80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術(shù)促進了器件的小型化和功能化,。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件,，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展,。 80年代發(fā)展起來的靜電感應晶閘管,、隔離柵晶體管，以及各種組合器件,，綜合了晶閘管,、 MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點，在性能上又有新的發(fā)展,。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性,，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍,。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優(yōu)點,，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程，所以比一般晶閘管有更高的開關(guān)速度,，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高,。這些新器件，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求,。電力電子器件的優(yōu)缺點,。常州質(zhì)量電子元器件網(wǎng)上價格

功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流,、高電壓發(fā)展過程中所積累起來的各種經(jīng)驗,，又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,，因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態(tài)時寄生參數(shù)的影響,，這對提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要。 近期進展：2014年,，美國奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,，發(fā)展新一代寬禁帶電力半導體器件。江陰環(huán)保電子元器件值得推薦80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級,。

各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性,。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定,，除了改變加在二端間的電壓外,，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件,，其門極信號能控制元件的導通,，但不能控制其關(guān)斷，稱半控型器件,?？申P(guān)斷晶閘管、功率晶體管等器件,，其門極信號既能控制器件的導通,，又能控制其關(guān)斷，稱全控型器件,。后兩類器件控制靈活，電路簡單,，開關(guān)速度快,，廣fan應用于整流、逆變,、斬波電路中,，是電動機調(diào)速、發(fā)電機勵磁,、感應加熱,、電鍍、電解電源,、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件,。這些器件構(gòu)成裝置不jin體積小、工作可靠,，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%),。

從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,，主要用于相控電路,。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍,、直流電機傳動,、發(fā)電機勵磁等整流裝置中，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比,，不jin體積小,、工作可靠，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%,，從中國的實際看,，因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3，若采用交流電動機調(diào)速傳動, 可平均節(jié)電20%以上,，每年可節(jié)電400億千瓦時）,因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來越受到人們的重視,。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開關(guān)速度快,控制簡單,，逆導可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術(shù)的應用推進到了以逆變,、斬波為中心內(nèi)容的新領(lǐng)域,。這些器件已普遍應用于變頻調(diào)速、開關(guān)電源,、靜止變頻等電力電子裝置中,。各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。

事實表明,，無論是電力,、機械、礦冶,、交通,、石油、能源,、化工,、輕紡等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，還是通信,、激光,、機器人、環(huán)保,、原子能,、航天等高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，都迫切需要高質(zhì)量,、高效率的電能,。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變?yōu)槿藗兯璧碾娔埽瑢崿F(xiàn)節(jié)能環(huán)保和提高人民生活質(zhì)量的重要手段,，它已經(jīng)成為弱電控制與強電運行之間,、信息技術(shù)與先進制造技術(shù)之間、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)自動化,、智能化改造和興建高科技產(chǎn)業(yè)之間不可缺少的重要橋梁,。而新型電力電子器件的出現(xiàn)，總是帶來一場電力電子技術(shù)的**,。電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟,，它對裝置的總價值，尺寸,、重量,、動態(tài)性能，過載能力，耐用性及可靠性等,，起著十分重要的作用,。電子元件是電子電路中的基本元素。金壇區(qū)正規(guī)電子元器件相關(guān)問題

電子元件的元件分類：電線與開關(guān),。常州質(zhì)量電子元器件網(wǎng)上價格

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡單,，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關(guān)速度高,，開關(guān)損耗小,，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低,，輸入阻抗高,，為電壓驅(qū)動，驅(qū)動功率??；缺點：開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓，電流容量不及GTO GTR：耐壓高,，電流大，開關(guān)特性好,，通流能力強,，飽和壓降低；缺點：開關(guān)速度低,，為電流驅(qū)動,，所需驅(qū)動功率大，驅(qū)動電路復雜,，存在二次擊穿問題 GTO：電壓,、電流容量大，適用于大功率場合,，具有電導調(diào)制效應,，其通流能力很強；缺點：電流關(guān)斷增益很小,，關(guān)斷時門極負脈沖電流大,，開關(guān)速度低，驅(qū)動功率大,，驅(qū)動電路復雜,，開關(guān)頻率低 電力MOSFET：開關(guān)速度快，輸入阻抗高,，熱穩(wěn)定性好,，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題,；缺點：電流容量小,，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置,。 制約因素：耐壓,，電流容量，開關(guān)的速度常州質(zhì)量電子元器件網(wǎng)上價格

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