各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性,。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定,，除了改變加在二端間的電壓外,，無法控制其陽極電流,，故稱不可控器件,。普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導通,，但不能控制其關斷,，稱半控型器件?？申P斷晶閘管,、功率晶體管等器件,，其門極信號既能控制器件的導通，又能控制其關斷,，稱全控型器件,。后兩類器件控制靈活，電路簡單,，開關速度快，廣fan應用于整流,、逆變、斬波電路中，是電動機調速,、發(fā)電機勵磁,、感應加熱、電鍍,、電解電源,、直接輸電等電力電子裝置中的核xin部件,。這些器件構成裝置不jin體積小,、工作可靠,，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%),。進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應的影響,。惠山區(qū)電子器件銷售價格實惠

電線 有連接口或終端在盡頭的電線：電源線（Power cord）,；軟線（Patch cord）,；示波器探棒（Test lead）,。 開關 能夠控制電路的開路或閉路的電子元件：開關（Switch） - 手動操作的開關,；Keypad- 一群按鈕開關的集he（例如只能輸入數(shù)字的小鍵盤）；繼電器（Relay） - 電流操作的開關,。它是一種電磁元件,，有別于固態(tài)繼電器（Solid State Relay）,；電磁開關：自動調溫器（Thermostat） - 溫度致動的開關；斷路器（Circuit Break） -過電流致動的開關,；限位開關（Limit Switch） - 機械式的啟動開關,；**開關（Mercury Switch）,；離心開關（Centrifugal Switch）,。武進區(qū)關于電子器件銷售價格電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟,。

功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起,。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流,、高電壓發(fā)展過程中所積累起來的各種經(jīng)驗,，又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點,。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,，因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態(tài)時寄生參數(shù)的影響，這對提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要,。 近期進展：2014年，美國奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,，發(fā)展新一代寬禁帶電力半導體器件,。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件,，例如晶閘管,； 2.全控型器件,，例如GTO（門極可關斷晶閘管）,、GTR（電力晶體管）,，Power MOSFET（電力場效應晶體管）,、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）,； 3.不可控器件,，例如電力二極管,。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質分類： 1.電壓驅動型器件,，例如IGBT、Power MOSFET,、SITH（靜電感應晶閘管）； 2.電流驅動型器件,，例如晶閘管,、GTO、GTR,。 根據(jù)驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發(fā)型,，例如晶閘管,、GTO； 2.電子控制型,，例如GTR,、PowerMOSFET,、IGBT,。 按照電力電子器件內部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類： 1.雙極型器件,，例如電力二極管,、晶閘管,、GTO,、GTR； 2.單極型器件,，例如PowerMOSFET、SIT,、肖特基勢壘二極管； 3.復合型器件,，例如MCT（MOS控制晶閘管）,、IGBT,、SITH和IGCT。單個電力電子器件能承受的正,、反向電壓是一定的,，能通過的電流大小也是一定的,。

電力電子器件正沿著大功率化,、高頻化,、集成化的方向發(fā)展,。80年代晶閘管的電流容量已達6000安,，阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低,。提高其工作頻率,，取決于器件關斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流子(簡稱少子)的復合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子,。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程，卻導致器件導通期正向壓降的增加,。因此必須兼顧轉換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求,。80年代這類器件的*高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,，其控制電流容量已達數(shù)百安,，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,，限制它的抗浪涌能力,。功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)。標準電子器件銷售價格實惠

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級,?；萆絽^(qū)電子器件銷售價格實惠

單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的,，能通過的電流大小也是一定的,。因此，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制,。所以,，在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高,，從而可極大地增加電力電子裝置的容量,。器件串聯(lián)時，希望各元件能承受同樣的正,、反向電壓,；并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性,，串,、并聯(lián)時，各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流,。所以,，在電力電子器件串聯(lián)時，要采取均壓措施,；在并聯(lián)時,，要采取均流措施。 電力電子器件工作時,，會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫,。器件溫度過高將縮短壽命,，甚至燒毀,，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因,。為此,，必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式,、風冷式,、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等,?；萆絽^(qū)電子器件銷售價格實惠

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