為了保持電子元件運作的穩(wěn)定性,，通常將它們以合成樹脂（Resin dispensing）包覆封裝，以提高絕緣與保護不受環(huán)境的影響,。?[1]? 元件也許是被動或有源的（passive or active）：被動元件（Passive components）是一種電子元件,，在使用時它們沒有任何的增益或方向性。在電路分析（Network analysis）時,，它們被稱為電力元件（Electrical elements）,。 有源元件（Active components）是一種電子元件，相對于被動元件所沒有的，在使用時它們有增益或方向性,。它們包括了半導體器件與真空管,。 端子與連接器：用于電路連接的裝置 端子（Terminal）： 電子連接器（Connector）：（Closed）、信號插座（Socket）,、端子臺（Screw terminal, Terminal Blocks）,、信號接頭（Header）,。功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起,。天寧區(qū)電子元器件推薦

功率集成電路指在一個芯片上把多個器件及其控制電路集he在一起。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流,、高電壓發(fā)展過程中所積累起來的各種經(jīng)驗,，又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,，因而能夠有效地減少當器件處于高頻工作狀態(tài)時寄生參數(shù)的影響,，這對提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要。 近期進展：2014年,，美國奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,，發(fā)展新一代寬禁帶電力半導體器件。錫山區(qū)科技化電子元器件價格實惠進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應的影響,。

進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應的影響,。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應晶體管， 由于不受少子儲存效應的限制,，能夠在兆赫以上的頻率下工作,。這種器件的導通電流具有負溫度特性，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,；需要擴大電流容量時,，器件并聯(lián)簡單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率,；在制造工藝上便于大規(guī)模集成,。但它的通態(tài)壓降較大，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高,。到80 年代中,、后期電流容量jin達數(shù)十安，阻斷電壓近千伏,。

電力二極管：結構和原理簡單,，工作可靠； 晶閘管：承受電壓和電流容量在所有器件中*高 IGBT：開關速度高,，開關損耗小,，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高,，為電壓驅動,，驅動功率小,；缺點：開關速度低于電力MOSFET,電壓,，電流容量不及GTO GTR：耐壓高，電流大,，開關特性好,，通流能力強，飽和壓降低,；缺點：開關速度低,，為電流驅動，所需驅動功率大,，驅動電路復雜,，存在二次擊穿問題 GTO：電壓、電流容量大,，適用于大功率場合,，具有電導調(diào)制效應，其通流能力很強,；缺點：電流關斷增益很小,，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低,，驅動功率大,，驅動電路復雜，開關頻率低 電力MOSFET：開關速度快,，輸入阻抗高,，熱穩(wěn)定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單,，工作頻率高,，不存在二次擊穿問題；缺點：電流容量小,，耐壓低,，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 制約因素：耐壓,，電流容量,，開關的速度電力電子器件的優(yōu)缺點。

電線 有連接口或終端在盡頭的電線：電源線（Power cord）,；軟線（Patch cord）,；示波器探棒（Test lead）,。 開關 能夠控制電路的開路或閉路的電子元件：開關（Switch） - 手動操作的開關；Keypad- 一群按鈕開關的集he（例如只能輸入數(shù)字的小鍵盤）,；繼電器（Relay） - 電流操作的開關,。它是一種電磁元件，有別于固態(tài)繼電器（Solid State Relay）,；電磁開關：自動調(diào)溫器（Thermostat） - 溫度致動的開關,；斷路器（Circuit Break） -過電流致動的開關；限位開關（Limit Switch） - 機械式的啟動開關,；**開關（Mercury Switch）,；離心開關（Centrifugal Switch）。電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟,。濱湖區(qū)技巧電子元器件價格

電子元件是電子電路中的基本元素,。天寧區(qū)電子元器件推薦

按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類： 1.半控型器件,，例如晶閘管,； 2.全控型器件，例如GTO（門極可關斷晶閘管）,、GTR（電力晶體管）,，Power MOSFET（電力場效應晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）,； 3.不可控器件,，例如電力二極管。 按照驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)分類： 1.電壓驅動型器件,，例如IGBT,、Power MOSFET、SITH（靜電感應晶閘管）,； 2.電流驅動型器件,，例如晶閘管、GTO,、GTR,。 根據(jù)驅動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類： 1.脈沖觸發(fā)型，例如晶閘管,、GTO,； 2.電子控制型，例如GTR,、PowerMOSFET,、IGBT。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導電的情況分類： 1.雙極型器件,，例如電力二極管,、晶閘管,、GTO、GTR,； 2.單極型器件,，例如PowerMOSFET、SIT,、肖特基勢壘二極管,； 3.復合型器件，例如MCT（MOS控制晶閘管）,、IGBT,、SITH和IGCT。天寧區(qū)電子元器件推薦

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