首先降低功率。如果降低功率仍然無法過溫,，則自動(dòng)關(guān)閉充電通路,。電池過充保護(hù)：充電過程中，實(shí)時(shí)監(jiān)測電池電壓,。當(dāng)電池電壓達(dá)到充電截止電壓時(shí),，自動(dòng)關(guān)閉充電通路,。 北京2m1EAB賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保