電子元件是電子電路中的基本元素,，通常是個別封裝,，并具有兩個或以上的引線或金屬接點,。電子元件須相互連接以構(gòu)成一個具有特定功能的電子電路,，例如：放大器,、無線電接收機、振蕩器等,，連接電子元件常見的方式之一是焊接到印刷電路板上,。電子元件也許是單獨的封裝（電阻器、電容器,、電感器,、晶體管、二極管等）,，或是各種不同復(fù)雜度的群組,，例如：集成電路（運算放大器、排阻,、邏輯門等）,。 電子器件是指在真空、氣體或固體中，利用和控制電子運動規(guī)律而制成的器件,。分為電真空器件,、充氣管器件和固態(tài)電子器件。在模擬電路中作整流,、放大,、調(diào)制、振蕩,、變頻,、鎖相、控制,、相關(guān)等作用,；在數(shù)字電路中作采樣、限幅,、邏輯,、存儲、計數(shù),、延遲等用,。充氣管器件主要作整流、穩(wěn)壓和顯示之用,。固態(tài)電子器件如集成電路,。按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類。新北區(qū)好的電子元器件推薦貨源

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級,。集成電路的技術(shù)促進了器件的小型化和功能化,。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化,、高頻化的方向發(fā)展,。 80年代發(fā)展起來的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管,，以及各種組合器件,，綜合了晶閘管、 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點,，在性能上又有新的發(fā)展,。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應(yīng)晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能,，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍,。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優(yōu)點，結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程,，所以比一般晶閘管有更高的開關(guān)速度,，而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高,。這些新器件，在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求,?；萆絽^(qū)關(guān)于電子元器件價格實惠各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。

電線 有連接口或終端在盡頭的電線：電源線（Power cord）,；軟線（Patch cord）,；示波器探棒（Test lead）。 開關(guān) 能夠控制電路的開路或閉路的電子元件：開關(guān)（Switch） - 手動操作的開關(guān),；Keypad- 一群按鈕開關(guān)的集he（例如只能輸入數(shù)字的小鍵盤）,；繼電器（Relay） - 電流操作的開關(guān)。它是一種電磁元件,，有別于固態(tài)繼電器（Solid State Relay）,；電磁開關(guān)：自動調(diào)溫器（Thermostat） - 溫度致動的開關(guān)；斷路器（Circuit Break） -過電流致動的開關(guān),；限位開關(guān)（Limit Switch） - 機械式的啟動開關(guān),；**開關(guān)（Mercury Switch）；離心開關(guān)（Centrifugal Switch）,。

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件,，例如晶閘管； 2.全控型器件,，例如GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）,、GTR（電力晶體管），Power MOSFET（電力場效應(yīng)晶體管）,、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）,； 3.不可控器件，例如電力二極管,。 按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)分類： 1.電壓驅(qū)動型器件,，例如IGBT、Power MOSFET,、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）,； 2.電流驅(qū)動型器件,，例如晶閘管,、GTO、GTR,。 根據(jù)驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發(fā)型,，例如晶閘管、GTO,； 2.電子控制型,，例如GTR,、PowerMOSFET、IGBT,。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類： 1.雙極型器件,，例如電力二極管、晶閘管,、GTO,、GTR； 2.單極型器件,，例如PowerMOSFET,、SIT、肖特基勢壘二極管,； 3.復(fù)合型器件,，例如MCT（MOS控制晶閘管）、IGBT,、SITH和IGCT,。電子元件的元件分類：電線與開關(guān)。

進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應(yīng)的影響,。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應(yīng)晶體管,， 由于不受少子儲存效應(yīng)的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作,。這種器件的導通電流具有負溫度特性,，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象；需要擴大電流容量時,，器件并聯(lián)簡單,，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動功率；在制造工藝上便于大規(guī)模集成,。但它的通態(tài)壓降較大,，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中,、后期電流容量jin達數(shù)十安,，阻斷電壓近千伏。從60年代到70年代初期,，以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,，主要用于相控電路。金壇區(qū)正規(guī)電子元器件相關(guān)問題

電子元件的元件分類：端子與連接器,。新北區(qū)好的電子元器件推薦貨源

電力二極管：結(jié)構(gòu)和原理簡單,，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關(guān)速度高,，開關(guān)損耗小,，具有耐脈沖電流沖擊的能力,，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高,，為電壓驅(qū)動,，驅(qū)動功率小,；缺點：開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大,，開關(guān)特性好,，通流能力強，飽和壓降低,；缺點：開關(guān)速度低,，為電流驅(qū)動，所需驅(qū)動功率大,，驅(qū)動電路復(fù)雜,，存在二次擊穿問題 GTO：電壓、電流容量大,，適用于大功率場合,，具有電導調(diào)制效應(yīng)，其通流能力很強,；缺點：電流關(guān)斷增益很小,，關(guān)斷時門極負脈沖電流大，開關(guān)速度低,，驅(qū)動功率大,，驅(qū)動電路復(fù)雜，開關(guān)頻率低 電力MOSFET：開關(guān)速度快,，輸入阻抗高,，熱穩(wěn)定性好，所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單,，工作頻率高,，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小,，耐壓低,，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓,，電流容量,，開關(guān)的速度新北區(qū)好的電子元器件推薦貨源

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