XBM5574級聯(lián)功能/集成均衡/NTC/Sense保護(hù)芯片  ,、4串鋰電池保護(hù)芯片介紹,XBM5574級聯(lián)功能/集成均衡/NTC/Sense保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù),，同時具備電池反接保護(hù)功能,，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：4串鋰電池的保護(hù)芯片電路的過電流保護(hù)閾值由開關(guān)MOS管決定,，如果覺得該閾值較小，可以將多個開關(guān)MOS管進(jìn)行并聯(lián)操作,，以增大過流電流,，將兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個充放電工作的電路,。若再加上鋰電池輸出電路,，鋰電池就可以實現(xiàn)邊充邊放的功能可用模擬和PWM信號調(diào)光的高壓線性LED驅(qū)動集成電路。南京XBM3204DBA賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個同型號的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián),，實現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻,，提高效率,，但布板清注意：①兩個芯片盡量對稱，直接跨接在B-和大地上,。②B-和VM盡量大面積鋪地,，減小布線內(nèi)阻和加強散熱,。③,，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個。100Ω電阻**好共用一顆電阻,，并且布的離VDD近些,，盡量與兩個芯片距離差不都。④VDD采樣線可以略長些,，也無需多粗,，但需要繞開干擾源-VDD采樣線里面沒有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小,，PCB板上,，封裝焊盤略大一些，避免虛焊,。②,，走線經(jīng)過電阻后，先經(jīng)過電容再到芯片的VDD,。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND,，使整個電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個C2（）電容位置,，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力,。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空,。 廣州DS6066賽芯內(nèi)置均衡 內(nèi)置MOS 2節(jié)鋰保多串鋰保應(yīng)用注意事項布局,。

 XBM4530系列產(chǎn)品內(nèi)二級保護(hù)芯片、置高精度的電壓檢測電路和延遲電路,，是一款用于可充電電池組的二級保護(hù)芯片,，通過檢測電池包中每一節(jié)電芯的電壓,，為電池包提供過充電保護(hù)和過放保護(hù)1。功能特點高精度電池電壓檢測功能：過充電檢測電壓-（步進(jìn)50mV）,，精度±25mV,；過充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV,；過放電檢測電壓-（步進(jìn)100mV）,，精度±80mV；過放電電壓0V-（步進(jìn)100mV）,，精度±100mV1,。保護(hù)延時內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場景選擇合適的保護(hù)延時1。內(nèi)置斷線保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1,。輸出方式可選：有CMOS輸出,、N溝道開路漏級輸出、P溝道開路漏級輸出三種方式1,。輸出邏輯可選：動態(tài)輸出H,、動態(tài)輸出。

XBM5244 用于3-4串鋰電池的保護(hù)芯片,，芯片內(nèi)置高精度電壓檢測電路和電流檢測電路,，支持電池過充電、過放電,、充電過電流,、放電過電流和短路保護(hù)功能，具備25mV過充電檢測精度,，3~4串集成均衡/NTC/Sense/SSOP16  概述鋰電池具備電壓高,、能量密度大、循環(huán)壽命長等優(yōu)點,，在各種需要儲能的場景都有廣泛應(yīng)用,。但對于鋰電池而言，過充,、過放,、過壓、過流等情況都會導(dǎo)致電池異常,，影響電池使用壽命,。因此，多串鋰電池需要保護(hù)IC來監(jiān)控和保護(hù)電池,，避免出現(xiàn)危險狀況3~4串集成均衡/NTC/Sense XBM5244.

XBM2138內(nèi)置MOS內(nèi)置均衡器高精度電壓檢測電路和延時電路,，用于2節(jié)串聯(lián)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的保護(hù)。適合對2節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù),。各延遲時間由內(nèi)部電路設(shè)置（不需外接電容）,，連接充電器的端子采用高耐壓設(shè)計（CS端子和OC端子，***額定值是33V）,，還具備向0V電池充電功能，可選擇允許或禁止,。內(nèi)置MOS在高負(fù)載時可能發(fā)熱,，需優(yōu)化PCB散熱（如增加銅箔面積） 內(nèi)置MOS，集成均衡功能多節(jié)鋰電保護(hù)芯片(三元/磷酸鐵鋰)XBM5244 均衡,推挽,充電過流檢測.3-4串XBM4X30 開漏,，次級保護(hù),。珠海XBM3214DGB賽芯代理

移動電源soc芯片DS5136B+MPP無線充 （QI2.0）22.5W 單串移動電源+無線充.南京XBM3204DBA賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保

XBM2138QFA    兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹  35W以內(nèi)      XBM2138QFA    2串鋰保集成MOS     內(nèi)置均衡   ：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù),，同時具備電池反接保護(hù)功能,，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過充電,、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù),，同時具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對于鋰電池的安全使用極其重要3,。過電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié) ,，可組成一個充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路,，鋰電池就可以實現(xiàn)邊充邊放的功能南京XBM3204DBA賽芯內(nèi)置MOS 兩節(jié)鋰保