電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡(jiǎn)單，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開(kāi)關(guān)速度高,，開(kāi)關(guān)損耗小,，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低,，輸入阻抗高,，為電壓驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)功率??；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大,，開(kāi)關(guān)特性好,，通流能力強(qiáng)，飽和壓降低,；缺點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度低,，為電流驅(qū)動(dòng)，所需驅(qū)動(dòng)功率大,，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,，存在二次擊穿問(wèn)題 GTO：電壓、電流容量大,，適用于大功率場(chǎng)合,，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強(qiáng),；缺點(diǎn)：電流關(guān)斷增益很小,，關(guān)斷時(shí)門極負(fù)脈沖電流大，開(kāi)關(guān)速度低,，驅(qū)動(dòng)功率大,，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，開(kāi)關(guān)頻率低 電力MOSFET：開(kāi)關(guān)速度快,，輸入阻抗高,，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動(dòng)功率小且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單,，工作頻率高,，不存在二次擊穿問(wèn)題；缺點(diǎn)：電流容量小,，耐壓低,，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓,，電流容量,，開(kāi)關(guān)的速度電力電子器件正沿著大功率化、高頻化,、集成化的方向發(fā)展,。溧陽(yáng)科技化電子元件銷售源頭好貨

各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽(yáng)極)器件,，其器件電流由伏安特性決定,，除了改變加在二端間的電壓外，無(wú)法控制其陽(yáng)極電流，故稱不可控器件,。普通晶閘管是三端器件,，其門極信號(hào)能控制元件的導(dǎo)通，但不能控制其關(guān)斷,，稱半控型器件,。可關(guān)斷晶閘管,、功率晶體管等器件,，其門極信號(hào)既能控制器件的導(dǎo)通，又能控制其關(guān)斷,，稱全控型器件,。后兩類器件控制靈活，電路簡(jiǎn)單,，開(kāi)關(guān)速度快,，廣fan應(yīng)用于整流、逆變,、斬波電路中,，是電動(dòng)機(jī)調(diào)速、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁,、感應(yīng)加熱,、電鍍、電解電源,、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件,。這些器件構(gòu)成裝置不jin體積小、工作可靠,，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%),。江蘇口碑好的電子元件銷售商城電子元件是電子電路中的基本元素。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類： 1.半控型器件,，例如晶閘管,； 2.全控型器件，例如GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）,、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管）,、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）,； 3.不可控器件，例如電力二極管,。 按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類： 1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件,，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）,； 2.電流驅(qū)動(dòng)型器件,，例如晶閘管、GTO,、GTR,。 根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類： 1.脈沖觸發(fā)型，例如晶閘管,、GTO,； 2.電子控制型，例如GTR,、PowerMOSFET,、IGBT。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類： 1.雙極型器件,，例如電力二極管,、晶閘管、GTO,、GTR,； 2.單極型器件，例如PowerMOSFET,、SIT,、肖特基勢(shì)壘二極管； 3.復(fù)合型器件,，例如MCT（MOS控制晶閘管）,、IGBT、SITH和IGCT,。

電力電子器件正沿著大功率化,、高頻化、集成化的方向發(fā)展,。80年代晶閘管的電流容量已達(dá)6000安,，阻斷電壓高達(dá)6500伏。但這類器件工作頻率較低,。提高其工作頻率,，取決于器件關(guān)斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流子(簡(jiǎn)稱少子)的復(fù)合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)斷電流的過(guò)程,，卻導(dǎo)致器件導(dǎo)通期正向壓降的增加,。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下,。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,，其控制電流容量已達(dá)數(shù)百安,，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動(dòng)電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,，限制它的抗浪涌能力,。20世紀(jì)50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管,。

進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲(chǔ)存效應(yīng)的影響,。70年代中期發(fā)展起來(lái)的單極型MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管， 由于不受少子儲(chǔ)存效應(yīng)的限制,，能夠在兆赫以上的頻率下工作,。這種器件的導(dǎo)通電流具有負(fù)溫度特性，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,；需要擴(kuò)大電流容量時(shí),，器件并聯(lián)簡(jiǎn)單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動(dòng)功率,；在制造工藝上便于大規(guī)模集成,。但它的通態(tài)壓降較大，制造時(shí)對(duì)材料和器件工藝的一致性要求較高,。到80 年代中,、后期電流容量jin達(dá)數(shù)十安，阻斷電壓近千伏,。80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級(jí),。金壇區(qū)口碑好的電子元件銷售均價(jià)

電力電子器件的優(yōu)缺點(diǎn)。溧陽(yáng)科技化電子元件銷售源頭好貨

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級(jí),。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化,。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件，推動(dòng)電力電子裝置朝著智能化,、高頻化的方向發(fā)展,。 80年代發(fā)展起來(lái)的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管,，以及各種組合器件,，綜合了晶閘管、 MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn),，在性能上又有新的發(fā)展,。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能,，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍,。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn)，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時(shí)必須在門極周圍先導(dǎo)通然后逐步橫向擴(kuò)展的過(guò)程,，所以比一般晶閘管有更高的開(kāi)關(guān)速度，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高。這些新器件,，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求,。溧陽(yáng)科技化電子元件銷售源頭好貨

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