電力電子器件正沿著大功率化,、高頻化,、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達(dá)6000安,，阻斷電壓高達(dá)6500伏,。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率,，取決于器件關(guān)斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流子(簡(jiǎn)稱少子)的復(fù)合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子,。降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)斷電流的過程，卻導(dǎo)致器件導(dǎo)通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求,。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下,。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達(dá)數(shù)百安,，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動(dòng)電流,。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象，限制它的抗浪涌能力,。按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類,。新吳區(qū)科技化電子器件銷售源頭好貨

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠,； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關(guān)速度高,，開關(guān)損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力,，通態(tài)壓降較低,，輸入阻抗高，為電壓驅(qū)動(dòng),，驅(qū)動(dòng)功率?。蝗秉c(diǎn)：開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,，電流容量不及GTO GTR：耐壓高,，電流大，開關(guān)特性好,，通流能力強(qiáng),，飽和壓降低；缺點(diǎn)：開關(guān)速度低,，為電流驅(qū)動(dòng),，所需驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,，存在二次擊穿問題 GTO：電壓,、電流容量大，適用于大功率場(chǎng)合,，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),，其通流能力很強(qiáng)；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小,，關(guān)斷時(shí)門極負(fù)脈沖電流大,，開關(guān)速度低，驅(qū)動(dòng)功率大,，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,，開關(guān)頻率低 電力MOSFET：開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好,，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,，工作頻率高，不存在二次擊穿問題,；缺點(diǎn)：電流容量小,，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置,。 制約因素：耐壓,，電流容量，開關(guān)的速度錫山區(qū)是什么電子器件銷售源頭好貨電子元件是電子電路中的基本元素,。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類： 1.半控型器件,，例如晶閘管； 2.全控型器件,，例如GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）,、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管）,、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）,； 3.不可控器件，例如電力二極管,。 按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類： 1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件,，例如IGBT、Power MOSFET,、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）,； 2.電流驅(qū)動(dòng)型器件，例如晶閘管,、GTO,、GTR。 根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類： 1.脈沖觸發(fā)型,，例如晶閘管,、GTO； 2.電子控制型,，例如GTR,、PowerMOSFET、IGBT,。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類： 1.雙極型器件,，例如電力二極管,、晶閘管,、GTO、GTR； 2.單極型器件,，例如PowerMOSFET,、SIT、肖特基勢(shì)壘二極管,； 3.復(fù)合型器件,，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT,、SITH和IGCT,。

進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲(chǔ)存效應(yīng)的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,， 由于不受少子儲(chǔ)存效應(yīng)的限制,，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導(dǎo)通電流具有負(fù)溫度特性,，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,；需要擴(kuò)大電流容量時(shí)，器件并聯(lián)簡(jiǎn)單,，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動(dòng)功率,；在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大,，制造時(shí)對(duì)材料和器件工藝的一致性要求較高,。到80 年代中、后期電流容量jin達(dá)數(shù)十安,，阻斷電壓近千伏,。單個(gè)電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,，能通過的電流大小也是一定的,。

為了保持電子元件運(yùn)作的穩(wěn)定性，通常將它們以合成樹脂（Resin dispensing）包覆封裝,，以提高絕緣與保護(hù)不受環(huán)境的影響,。?[1]? 元件也許是被動(dòng)或有源的（passive or active）：被動(dòng)元件（Passive components）是一種電子元件，在使用時(shí)它們沒有任何的增益或方向性,。在電路分析（Network analysis）時(shí),，它們被稱為電力元件（Electrical elements）。 有源元件（Active components）是一種電子元件,，相對(duì)于被動(dòng)元件所沒有的,，在使用時(shí)它們有增益或方向性。它們包括了半導(dǎo)體器件與真空管,。 端子與連接器：用于電路連接的裝置 端子（Terminal）： 電子連接器（Connector）：（Closed）,、信號(hào)插座（Socket）,、端子臺(tái)（Screw terminal, Terminal Blocks）、信號(hào)接頭（Header）,。電力電子器件的優(yōu)缺點(diǎn),。梁溪區(qū)技巧電子器件銷售怎么樣

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20世紀(jì)50年代,，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來的晶閘管,，因其工作可靠,、壽命長(zhǎng)、體積小,、開關(guān)速度快,，而在電力電子電路中得到廣fan應(yīng)用。70年代初期,，已逐步取代了汞弧閘流管,。80年代，普通晶閘管的開關(guān)電流已達(dá)數(shù)千安,，能承受的正,、反向工作電壓達(dá)數(shù)千伏。在此基礎(chǔ)上,，為適應(yīng)電力電子技術(shù)發(fā)展的需要,，又開發(fā)出門極可關(guān)斷晶閘管、雙向晶閘管,、光控晶閘管,、逆導(dǎo)晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,、雙極型功率晶體管,、靜電感應(yīng)晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件,。新吳區(qū)科技化電子器件銷售源頭好貨

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