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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-01

隨著儲(chǔ)能行業(yè)的快速發(fā)展,,芯納科技的鋰電池保護(hù) IC 脫穎而出,。在某大型儲(chǔ)能系統(tǒng)項(xiàng)目中,芯納科技 xinnasemi 的產(chǎn)品有效監(jiān)控電池組的各項(xiàng)參數(shù),。無(wú)論是應(yīng)對(duì)高功率充放電需求,,還是在復(fù)雜的溫度環(huán)境變化下,其都能及時(shí)調(diào)整保護(hù)策略,,保障整個(gè)儲(chǔ)能系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行,,為能源的高效存儲(chǔ)與利用提供了堅(jiān)實(shí)保障。

賽芯 xysemi 的先進(jìn)技術(shù)與芯納科技的市場(chǎng)資源相結(jié)合,,共同推動(dòng)鋰電保護(hù) IC 的應(yīng)用拓展,。以某工業(yè)級(jí)手持設(shè)備為例,,該設(shè)備工作環(huán)境惡劣,對(duì)電池的穩(wěn)定性要求極高,。芯納科技提供的二合一鋰電保護(hù) IC 與賽芯 xysemi 的技術(shù)協(xié)同作用,,在極端溫度、強(qiáng)烈震動(dòng)等條件下,,依然能確保電池的安全可靠,,為工業(yè)生產(chǎn)的順利進(jìn)行保駕護(hù)航。 充電電流降至停充電流時(shí),,停止充電,。電源管理ICXB4791TA

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鋰電池充電管理XA4246:絲印:2YL6,、2YL4,、2YL2、2YLA,、H1JC,、UN8HX、54B4,、S9VH,、1IEK、19jH,、IJH55,、B701、6QK103,、XA4054可替代XA4055絲?。?5B0、55B1,、55B2,、55B3、55B4,、55B5,、55B6、55B7,、55B8,、55B9、55Ba,、55Bb,、XA4058;絲印:58B0,、58B1,、58B2、58B3,、58B4、58B5,、58B6,、58B7、58B8,、58B9,、588Ba、58Bb,、XA4057,;絲印:57B0,、57B1,、57B2、57B3,、57B4,、57B5、57B6,、57B7,、57B8、57B9,、57Ba,、57Bb、XA4059,;絲?。?9B0、59B1,、59B2,、59B3、59B4,、59B5,、59B6、59B7,、59B8,、59B9、59Ba,、59Bb,、XA4017:絲印:017K,、017G、57b9,、57Ba,、017t、HXNNH,、017e,、XA5056絲印:5056 ,、XA4217絲?。篐XN-WLXB4146電源管理IC供應(yīng)商即使在大電流負(fù)載條件下,仍然可以實(shí)現(xiàn)很低的輸出紋波,。

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4054是一款性能優(yōu)異的單節(jié)鋰離子電池恒流/ 恒壓線性充電器,。4054采用SOT23-5L/sot23-6封裝,配合較 少的元器件使其非常適用于便攜式產(chǎn)品,,并且適 合給USB電源以及適配器電源供電,。 基于特殊的內(nèi)部MOSFET架構(gòu)以及防倒充電路, 4054不需要外接檢測(cè)電阻和隔離二極管,。當(dāng)外部環(huán)境溫度過(guò)高或者在大功率應(yīng)用時(shí),,熱反饋可以調(diào)節(jié)充 電電流以降低芯片溫度。充電電壓固定在4.2V/4.35V/4.4V,,而充 電電流則可以通過(guò)一個(gè)電阻器進(jìn)行外部設(shè)置,。當(dāng)充電電流在達(dá)到浮充電壓之后降至設(shè)定值的1/10,芯片將終止充電循環(huán),。當(dāng)輸入電壓斷開時(shí),,4054進(jìn)入睡眠狀態(tài),電池漏電流將降到1uA以下,。4054還可以被設(shè)置于停機(jī)模式,。4054還包括其他特性:欠壓鎖定,自動(dòng)再充電和充電狀態(tài)標(biāo)志,。

一個(gè)是防止充電器的浪涌,,與10uF電容一起做RC濾波,保護(hù)充電管理. 對(duì)充電器頻繁熱插拔的高壓浪涌,、對(duì)目前市場(chǎng)上的各種參差不齊的手機(jī)充電器,,加這個(gè)電阻對(duì)產(chǎn)品的可靠性增加,從某種程度上說(shuō)有一點(diǎn)系統(tǒng)TVS的效果,。 所以這個(gè)電阻的功率稍微留點(diǎn)點(diǎn)余量,。 二個(gè)是可以起到分壓的作用,因?yàn)槭蔷€性充電,如果電池電壓3.3V,,這時(shí)充電處于快充階段(設(shè)定450mA),,如果輸入5V,芯片自身將產(chǎn)生(5-3.3)*0.45=765mW的熱量,,芯片太燙,,充電電流就會(huì)變得小些。而如果加0.5ohm電阻,,該電阻將產(chǎn)生0.225V的壓降,,將能降低一些芯片的功耗,進(jìn)而降低芯片溫度,,使得芯片可以保證以設(shè)定的450mA持續(xù)快速充電。但這個(gè)電阻不能大,,因?yàn)槿绻?,上面產(chǎn)生的壓差大,會(huì)影響電池電壓4V以上時(shí)的快速充電,,也會(huì)影響充電器輸入電壓偏低時(shí)仍然能以較大電流快速充電,。在放電過(guò)程中,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)放電通路的輸出電壓,、負(fù)載電流和系統(tǒng)溫度,。

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電源管理芯片的工作原理:以開關(guān)穩(wěn)壓器中的降壓型(Buck)芯片為例,其工作原理基于電感和電容的儲(chǔ)能特性,。當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí),,輸入電源給電感充電,電流逐漸上升,,同時(shí)向電容和負(fù)載供電,。當(dāng)開關(guān)管關(guān)斷時(shí),電感中的電流通過(guò)二極管續(xù)流,,繼續(xù)向負(fù)載供電,,同時(shí)電容維持輸出電壓的穩(wěn)定。通過(guò)控制開關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間的比例(即占空比),,可以調(diào)節(jié)輸出電壓的大小,。這種方式能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的電壓轉(zhuǎn)換,尤其在處理大電流和高功率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,。DS5036B是點(diǎn)思針對(duì)單節(jié)移動(dòng)電源市場(chǎng)推出的一顆移動(dòng)電源SOC,。XBM3214DBA電源管理IC代理

集成了同步開關(guān)電壓變換器、快充協(xié)議控制器,、 電池充放電管理,、電池電量計(jì),I2C 通信等功能模塊。電源管理ICXB4791TA

DS2730集成了過(guò)壓/欠壓保護(hù),、過(guò)流保護(hù),、過(guò)溫保護(hù)、短路保護(hù)功能,。過(guò)壓/欠壓保護(hù):放電過(guò)程中,,DS2730實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸入/輸出電壓,并和預(yù)設(shè)的閾值電壓比較,。如果電壓高于過(guò)壓閾值或低于欠壓閾值,,且維持時(shí)間達(dá)到一定長(zhǎng)度時(shí),芯片關(guān)閉放電通路,。過(guò)流保護(hù):放電過(guò)程中,,利用內(nèi)部的高精度ADC,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)流經(jīng)采樣電阻的電流,。當(dāng)電流大于預(yù)設(shè)的過(guò)流閾值時(shí),,首先降低輸出功率;如果降低功率后仍然持續(xù)過(guò)流,,則觸發(fā)過(guò)流保護(hù),,芯片自動(dòng)關(guān)閉放電通路。過(guò)溫保護(hù):放電過(guò)程中,,利用連接在TS管腳上的NTC,,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片自身的溫度或應(yīng)用方案中關(guān)鍵元件的溫度(例如,MOS管),。當(dāng)溫度超出預(yù)設(shè)的保護(hù)門限時(shí),,降低放電功率。短路保護(hù):放電過(guò)程中,,實(shí)時(shí)檢測(cè)VBUS的電壓和放電電流,。發(fā)生VBUS輸出短路時(shí),自動(dòng)關(guān)閉放電通路,。電源管理ICXB4791TA

標(biāo)簽: 賽芯 電源管理IC